ULVAC-PHI携最新表面分析技术亮相第35届中国化学会学术年会

PHI GENESIS 

X射线光电子能谱仪（X-Ray Photoelectron Spectroscopy）利用扫描聚焦X射线入射固体样品表面并采集从样品表面出射的光电子，从而提供样品表面从微区（≤5 μm）到大面积（毫米级）的元素成分和化学态信息。此外，GENESIS还可搭载多种功能配件，包括硬X射线源（HAXPES，PHI GENESIS 900）、双阳极、紫外光电子能谱（UPS）、低能量反光电子能谱（LEIPS）、扫描俄歇（SAM）、反射式电子能量损失谱（REELS）、气体团簇离子源（GCIB）等，不仅可以获取样品组分和化学态信息，还能对其完整的电子能带结构进行表征。

小贴士：硬X射线光电子能谱（HAXPES）采用更高能量的硬X射线（5-10 KeV）作为激发源，所激发产生的光电子具有更大的非弹性平均自由程，因此HAXPES可以将XPS的探测深度扩展到几十纳米。

PHI 710

俄歇电子能谱仪（Auger Electron Spectroscopy）采用电子源入射样品的表面激发出二次电子（用于形貌观察）以及俄歇电子（用于成分分析），主要用于分析固体材料表面纳米深度的元素（部分化学态）成分组成，可以对纳米级形貌进行观察和成分表征。AES的分析深度为4-50 ?，二次电子成像的空间分辨可达3 nm，成分分布像可达8 nm，可分析材料表面元素组成（Li ~ U），是真正的纳米级表面成分分析设备。

PHI nanoToF3+

飞行时间二次离子质谱（Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）采用一次脉冲离子入射材料表面，通过飞行时间质量分析器测试表面被激发出的二次离子，来表征样品表面的元素成分和分子结构信息。TOF-SIMS具有超高表面灵敏度（~ 1 nm）和检测灵敏度（ppm-ppb级），以及极佳的质量分辨率和空间分辨率，可以检测包括H在内的所有元素和同位素，还可以提供表面、薄膜、界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息。

PHI ADEPT1010

动态二次离子质谱（D-SIMS）通过检测离子源（一次离子）轰击样品表面所产生的离子碎片（二次离子），获知样品表面的元素及分子组分信息。当一次离子束注入剂量大于10¹²~10¹³ atoms/cm²时，样品表面会有>1%的区域被破坏，因此将这个剂量作为SIMS分析的“静态”与“动态”界限。D-SIMS有着极高的检测灵敏度（ppt-ppb）与深度分辨率（1-2 nm），且溅射与采谱同时进行，深度剖析效率高，在半导体行业中常用于痕量元素检测和膜层结构分析等应用场景。