国仪量子电镜在 3D NAND 存储孔道垂直度测量的应用报告

2025-03-24 15:14:20 51阅读次数

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国仪量子电镜在 3D NAND 存储孔道垂直度测量的应用报告

一、背景介绍

在当今数字化信息爆炸的时代，数据存储需求呈指数级增长。3D NAND 存储技术凭借其高存储密度、低能耗以及良好的读写性能，成为满足海量数据存储需求的关键技术，广泛应用于固态硬盘（SSD）、手机存储以及企业级数据中心等领域。

在 3D NAND 存储芯片的制造过程中，孔道是实现存储单元连接和信号传输的重要结构。孔道的垂直度对存储芯片的性能起着决定性作用。理想的垂直孔道能够确保存储单元之间的精zhun连接，减少信号传输的偏差和干扰，提高数据读写的准确性和速度。若孔道垂直度出现偏差，会导致存储单元连接错位，增加信号传输路径的长度和复杂性，引发信号衰减、串扰等问题，降低存储芯片的可靠性和存储密度。孔道垂直度受光刻、刻蚀等多种制造工艺参数的综合影响，如光刻曝光剂量的均匀性、刻蚀气体的流量和压力等。因此，精zhun测量 3D NAND 存储孔道的垂直度，对优化制造工艺、提高存储芯片质量、推动存储技术发展至关重要。

二、电镜应用能力

（一）微观结构成像

国仪量子 SEM3200 电镜具备高分辨率成像能力，能够清晰呈现 3D NAND 存储孔道的微观结构。可精确观察到孔道的形状，判断其是否为规则的圆柱形或存在变形；呈现孔道壁的表面特征，确定是否有粗糙、凹凸不平等情况。通过对微观结构的细致成像，为准确测量孔道垂直度提供清晰的图像基础。例如，清晰的孔道轮廓成像有助于确定测量垂直度的基准线。

（二）孔道垂直度测量

借助 SEM3200 配套的图像分析软件，能够对 3D NAND 存储孔道的垂直度进行精确测量。在图像上选取合适的测量点，通过软件算法计算孔道轴线与参考平面的夹角，从而得出孔道的垂直度偏差。对不同位置的多个孔道进行测量统计，分析孔道垂直度的一致性。例如，计算垂直度偏差的平均值、标准差等统计量，评估孔道垂直度的均匀性。精确的孔道垂直度测量为工艺优化提供量化数据支持，有助于判断制造工艺是否满足设计要求。

（三）垂直度与工艺参数关联研究

SEM3200 获取的孔道垂直度数据，结合实际 3D NAND 存储芯片制造工艺参数，能够辅助研究孔道垂直度与工艺参数之间的关联。通过对不同工艺条件下孔道垂直度的对比分析，确定哪些工艺参数的变化对孔道垂直度影响显著。例如，发现刻蚀时间的延长或缩短会导致孔道垂直度发生明显变化，为优化制造工艺参数提供依据，以实现对 3D NAND 存储孔道垂直度的精zhun控制。

三、产品推荐

国仪量子 SEM3200 钨灯丝扫描电镜是 3D NAND 存储孔道垂直度测量的理想设备。它具有良好的分辨率，能清晰捕捉到 3D NAND 存储孔道微观结构的细微特征和垂直度变化。操作界面人性化，配备自动功能，大大降低了操作难度，即使经验不足的研究人员也能快速上手，高效完成测量任务。设备性能稳定可靠，长时间连续工作仍能确保检测结果的准确性与重复性。凭借这些优势，SEM3200 为 3D NAND 存储芯片制造企业、科研机构提供了有力的技术支撑，助力优化制造工艺、提高存储芯片质量，推动存储技术的进步与发展。

标签：电子显微镜钨灯丝扫描电镜国产扫描电镜