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气相沉积系统

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气相沉积系统

气相沉积系统概述

气相沉积系统是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。气相沉积系统是传统的制备薄膜的技术,其原理是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应,使得气态前驱体中的某些成分分解,而在基体上形成薄膜。气相沉积系统包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。
德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备

德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备

品牌:Diener
型号:TETRA240
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河南诺巴迪 等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80IT

河南诺巴迪 等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80IT

品牌:河南诺巴迪
型号:NBD-PECVD1200-80IT
270136,河南诺巴迪 等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80IT,10782,NBD-PECVD1200-80IT,57,,http://yiqi-oss.oss-cn-hangzhou.aliyuncs.com/aliyun/5045/Company/Goods/20181008-1280864979.jpg,河南诺巴迪,Array,
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气相沉积系统解决方案

气相沉积系统产品列表
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等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80ITDZY

等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80ITDZY

  • 品牌: 河南诺巴迪
  • 型号: NBD-PECVD1200-80ITDZY
  • 产地:郑州
  • 该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,全面控制真空系统,采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件,以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。 

河南诺巴迪 等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80IT

河南诺巴迪 等离子气相沉积系统NBD-PECVD1200-80IT

  • 品牌: 河南诺巴迪
  • 型号: NBD-PECVD1200-80IT
  • 产地:郑州
  • 该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,控制真空系统,采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件,以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。 

上海微行PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

上海微行PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

  • 品牌: 上海微行
  • 型号: PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
  • 产地:苏州
  • 价格有优势,而且服务效率,质量上面好而且有保证。

微波等离子化学气相沉积系统

微波等离子化学气相沉积系统

  • 品牌: 德国iplas
  • 型号: CYRANNUS
  • 产地:德国
  • 微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD 宝石级大尺寸单晶金刚石制备系统 微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是世界公认的制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司专利的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限,可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团,最大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化,从而确保单晶生长的持续性,为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。 iplas CYRANNUS系列产品特点: 1. CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电极,在沉积腔内,没有工作气体以外的任何物质,洁净,无污染源。等离子发生器可以保持长寿命,并可以确保腔内的等离子体的均匀分布,进一步生成晶体的纯净度和生长周期。 2. CYRANNUS技术的腔外多电极设置,确保等离子团稳定生成于腔内中心位置,对腔壁、窗口等无侵蚀作用,减少杂质来源,提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石,纯度均在VVS级别以上。 3. 电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高,运载气体保持合适的温度,因此可使基底的温度不会过高。 4. 微波发生器稳定易控,能在从10mbar到室压的高压强环境下维持等离子体,在气流、气压、气体成分、电压出现波动时,确保等离子体状态的稳定,保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断,有利于获得大尺寸单晶金刚石。 5. 可以采用磁约束的方法,约束在等离子团在约定的空间内,微波结和磁路可以兼容。 6. 安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离,微波泄漏小,容易达到辐射安全标准。 7. 可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体,满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。最大可以对300mm直径的衬底沉积金刚石薄膜。 化学机理概要: 碳氢化合物:提供沉积材料 氢气:生成sp3键 氧:对石墨相/sp2键侵蚀 惰性气体:缓冲气体,或生成纳米晶体。适用合成材料: 大尺寸宝石级单晶钻石 高取向度金刚石晶体 纳米结晶金刚石 碳纳米管/类金刚石碳(DLC) 金刚石薄膜 宝石级钻石 vvs1,~1 carrat, E grade 多种等离子发生器选择: 频率:2.45GHz, 915MHz: 功率:1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW,5-30kW 等离子团直径:70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范围:0-1000mBar 其他应用: MPCVD同样适用于平面基体,或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3,c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累,可以为用户提供高度定制的设备,满足用户不同的应用需要。

德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备

德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备

  • 品牌: 德国Diener
  • 型号: TETRA240
  • 产地:德国
  • 该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。主要技术参数:PC控制软件RF发生器 0~3000W 脉冲模式腔体防腐处理,400*400*1500mm,240L腔体加热80℃带观察窗多路工艺气体通道,MFC控制 防腐处理HMDSO单体通道易燃易爆气体安全阀Gas Shower气浴电极设备外尺寸2000*600*1700mm进口真空泵组电压 3项400V

减压化学气相沉积(RPCVD)

减压化学气相沉积(RPCVD)

  • 品牌: 瑞典Epiluvac
  • 型号: SEPIR 1500
  • 产地:瑞典
  • 减压化学气相沉积(RPCVD)SEPIR 1500第四族合金(锗锡硅碳)是用于研发硅光电子产品的 重要材料。这些合金有可能被用于高迁移率金氧半场效晶体管(MOSFET),或者用作从间接带隙跃迁到直接带隙的合金,用于光电子应用领域。实际上,一种 硅单片解决方案受到了很大的关注。这种解决方案可以把互补金氧半导体(CMOS)和光电子元件集成到一个芯片上。Epiluvac提供了一种独特的方法,用于在较宽的温度范围内培育单晶锗锡硅碳合金的生长,包括选择性和非选择性两种生长。通过采用先进的应变工程方法,我们有能力培育(双轴或单轴)拉伸应变和压缩应变层以及无应变锗锡硅碳层。Sepir 1500是一种减压化学气相沉积(RPCVD)反应器,在20托的低压下运行,采用Si3H8(Si2H6或SiH4)、Ge2H6(或GeH4)、SnCl4和SiH3CH3作为硅、锗、锡和碳的前体。通过采用B2H6和PH3前体,可以获得较宽范围的外延层p型和n型掺杂量。为了帮助客户顺利使用新反应器,Epiluvac可以提供全面多样的支持,包括标准方法、进一步的过程开发和材料生长表征。马上联系我们:021-37018108,info@boyuesh.com

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

  • 品牌: 韩国ECOPIA
  • 型号: LC-100, LC-102
  • 产地:韩国
  • 低压化学气相沉积设备(LPCVD)产地:韩国Ecopia;有单管和双管两个不同的型号,用于科研或者小规模生产。性能和特点: - 温度范围:500 ~ 1000摄氏度;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空范围:~ 10-6 Torr;典型应用:- 无应力氮化硅;- LPCVD;- 退火;- 氧化;- 其他...

快速热化学气相沉积系统(RTCVD)

快速热化学气相沉积系统(RTCVD)

  • 品牌: 韩国ECOPIA
  • 型号: RTCVD
  • 产地:韩国
  • 快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商:韩国EcopiaRTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。性能和特点:- 温度范围:室温 ~ 1500°C;- 升温速度:200°C/s;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空度:~10-6Torr;

气相沉积系统招标信息

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