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仪器网>产品中心> 上海迹亚国际商贸有限公司 >材料与纳米科学>材料处理>YES-HMDS真空固化/蒸汽灌注系统

YES-HMDS真空固化/蒸汽灌注系统

面议 (具体成交价以合同协议为准)
美国YES YES TA Series 美洲 美国 2026-01-05 11:13:24
售全国 入驻:7年 等级:银牌 营业执照已审核
同款产品:材料处理(11件)
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产品特点:

YES-TA系列双功能HMDS原色和图像反转烤箱将先进的气相沉积技术带入研究实验室或学术环境。获得稳定的过程结果,同时ZDCD地减少成本高昂的有毒化学药品的使用。

产品详情:

产品概述

YES TA系列真空固化/蒸气底漆系统使用六甲基二硅氮烷(HMDS)提供快速,均匀,经济的底漆,以改善光刻胶的附着力。 这些多功能系统还支持图像反转,以与正性抗蚀剂相同的分辨率和易用性形成负性图像。
有效的光致抗蚀剂附着力构成所有后续处理步骤的基础,并且只有完全上底漆的表面才能准确地复制亚微米CD,而不会出现底切或边缘不整齐的情况。 TA系统的真空固化可彻底使基材脱水,从而使HMDS层具有出色的粘合力,即使暴露在大气中数周后仍保持稳定。

真空固化/蒸汽灌注与湿灌注:
•化学沉积的均匀性
•接触角在±3度以内
•防潮表面改性
•流程步骤之间的可用时间增加
•增强的光刻胶附着力
•与湿底漆相比,化学消耗量和化学成本更低
除了硅晶片处理之外,TA系列还可以用于砷化镓,铌酸锂和其他奇特材料的低温HMDS底涂。
TA系列的优点:
•N 2预热可防止箱体冷却。
•过滤机制减少了颗粒物的引入。
•电涌YZ系统可在盒带装入期间限制湍流。
•先进的控制系统提供用户可选的温度,处理时间和腔室尺寸。
•在引入HMDS之前,为了安全起见,四个真空循环清除了O 2。

技术参数

58TA 规格

硬件
洁净室兼容性:10级
晶圆尺寸:最大300mm
容量:12个100mm晶圆盒-8个125mm或150mm晶圆盒-2个200mm晶圆盒-1个300mm晶圆盒。图像反转过程通常将纸盒容量降低½。
批处理吞吐量:2次/小时真空烘烤/蒸汽灌注— 1次/小时图像反转
温度:环境温度180°C
内部腔室尺寸:40.64 CM(宽)X 45.72 CM(D)X 40.64 CM(H)—(16” x 18” x 16”)
系统整体尺寸:73.5厘米(宽)x 62.56厘米(深)x 88.27厘米(高)—(28.94“ x 24.63” x 34.75“)
箱体材质:316L不锈钢,铝门板
工艺气体输入:1 N2排气,1氨气,1个蒸气瓶
清洁度:每150 mm晶片<5 x 1微米颗粒
耗氮量:每个过程16 SCF
软件
配方数:8个工艺配方
曝光时间范围:0-999999秒
定时器设定分辨率:1秒
性能
温度均匀度:稳定后±5°C
配件
电源要求:188-253VAC,50 / 60Hz,10 amps

310TA 规格

硬件
洁净室相容性:Class 10
晶圆尺寸:最大200mm
容量:8个100mm晶片盒– 2个125mm晶片盒– 2个150mm晶片盒– 1个200mm晶片盒。图像反转过程通常将其 容量减少½。
批处理吞吐量:2次/小时真空烘烤/蒸汽灌注— 1次/小时图像反转
温度:环境温度160°C
内部腔室尺寸:30.48厘米(宽)x 33.66厘米(深)x 30.48厘米(高)—(12“ x 13.25” x 12“)
系统整体尺寸:63.195厘米(宽)x 50.17厘米(深)x 77.29厘米(高)—(24.88“ x 19.75” x 30.43“)
箱体材质:316L不锈钢,铝门板
工艺气体输入:1 N2排气,1氨气,1个蒸气瓶
清洁度:每150 mm晶片<5 x 1微米颗粒
氮消耗量:每个过程7 SCF
软件
配方数:8个工艺配方
曝光时间范围:0-999999秒
定时器设置分辨率:1秒
性能
温度均匀度:稳定后±5°C
配件
电源要求:188-253VAC,50 / 60Hz,10 amps


  • 热点应用
  • 电子/电气/通讯/半导体
  • 科研教学

应用方案

  • e=mc3 铜退火工艺和设备综述
    在任何稳健的微电路制造环境中,必须快速决定工艺和设备,但通常速度太快,无法正确分析影响决策的所有因素。 铜退火区域就是这样的工艺和设备之一。 本文试图涵盖决定购买铜退火炉的工艺、物理和经济参数。
    2024-11-18

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