磁控溅射仪使用应注意事项

磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器，于2015年05月25日启用。

磁控溅射为物理气相沉积的一种。金属、半导体、绝缘体等多材料的制备通常会采用一般的溅射法，其的特点为有着较为简单的设备，控制起来不困难，有着较大的镀膜面积以及有着较强的附着力等。在上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是使高速、低温、低损伤得以实现。由于高速溅射是在低气压下进行，必须要使气体的离化率得到有效地提高。磁控溅射利用将磁场往靶阴极表面引入，通过磁场约束带电粒子来使得等离子体密度提高进而使得溅射率增加。

磁控溅射仪使用应注意事项

1、将机械泵打开抽大气时，应当缓慢打旁抽阀。

2、如果发生突然停电的状况，那么需要复位所有电源，在5到7分钟以后，才可以对分子泵重新启动。

3、在将偏压施加给样品时，应当拔起定位锁，必须在靶挡板上方放置机械手。

4、系统通过大气抽到低真空的过程中和镀膜过程中不要将烘烤灯和照明灯打开。

5、在将样品和靶材取出或者对其进行更换时，真空室的清洁尤为值得注意，与此同时，需要对屏蔽罩与靶材之间的距离比1毫米大比3毫米小加以保证。

6、当磁控靶、分子泵工作时，必须要通水进行冷却。

7、当磁控溅射室在大气暴露以前必须要将闸板阀关紧，从而避免对分子泵造成损坏，与此同时必须要将气路截止阀关紧，从而防止气路受到污染。

8、在结束了室体内溅射以后，能够随炉冷却样品，在真空室内温度不高于60摄氏度才可以在大气中暴露。

9、在对屏蔽罩进行升降时，一定要在靶挡板的下方位置放置靶挡板。

10、插板阀一端是大气,一端是真空的条件下将闸板阀打开要禁止。