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CMP后晶圆清洗机

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详细介绍

产品简介:

     SWC-4000型CMP后晶圆清洗机是美国NANO MASTER公司开发的一款科研级的高端清洗系统,用于去除晶圆在CMP工艺后晶圆表面污染物、残留物、或微尘颗粒等。该系统集成了美国NANO MASTER公司无损DI水兆声清洗技术,配合四路的化学试剂清洗,PVA刷洗以及带异丙醇的高速甩干等清洗模块,对于单片清洗而言具有优秀的基底清洗能力,是科研CMP后清洗机的优选仪器。

技术特色: 

- 兼容4,6,8,12寸片晶圆,同时可用于最大7”X 7”掩膜版清洗。
- 干进干出或湿进干出。
- 集成了无损兆声清洗技术,同时支持去离子水冲洗、化学试剂清洗、PVA刷子刷洗、红外灯烘干/氮气吹扫甩干清洗模块。
-  配置4路化学容器罐,可支持4路化学清洗液进行清洗。
- 两种干燥模式:高速甩干与红外烘干,可同时使用。
- 用户可编程的清洗干燥工序,比如:
     Cycle I:化学试剂清洗
     Cycle II:去离子水冲洗
     Cycle III:刷子刷洗
     Cycle IV:兆声去离子水清洗
     Cycle V:旋转甩干,氮气吹扫及红外灯烘干
  每一套程序可以支持 20 个操作步骤。
- 可以存储多达 25 套产品程序。
- 结构紧凑,集成度高:把所有的清洗需要集成到一个紧凑的立柜中 ,旋转清洗单元、兆声脉冲射流清洗器、试剂容器以及所有的阀及传感器都全部包含到该系统。
- 带触摸屏的PLC控制。

主要技术参数:

Wafer尺寸

4,6,8,12寸片晶圆,可用于最大7”X 7”掩膜版清洗

清洗模块

去离子水冲洗、PVA刷子刷洗、化学试剂清洗、兆声清洗

去离子水

1.5L/min,30PSI

PVA刷

刷子旋转转速:最大400RPM

化学试剂清洗

4个4升容器罐用于装稀释的化学清洗液,通过N2施压控制流量与容器罐装卸。

兆声清洗

频率:1MHz功率:60W

干燥方式

旋转甩干、氮气吹扫、红外灯烘干

存储recipe

最多25个,每1个recipe可以支持 20 个清洗步骤,而在每一个步骤中可以设定以下参数: RPM 转速 (维持的转速 、 RAMP加速梯度(多快时间达到那个速度) 、 Dwell 运行时间 (维持想要的速度的时间有多长)。

旋转台

转速:0-2000RPM

加速度/减速度:<1-25.5秒(以0.1秒为增量)

每步骤旋转维持时间

最大到550秒(以0.1秒为增量)

每步骤(维持旋转)的试剂分布时间

1-540秒(以1秒为增量)

每步骤(变速阶段)的试剂分布时间

1-25秒(以1秒为增量)

化学试剂分配速率

@15 PSI of N2, 83 c cm (based on D.I. H2O)

@20 PSI of N2, 1 33 ccm (based on D.I. H 2 O)

控制器

PLC控制系统,LCD触控屏控制

仪器尺寸

28”*32”*54”


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