离子束刻蚀系统优点

离子束刻蚀系统是一种用于物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2005年10月1日启用。

离子束刻蚀系统优点

离子束刻蚀包括定向性和普适性这两个较为重要的优点。

离子束刻蚀系统的普适性

离子束刻蚀系统能够用来对包括很多化合物和合金材料等各种不同类型的材料进行刻蚀，就算适当的挥发性刻蚀生成物它们没有。靶的刻蚀速率因为材料差异所造成的变化通过不会超过三倍。所以离子束刻蚀系统在制作YBaCuO、InAlGaAs以及其他三元化合物和四元化合物的材料体系中得到了非常广泛的应用。

离子束刻蚀系统的定向性

刻蚀的定向性是因为离子束中的离子是利用一个强垂直电场来加速的，反应室中有非常低的压力，所以原子间的碰撞几乎完全不可能，结果，当原子往晶圆片表面撞击时，其速度和完全垂直相近。由于其不关联化学特性，所以对任何材料均能够做各向异性刻蚀。

离子束刻蚀系统设备参数：

1、系统极限真空度不超过1e-4帕，腔体真空度为5e-4帕，离子束工作真空度大约为5e-4帕，到达本底真空时间不超过半小时。

2、由阴极、阳极、屏栅、加速栅、中和及耦合各个模块共同组成全自动组合离子源电源。

3、离子源离子束直径为11厘米，zui大束流为350毫安，束流能量为50-1500电子伏特。Ar工作气体，热解石墨双栅极配置，等离子桥中和器进行束流中和。

4、样品台水冷并且能够使得旋转和倾斜实现，样品zui大尺寸为φ100毫米，工艺过程中表面温度要比100摄氏度低，旋转0-9rpm，倾斜角0-90摄氏度，刻蚀距离：150-160纳米。