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分子束外延系统

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分子束外延系统
分子束外延系统概述

分子束外延系统是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术,它是在超高真空条件下,类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子),以一定的热运动速度,按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。分子束外延系统就是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中,将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束,从炉中喷出后,沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。分子束外延系统利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导,还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上,制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器,其耦合系数接近于100%。分子束外延系统在研究和发展多元金属间化合物、亚稳态材料方面也可能有应用的前景。

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分子束外延系统技术资料

分子束外延系统解决方案

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美国SVT 在线阴极荧光光谱仪/In-Situ CL

美国SVT 在线阴极荧光光谱仪/In-Situ CL

  • 品牌:
  • 型号: SVTA-CL
  • 产地:美国
  • 此在线CL系统是监控MBE生长过程的理想选择。 CL可以放置在独立的观察窗位置。 通过RHEED枪以及敏感的光学探测系统,CL可以实时提供材料组分的准确信息,并进行实时光学分析。 部件有8''的前后移动容域度,避免与其他部件相互干扰。 CL通过电子激发技术调节电子能量,可以检测较深的薄膜表面信息。 与其配套的Windows软件操作系统,可以实现操作自动化及图谱分析。特点一个端口可以同时监测薄膜成分和光学分析掺杂水平信息部件可前后移动,使部件间相互干扰最小化全电脑控制及分析光谱范围 200-900nm分辨率0.5nm 探测器量子效率25% 探测器输出10V/nW噪音等效 <250V 观察窗口 2.75''CF外部尺寸 9.0''X25.5''X10.1'' (22cm×65cm×26cm)腔室内尺寸 1.25''×13.1'' (3.2cm×34cm) 行程距离最大8''(20.3cm) 靶距离2''(5.1cm) 电脑要求Windows 9X,2000,XP

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美国SVT超高真空解理机/解理镀膜机

美国SVT超高真空解理机/解理镀膜机

  • 品牌:
  • 型号: WP-15
  • 产地:美国
  • 美国SVT公司超高真空解理机SVT公司的样品解理部件可以将15mm(其他尺寸可选)的方形样品解理成15个1mm×15mm的Bar条。所有解理出的bar条被收集到样品托,堆叠在一起进行下一步批量加工。独特设计的解理工具避免了器件被破坏以及样品互相黏在一起的可能性。此解理工具可完全适用于UHV环境。解理机可以增加钝化层沉积模块。解理后堆叠在一起的Bar条直接进入钝化室,不用暴露大气。规格在线bar条解理加工15mm×15mm 样品(10mm-32mm可选)加工成15mm×1mm 样品(1mm-5mm宽度可选)8''法兰接口可烘烤至180oC,(200oC可选)样品可以两种方向加工UHV环境兼容Cassette装取

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美国SVT MBE分子束外延设备/MBE

美国SVT MBE分子束外延设备/MBE

  • 品牌:
  • 型号: SVT-35等
  • 产地:美国
  • 美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商,具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室,可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI  或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物,SiGe4’’SM-6Si,Ge,金属4’’或6’’S-8Si,Ge,介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室,III-V或II-VI 或其他化合物半导体,铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V,II-VI,II-氧化物,III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计,主要包括装载室模块,预备或分析室模块,主生长室模块。可配10个源,线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离,互不影响。Model 35-6 AlGaAs(或其他半导体材料)研究和生产型设备,样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度< 1×10-10Torr。可配普通束流源,裂解源,RF源,电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4''衬底MBE平台,用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度< 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度< 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括:26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度< 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源,或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术,并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

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SVT工艺监控仪 AccuFlux

SVT工艺监控仪 AccuFlux

  • 品牌:
  • 型号: AccuFlux
  • 产地:美国
  • AccuFlux 工艺监控仪是非侵入式在线束流监控仪并配有原子吸收谱仪。利用各元素特定的照射灯,AccuFlux 还可测量固态源及气态源的气相束流密度。此监控仪可同时监控4种材料。独特的光学和电子设计,使速率精度<0.002nm/s。AccuFlux 具有自参考和自对准功能,即使仪器出现移位也不会影响监测。 AccuFlux 工艺监控仪可用在MBE及MOCVD上测量绝大多数材料。远程控制装置做为可选部件,是生产型应用的理想选择。此装置可提供挡板及源控制的信息实时反馈。不论生长设备上源(cell)的结构设计是线型还是共焦型,AccuFlux都可以使用。每种材料具有独特的光源,因此该监控仪可在过压环境下使用,例如GaAs,CIGS及氧化物的生长。●创新的光学设计,能够检测速率最低为0.002nm/s●针对各元素的高强度灯源●可对固态及气态源进行束流监控●远程控制可选,能够实现闭环控制●可以同时监控4种材料

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美国SVT RF等离子源/射频等离子源

美国SVT RF等离子源/射频等离子源

  • 品牌:
  • 型号: 2.75"/4.5"/6.0''
  • 产地:美国
  • 美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括: 2.75''、4.5''、6''。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子,有助于生长高质量的薄膜,也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制,以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项,能够实现自动操作,允许用户保存数据,编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN,氧化铝,石英

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SVT RHEED及图像获取系统

SVT RHEED及图像获取系统

  • 品牌:
  • 型号: RHEED
  • 产地:美国
  • 反射高能电子衍射仪是MBE制程的一部分。在薄膜沉积过程中,RHEED给客户提供了重要的信息。 首先,RHEED图像表征样品表面的状态。 其次,其强度震荡可以提供生长速率的量化数据。 RHEED提供了清晰的焦点,以及衍射图样,并能够在屏幕上高亮度显示。 电子光学部件有磁性保护罩,便于提高操作性。 可选部件:RHEED图像分析硬件和软件系统,可以实时获取RHEED图样,使用户便于观察和控制薄膜生长质量。完整的RHEED系统包括 10KeV RHEED电子束源,电源及配套光缆。技术参数:束流电压10KV灯丝电流3A发射电流5A光斑大小1.0mm (17’’/1075px距离) 最大烘烤温度230 oCRHEED Electron Source2.75"和4" 法兰RHEED Power SupplyRHEED Image Analysis Software高分辨CCD 或相机实时分析2D/3D分析RHEED Optional Components主要特点:实时检测外延生长测量薄膜生长速率单晶薄膜的生中速率测量光学部件带有磁性罩

分子束外延系统招标信息

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