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仪器网>产品中心> 光学仪器>电子光学仪器>扫描电镜/扫描电子显微镜>电子显微镜-国仪量子扫描电子显微镜SEM3200

电子显微镜-国仪量子扫描电子显微镜SEM3200

面议 (具体成交价以合同协议为准)
国仪量子 SEM3200 安徽 合肥 2025-12-19 03:26:36
售全国 入驻:10年 等级:金牌 营业执照已审核
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产品特点:

SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。

产品详情:

产品介绍:

SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。

大景深,成像富有立体感。丰富的扩展性,助您在显微成像的世界中尽情探索。

丰富的扩展性

SE\BSE\EDS\EBSD等

光学导航

可快速定位目标样品和感兴趣区域

*大图拼接

可实现全自动的采图和拼接,展示超大视野画面

图像混合成像(SE+BSE)

在一个图像中观察到样品的成分和表面信息

*双阳极结构

双阳极结构设计,提升了低电压下的分辨率和成像质量

*低真空模式

在低真空下提供样品表面细节和形貌,软件一键切换真空状态

(*为选配件)


产品特点

(*为选配件)

低电压

碳材料样品,低电压下,穿透深度较小,可以获取样品表面真实形貌,细节更丰富。


image.png


毛发样品,在低电压下,电子束辐照损伤减小,同时消除了荷电效应。


image.png


低真空

过滤纤维管材料,导电性差,在高真空下荷电明显,在低真空下,无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。


image.png


大视场

生物样品,采用大视场观察,能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节,展现跨尺度分析。


image.png


导航&防碰撞

光学导航

想看哪里点哪里,导航更轻松
标配仓内摄像头,可拍摄高清样品台照片,快速定位样品。


手势快捷导航

可通过双击移动、鼠标中键拖动、框选放大,进行快捷导航
如框选放大:在低倍导航下,获得样品的大视野情况,可快速框选您感兴趣的样品区域,提高工作效率。


防碰撞技术

采取多维度的防碰撞方案:
1. 手动输入样品高度,精 准控制样品与物镜下端距离,防止发生碰撞;
2. 基于图像识别和动态捕捉技术,运动过程中对仓内的画面进行实时监测;
3.*硬件防碰撞,可在碰撞一瞬间停止电机,减少碰撞损伤。


特色功能

智能辅助消像散

直观反映整个视野的像散程度,通过鼠标点击清晰处,可快速调节像散至最 佳。


image.png


自动聚焦

一键聚焦,快速成像。


image.png


自动消像散

一键消像散,提高工作效率。


image.png


自动亮度对比度

一键自动亮度对比度,调出灰度合适图像。


image.png


多种信息同时成像

SEM3200软件支持一键切换SE和BSE的混合成像。可同时观察到样品的形貌信息和成分信息。


image.png


快速图像旋转

拖动一条线,图像立刻“摆正角度”。


image.png


丰富拓展性

扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察,更可以进行样品表面的微区成分分析。
SEM3200接口丰富,除支持常规的二次电子探测器(ETD)、背散射电子探测器(BSED)、X射线能谱仪(EDS)外,也预留了诸多接口,如电子背散射衍射(EBSD)、阴极射线(CL)等探测器都可以在SEM3200上进行集成。


背散射电子探测器
二次电子成像和背散射电子成像对比

背散射电子成像模式下,荷电效应明显减弱,并且可以获得样品表面更多的成分信息。


镀层样品:

image.png


钨钢合金样品:


image.png


五分割半导体背散射探测器——多通道成像

探测器设计精巧,灵敏度高,采用5分割设计,无需倾斜样品,可获得不同方向的阴影像以及成分分布图像。


image.png

单通道阴影像                                                  成分像


能谱

LED小灯珠能谱面分析结果。 


image.png


电子背散射衍射

钨灯丝电镜束流大,完全满足高分辨EBSD的测试需求,能够对金属、陶瓷、矿物等多晶材料进行晶体取向标定以及晶粒度大小等分析。
该图为Ni金属标样的EBSD反极图,能够识别晶粒大小和取向,判断晶界和孪晶,对材料组织结构进行精确判断。


应用案例

image.png


产品参数

型号SEM3200ASEM3200
电子光学系统电子枪类型预对中型发叉式钨灯丝电子枪(灯丝电流3档可调,可显示灯丝更换时间)
分辨率高真空3 nm @ 30 kV(SE)
4 nm @ 30 kV(BSE)
8 nm @ 3 kV(SE)
*低真空3 nm @ 30 kV(SE)
放大倍率1-300,000x(底片倍率)
1-1000,000x(屏幕倍率)
加速电压0.2 kV~30 kV
探针电流≥1.2μA,可实时显示
成像系统探测器二次电子探测器(ETD)
*背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等
图像保存格式TIFF、JPG、BMP、PNG
真空系统真空模式高真空优于5×10-4 Pa
*低真空5~1000 Pa
控制方式全自动控制
样品室摄像头光学导航
样品仓内监控
样品台配置三轴自动*五轴自动
行程X: 120 mmX: 120 mm
Y: 115 mmY: 115 mm
Z: 50 mmZ: 50 mm
/R: 360°
/T: -10°~ +90°
能谱仪能谱仪探测器分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积≥30 mm2,晶体面积≥50 mm2,高分子超薄窗设计,无需液氮冷却,仅消耗电能
能谱仪能量分辨率Mn Ka保证优于129eV
元素分析范围B5~Cf98
软件语言中文
操作系统Windows
导航光学导航、手势快捷导航、可自动叠加电镜图片
自动功能自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散
特色功能智能辅助消像散、*大图拼接(选配软件)
安装要求房间长 ≥ 3000 mm,宽 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm
温度20 ℃~25 ℃
湿度≤ 50 %
电气参数电源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA



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应用方案

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