NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD

国内的电感耦合等离子体都是基于中频13.56MHz的电源发生器，等离子体密度较低，而且是螺旋管式，主要用于等离子体刻蚀，不适宜用于沉积高质量薄膜。巨纳集团NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD（ICP-LP-PE-CVD）结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点，可在宽密度工艺范围（109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD，具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围，是目前全球功能大的等离子体CVD系统。

NextCVD 的原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统在国内duyi无二。频率可调节，从低频0.5- 4MHz范围内调节；电感天线是平板式，可根据客户要求改变天线的形状、大小，从而实现两种不同的放电模式：电感放电和电容放电，两种模式下都能实现稳定放电，两种模式的等离子体特性截然不同，可以实现不同的功能。

产品特点
基片台可电动旋转、可加热、可升降
配装手动高真空插板阀、手动角阀、电脑复合真空计
由于采用了超高真空密封技术，极限真空度高，沉积室可进入10-5Pa量级，可保证更高的镀膜纯净度，提高镀膜质量
自动监控和保护功能，包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等
配备可开关观察窗，方便观察及取样品
设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组
采用磁力耦合传动密封技术密封运动部件
真空规用金属规，刀口金属密封

性能技术参数
设备极限真空度：5.0×10-5Pa（等离子体沉积腔室）。5.0×10-1Pa进样室
高密度等离子体：电子密度最高能达到1013 cm-3
气体先驱物离化率：1-10%
电感耦合离子体电源发生器频率从0.5-4 MHz可调，功率可从0-5000 W调节
电感天线有椭圆和圆形两种，相应等离子源石英窗口形状也有椭圆和圆形两种，相应等离子体放电模式也有电感和电容模式两种，可根据用途选择。等离子体源石英窗口大小可根据要求进行调节
供电：～380V三相供电系统（容量7KW），冷却水循环量1M3/H，工作环境温度10℃～35℃，冷却水温度18℃～25℃
设备占用面积12M2（设备安装面积4M×3M）
进样室上方窗口（玻璃橡胶圈密封）：￠20cm
沉积室抽气口在底部，样品架的两边抽气，有利于薄膜的均匀沉积
设备总体漏放率：关机12小时后，真空度≤10Pa
从大气到抽到≤7×10-4Pa，小于45min(新设备充干燥氮气)，提高了工作效率
样品台可旋转，速度：0～25转／分 可控可调。（样品台尺寸￠200mm）
基片尺寸￠6英寸（根据用户需要可变）
样品台加热器温度：室温～500±1℃。温度可控可调
基片最大升降距离0～100mm可调

配备2支￠3英寸磁控靶，其中一支可镀铁磁材料，磁控靶可伸缩
磁控溅射靶电源：射频源 500W、13.56MHz；直流溅射电源，500W
缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护

应用领域：
光伏行业（氮化硅/非晶硅/微晶硅/等离子体织构与刻蚀）
新型二维材料（石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备）
半导体工艺（刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等）
纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构造

石墨烯氢等离子体可控改性

石墨烯氩等离子体可控改性

氩等离子体可控改性：引入空位缺陷
氢等离子体可控改性：引入SP3缺陷