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Heller - 回流焊系统/垂直式固化炉
品牌:美国Heller INDUSTRIES
型号:Model 755
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瞬变专用电磁脉冲源
品牌:武汉普赛斯
型号:HCPL100型
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霍尔电流传感器测试平台
品牌:武汉普赛斯
型号:CTMS
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卓立汉光 SPM300系列半导体参数测试仪
品牌:北京卓立汉光
型号:SPM300
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VCSEL器件窄脉冲LIV测试系统
品牌:武汉普赛斯
型号:PL202
- 产品品牌
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半导体参数分析仪
- 品牌:北京博达微
- 型号: FS-Pro
- 产地:香港
产品简介:FS-Pro系列是业界的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统,单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力,内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整,性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能,实现
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8000V/6000A功率器件测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对8000V/6000A功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们
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卓立汉光 少子寿命成像测试仪SPM900系列
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM900
- 产地:通州区
当在显微镜上加载少子寿命测试模块,就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息,这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计,包含显微镜主体,激光光源,光子计数检测器,单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发,通过控制样品台的移动,可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。
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卓立汉光 SPM600系列半导体参数分析仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM600
- 产地:通州区
SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面,提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑,实现百微米级探测器的绝 对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源,例如超连续白光激光器,皮秒脉冲激光器,半导体激光器,卤素灯,氙灯等,满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。
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卓立汉光 SPM300系列半导体参数测试仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM300
- 产地:通州区
基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。
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TEK Keithley半导体参数分析仪 4200A-SCS
- 品牌:美国泰克
- 型号: 4200A-SCS
- 产地:美国
美国泰克TEK Keithley半导体参数分析仪 4200A-SCS ,加快半导体设备、材料和工艺开发的探索、可靠性和故障分析研究。
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泰克半导体参数分析仪 Keithley 4200A-SCS
- 品牌:美国泰克
- 型号: Keithley 4200A-SCS
- 产地:美国
· 内置测量视频采用英语、中文、日语和韩语 · 使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试 · 自动实时参数提取、数据绘图、算数函数
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塞贝克系数/电阻测量系统ZEM
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: ZEM-3
- 产地:日本
♦ 拥有温度精确控制的红外金面加热炉和控制温差的微型加热器; ♦ 测量是由计算机控制的,并且能够在指定的温度下执行测量,并允许自动测量消除背底电动势;
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激光单粒子效应SEE测试仪
- 品牌:美国Allied Scientific
- 型号: SEE
- 产地:美国
单粒子效应对应用于航天以及核工业的芯片往往造成极大危害,相对于传统的粒子加速器而言,利用脉冲激光进行检测可以极大地提GX率,降低成本。以下型号型号激光SEE测试仪已经被应用于美国波音公司和NASA。
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自动特性图示仪
- 品牌:美国RTI
- 型号: MT Century Curve Trace
- 产地:美国
产品简介什么是Curve Tracing?"Curve tracing" 曲线追踪是用于寻找IC芯片中被电损坏的引脚的方法。MultiTrace产品提供了广泛的一系列解决方案,从使用powered curve tracing测试小型芯片的开路/短路到使用Latch Up testing测试与更为复杂的多电路的芯片。RTI's MT Century Curve Tracer RTI 开发的MT Century Curve Tracer是一个性价比
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Heller - 回流焊系统/垂直式固化炉
- 品牌:美国Heller INDUSTRIES
- 型号: Model 755
- 产地:美国
美国Heller Industries回流焊炉/垂直式固化炉Heller Industries 成立于一九六零年,并在八十年代首chuang对流式回流焊接设备。 多年来,Heller和其客户携手并进,致力于设备的创新和完善,以迎合更先进的制程需求。 立足创新与变革,Heller稳居全球回流焊领域的地位,为全球的电子制造商和装配厂提供各种解决方案。Mark III 系列 - SMT 回流焊炉 Mark III 系列回流焊炉的出现,带来更低的使用成本。Heller回流焊炉在加热和冷却方面的发展,可以为您节省高
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纳米薄膜热导率测试系统-TCN-2ω
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: TCN-2ω
- 产地:日本
日本Advance Riko公司推出的纳米薄膜热导率测试系统-TCN-2ω是使用2ω方法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用系统。与其他方法相比,样品制备和测量极为简单。
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OPTM 半导体膜厚测试仪
- 品牌:日本大塚
- 型号: optm
- 产地:日本
测量目标膜的JD反射率,实现高精度膜厚和光学常数测试! (分光干渉法)
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YAMATO半导体热阻测试仪TE100
- 品牌:日本雅马拓
- 型号: TE100
- 产地:日本
由于功率器件长期暴露在高温状态下,会导致效率低下和可靠性问题,所以提高其散热性、可靠性是非常必要的,而“基板”是影响功率半导体散热的重要部件。 TE100是用于功率半导体陶瓷基板热阻测试的系统,本系统简化了功率半导体陶瓷基板的热阻测试流程。 功率半导体基板和材料的热特性(热阻)评估采用符合ISO4825-1:2023的方法进行测量功率半导体安装基板热特性评估和分析设备(TE100)。
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半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统
- 品牌:上海昊量
- 型号: RTM2
- 产地:徐汇区
昊量光电半导体参数分析仪RTM,霍尔同步源测,集成锁相放大器低噪声测量nΩ级别电阻
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HAMAMATSU 日本滨松EMMI/OBIRCH微光显微镜PHEMOS系列
- 品牌:日本滨松
- 型号: PHEMOS-1000 / PHEMOS-X
- 产地:日本
PHEMOS-1000 是一款高分辨率微光显微镜,它能通过探测半导体器件缺陷导致发射的微弱光和热来定位失效位置。由于 PHEMOS-1000 可与通用探测仪结合使用,因此您可以使用您已经熟悉的样品设置来执行各种分析任务。安装可选的激光扫描系统可以采集高分辨率图案图像。不同类型的探测器可用于各种分析技术,例如发射分析、热分析和 IR-OBIRCH 分析。
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半导体参数分析仪
- 品牌:北京博达微
- 型号: FS-Pro
- 产地:香港
产品简介:FS-Pro系列是业界的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统,单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力,内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整,性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能,实现
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SPM600系列半导体参数分析仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM600
- 产地:通州区
SPM600系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。系统集成高精度光谱扫描、光电流扫描以及光响应速率测试。40um探测光斑,实现百微米级探测器的JD光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,是半导体微纳器件研究的优选。
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SPM300系列半导体参数测试仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM300系列
- 产地:通州区
基于拉曼光谱半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异 性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。 设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、 晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。
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美国泰克Tektronix371A TEK371A图示仪
- 品牌:美国泰克
- 型号: 371A
- 产地:美国
371A是高功率曲线跟踪仪的行业领导者,用于测试各种功率半导体。它执行晶闸管,SCR和功率MOSFET的直流参数表征。
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激光闪光法热常数测量系统-TC-1200RH
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: TC-1200RH
- 产地:日本
激光闪光法热常数测量系统(型号:TC-1200RH)使用红外金面炉替代传统电阻炉加热,大大缩短测量时间。可应用于热电材料的研究与开发,及其他材料的热物理性能评价。
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半导体参数分析仪 ,对标Keithley 4200A-SCS
- 品牌:上海屹持光电
- 型号: RTM 2
- 产地:闵行区
取代了所有用于电性特性测量的标准设备(例如锁相放大器、源/测量单元、数字万用表)。 通过集成的矩阵开关克服了固定4点测量的局限性。 提供van-der-Pauw和电阻张量测量的预设,并允许用户进行完全配置。 不需要复杂的样品制备(例如光刻结构)。 允许轻松连接到许多不同的测量设置(例如探针站、低温系统、真空系统)。 节省测量时间并提高样品通过量。
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网络分析仪
- 品牌:上海波铭
- 型号: PNA系列、ENA、PXI VNA、USB精简系列
- 产地:浦东新区
全 球超过 70% 的工程师团队选择了是德科技分析仪,因为我们可以帮助您:· 使用 PNA-X/PNA/PNA-L 可以获得卓 越的功能和性能(频率高达 120 GHz,通过频率扩展器可以进一步扩展到 1.5 THz)· ENA(高达 20 GHz)能够帮助您降低测试成本· FieldFox 手持式分析仪(高达 50 GHz)让精确测量与您如影随形· PXI VNA(高达 26.5 GHz,32 个端口)让您需要的测试空间比以前减小 66%·&n
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WEP PN深度测试仪/扩散浓度ECV)
- 品牌:德国WEP
- 型号: CVP21
- 产地:德国
ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪 德国WEP公司的ECV(型号为CVP21)在太阳能光伏行业的应用非常普及,市场占有率甚至达95%以上,是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一,知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备:CVP21(见图) 1. ECV又名扩散浓度测试仪,结深测试仪等,即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布(见图); 2. 相比其他方法如SRP,SIMS等,ECV具有测量使用方便,价格低的优点;WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片,这也
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美国Mactronix硅片倒片机(半导体FAB专用)
- 品牌:美国Mactronix
- 型号: MCL-x50
- 产地:美国
仪器简介: Mactronix公司世界较大的wafer transfer(倒片机)生产产家,他生产的倒片机,分选机,广泛被大的半导体厂家所使用,特别是欧美地区的大FAB里处处都有使用,国内的FAB里从国外进来的生产线上也有很多,使用十几年以上非常普遍,目前国内通过美国赛伦科技公司(北京上海都有办事处)全权负责销售与售后服务。使用客户有,如:台积电,中芯,康可电子等等FAB里都有购买使用。 具体资料请来电或邮件索取。
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美国MTI 测量硅片几何参数(TTV/BOW/WARP/FLATNESS)
- 品牌:美国MTI Instruments
- 型号: MTI 200SA/300/300SA
- 产地:美国
公司简介: 美国MTI公司为半导体行业硅片几何参数测量技术-电容探头领域的佼佼者,与昔日的ADE齐名:为世界半导体业硅片几何参数测量的标准测试设备;为纳斯达克上市企业。仪器简介: 主要参数: 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterne
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FSM128非接触薄膜应力测试
- 品牌:美国FSM
- 型号: FSM128/FSM413/FSM127
- 产地:美国
美国FSM应力仪-----应力测试专家,为行业应力仪!Semi-Auto(半自动) Fully-Auto(全自动)* 自动切换的双光路波长:650纳米和780纳米* 测量方式:直径方向的扫描,可提供形貌图* 扫描范围:对于200mm的硅晶圆为194mm* 3-D形貌图:测量台有旋转功能,可通过控制软件中的参数输入来旋转测量台,以完成形貌图的测量(至少需要测量6个方向的扫描)* 测量的硅晶圆尺寸: 200mm* 应力测量的范围:1X107 dynes/cm2 至 4X1010 dynes/cm2(对于典型
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Sinton Instruments+BCT400+少子寿命测试仪
- 品牌:美国Sinton Instruments
- 型号: BCT400
- 产地:美国
少子寿命测量仪BCT-400BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅(锭或块)的少子寿命.因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数,这个工具直接获得长硅的质量参数。作为最易于使用的测量工具--BLS,只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话,请选择BCT-400。
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8000V/6000A功率器件测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对8000V/6000A功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们
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材料特性分析半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型材料特性分析半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
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半导体芯片测试设备高精度数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;半导体芯片测试设备高精度数字源表认准普赛斯仪表
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SiC器件参数测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。SiC器件参数测试仪认准普赛斯仪表咨询碳化硅(SiC)之所以被电动车大量采用,因具有“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特
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功率半导体测试设备龙头
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯功率半导体测试设备龙头,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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晶体管iv特性图示仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA-6100
- 产地:武汉
SPA-6100晶体管iv特性图示仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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SiC功率器件测试机
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
武汉普赛斯仪表推出的SiC功率器件测试机集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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有机场效应晶体管iv+cv测试仪半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量,有机场效应晶体管iv+cv测试仪半导体参数分析仪认准普赛斯仪表
- 半导体参数测试仪
- 仪器网导购专场为您提供半导体参数测试仪功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选半导体参数测试仪的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。