三维光刻技术类型分为直写光刻和投影光刻两个大类

       三维光刻技术类型分为直写光刻和投影光刻两个大类。其中直写光刻是器件中微纳结构源头制备的关键环节，实现将计算机设计数据制备到特定基板上，形成高精度微纳结构的图形布局。 

       直写光刻的概念：直写光刻系统在英文中被称为 Pattern Generator，是微纳图形生成的手段，将计算机设计的 GDSII、DXF 等图形文件制作成实物版图。

       用传统打印与复印的区别来打个比方：直写光刻是打印，将计算机中的文件打印出来。投影光刻是复印，实现器件制造的批量化。不过这个 “复印”过程需要多套图形的对准复印，要求极高的对准精度、分辨率和一致性。 

       激光直写和电子束直写是产业中两项主要的直写技术。激光直写可以满足半导体 0.25 微米及以上节点掩模版制备，以及 0.25 微米以下部分掩模版制备。当前半导体掩模版总量的约 75% 由激光直写设备制备，其余掩模版由电子束直写设备完成。平板显示领域的大幅面掩模版，100% 由激光直写设备制备。

       在投影光刻领域，半导体采用微缩投影光刻技术，代表性供应商是荷兰 ASML；平板显示采用大幅面投影光刻，代表性厂商是日本尼康。在诸多研发、MEMS、LED 等领域，掩模版接触 / 接近式光刻依然广泛使用。

       直写光刻与投影光刻技术是当前产业中分工明确的两类光刻技术，投影光刻具有更高的线宽分辨率、精度和生产效率的特点。虽然直写光刻还不能满足器件大规模制造的需求，但在电路板行业，激光直写替代传统曝光机是明确的趋势，实现无掩模光刻一直是产业追求的理想目标，可减少昂贵掩模版的支出，提升新品开发效率，满足小批量多样化生产需求。此外，直写光刻由于其数字化的属性，具有更高的灵活性和广泛适应性。可开发创新的曝光方式，作为数字化微纳加工的基础性技术，从而有望成为半导体、光电子相关产业中工艺迭代升级、新产品创新的关键性技术。

       在具有衬底翘曲、基片变形的光刻应用领域，直写光刻的自适应调整能力，使之具有成品率高、一致性好的优点。如 FanOut、COF 等先进封装模式的发展，封装光刻技术需要具有更小的线宽、更大的幅面、更好的图形对准套刻适应能力。

       在微纳光电子新兴领域，ALoT 的发展需要大量光电传感器件的创新研发。3D 光刻与微纳制造是光电子产品创新的基石性技术，具有众多的产业应用价值，如 3D 感知、增强现实显示、光传感器件（如 TOF）、超薄成像、立体显示、新型光学膜等。微纳光子器件逐步在智能手机、增强现实 AR、车载领域应用。与集成电路图形不同，微纳光子传感器件要求更高的位置排列精度及纵向面型精度、结构形貌具有密集连续曲面形貌的特点。因此，新型 3D 直写光刻技术，实现曝光写入剂量与位置形貌精确匹配，是制备新型光电子传感器件级微纳结构形貌的创新技术路径。