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IGBT狭缝/芯片边缘怎么测?200μm微光斑搞定“死角”测量!

来源:苏州悉识科技有限公司 更新时间:2026-03-19 09:30:30 阅读量:58
导读:在半导体先进封装工艺中,涂层厚度的控制直接关系到产品的可靠性。

在半导体先进封装工艺中,涂层厚度的控制直接关系到产品的可靠性。 然而,随着芯片集成度越来越高,“测不到” 和 “测坏了” 成为了品控环节的两大顽疾:

  • 空间太小: 芯片边缘、MEMS深槽、键合线附近的狭缝,传统光斑太大,根本照不进去。

  • 容易划伤: 昂贵的晶圆级封装芯片,一旦被接触式探针划伤,就是高昂的报废成本。

悉识科技(AcuiTik)NS-20 封装涂层无损测厚仪,以微区单点精测技术,赋能芯片制造工艺,把控每一层微观品质。


01. 先进封装检测专家:微区·无损NS-20 是一款专为半导体封装工艺定制的光学测量设备。

  • 非接触式测量: 采用纯光学引擎,彻底杜绝物理接触,保护昂贵的芯片表面免受划伤污染 

  • 多尺度全覆盖: 无论是湿膜、干膜还是固化后的胶材,NS-20 都能兼容。

  • 微区单点精测: 能够聚焦关键点位,满足先进制程对厚度的严苛要求 



02. 直击封装痛点:为何现有方案不够好?面对三防胶、光刻胶、介质层等多层堆叠结构,传统手段往往力不从心:

  • 良率杀手: 接触式探针易导致隐裂,破坏性切片(Cross-section)不仅成本高昂,且无法实现全检 

  • 结构复杂: 芯片表面多层堆叠,传统显微手段难以区分各层厚度,且缺乏数据一致性 

NS-20 通过 PolarX 智能解算,针对复杂堆叠结构,能够精准分离各层厚度数据 (d) 与光学常数 (n,k),无需人工拟合,秒级出数 



03. 极限挑战:IGBT 芯片边缘狭缝测量


测量背景: 在车规级功率模块中,芯片边缘的“终端保护区”及芯片与基板间的“狭缝”是绝缘失效的高发区 点: 此区域宽度通常 < 500 μm,且紧邻键合线。传统大光斑极易照射到金属台阶或键合线,造成信号散射 

NS-20 极小光斑方案实测:

  • 核心配置:200 μm 超微光斑探头

  • 被测对象: 芯片边缘沟槽内的 PI (聚酰亚胺) 涂层 

  • 实测厚度:3.01 μm,FFT 峰值清晰锐利 

  • 优势: 完美避开键合线干扰,实现了对“死角区域”的无损覆盖 


该方案同样适用于 MEMS传感器深槽摄像头模组点胶晶圆划片道 等极限空间测量 



04. 核心优势与服务

  • 极致性能:15nm - 1.5mm 超宽量程,重复性精度 < 0.02 nm

  • 灵活集成: 支持全自动/在线式集成 (In-line),选配微小光斑针对微结构 

  • 自主可控: 100% 软硬件自主研发,PolarX 引擎一键全自动拟合 


AcuiTik 悉识科技让每一微米都清晰可见,做您值得信赖的半导体光学检测专家。

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