仪器仪表

SXXB系列直流3A国产SMU是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表， 集电压、电流的输入输出及测量等多种功能。Z大输出电压300V，Z小测试电流分辨率3pA，支持四象限...

半导体功率循环数据采集卡使用高性能ADC芯片，分辨率可达16bits，Z高支持2MS/s采样率。单采集卡支持4通道，且通道间隔离。采集卡可应用于我司3插卡或10插卡主机上，单主机Z高支持40通道。 ...

HCPL系列大功率LED老化电源可广泛应用于大功率LED的LIV测试及老化、大功率半导体激光器的LIV测试及老化、肖特基二极管测试、整流桥堆测试等。设备支持多台并联来实现更大电流输出，输出电流精度及电...

大功率激光器LIV测试电源具备CW及QCW输出能力，单设备CW输出电流可高达60A， 输出电压可高达100V，可广泛应用于大功率LED的LIV测试及老化、大功率半导体激光器的LIV测试及老化、肖特基...

GaN射频功放IV测试脉冲恒压源主要特点有：脉冲电流大，Z高可至10A；脉冲宽度窄，Z小可低至100ns；支持直流、脉冲两种电压输出模式；支持线性，对数，以及自定义多种扫描工作方式。

CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度、宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出，并同步完成输出电压及电流测量；支持多设备触发实现器件的脉冲IV扫描等

瞬变专用电磁脉冲源具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输 入 / 输 出 特 性 曲 线、阈 值 电 压 VGS(th)、漏 电 流 IGSS、 IDSS，...

霍尔效应是一种电磁感应现象，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，如下图所示。霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻率ρ、霍尔系数RH、载流子浓...

1000A高电流脉冲电源50~500us的脉冲宽度；15us的超快上升沿；同步测量电压；单台Z大可达1000A输出；可极性反转；

多仪器合一国产源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应...

国产S系列数字源表替代2450认准普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持

在实际应用中，不同专业领域所进行的电性能测试实验是不同的，下面就来展示一些典型的实验现象，数字源表测试扫描IV曲线图都有哪些呢？

光伏电池伏安特性测试数字源表是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的Z佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供卓越的测量性能。结合太阳光模拟器以及专用的上位机软件，支...