美国 KRI 射频离子源 RFICP 40

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于集成在小型的真空腔体内.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:

1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.

3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束

4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用

6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE

KRI 射频离子源相关应用案例:

1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE

2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜

3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)

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