※ 主要应用于微电子、光电子、攻率器件、声表器件、射频 器件、先进封装（TSV）、MEMS、光学、材料研究等应 用中金属介质薄膜的沉积。 

※ 多靶直流/射频磁控溅射。

※ 共焦溅射或垂直溅射可选。 

※ 上溅射或下溅射可选。 

※ 旋转工件台，可升级为射频偏压工件台。 

※ 最 大可处理直径12英寸工件盘。 

※ 选配工件台大角度倾斜功能。 

※ 选配离轴磁控溅射靶枪。 

※ 选配离子束刻蚀功能。