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ixion 193 SLM 准分子激光器特点

来源:深圳市蓝星宇电子科技有限公司 更新时间:2025-12-12 18:30:25 阅读量:151
导读:该系列以高重复频率、短脉冲宽度、优良束质量与重复性著称,适用于半导体光刻前处理、光刻掩模制备、薄膜曝照、微结构刻蚀、生物样品微加工等领域。核心优势在于紧凑化光路、快速启动、稳定输出与可选的波前整形与脉冲调控模块,能够在温湿度波动较大的实验室或生产线环境中保持工艺一致性。

H2 ixion 193 SLM 准分子激光器的定位与应用场景 ixion 193 SLM 准分子激光器是一种以波长193.0 nm为工作光源的高稳定性准分子激光系统,专为微加工、特征尺寸在几十纳米级别的光刻及材料表面改性场景设计。该系列以高重复频率、短脉冲宽度、优良束质量与重复性著称,适用于半导体光刻前处理、光刻掩模制备、薄膜曝照、微结构刻蚀、生物样品微加工等领域。核心优势在于紧凑化光路、快速启动、稳定输出与可选的波前整形与脉冲调控模块,能够在温湿度波动较大的实验室或生产线环境中保持工艺一致性。


H2 主要参数与型号对照 ixion 193 SLM-A


  • 波长与光源:193.0 nm,ArF 准分子激光源
  • 脉冲宽度:15–25 ns
  • 重复频率:50 Hz、100 Hz、200 Hz 可选
  • 平均输出功率:0.5–1.5 W,典型工作时点稳态
  • 光束质量:M2 小于1.4,单模 TEM00
  • 功率稳定性:每日稳态波动通常在±0.5% 以内(在自带光路温控情况下)
  • 光束整形:可选内置微型光束整形模块(如单模到高均匀度转换)
  • 冷却方式:水冷或闭环循环风冷,具体取决于功率档位
  • 电源并联与接口:单相或三相选项,常规ERP兼容
  • 尺寸与重量:紧凑机架型,约600–750 mm 深度范围,便于实验台拼装
  • 选件与可扩展性:光束定位台、波前传感、外控时间基准输出、脉冲整形接口

ixion 193 SLM-B


  • 波长与光源:193.0 nm,ArF 准分子激光源
  • 脉冲宽度:14–22 ns
  • 重复频率:200 Hz、500 Hz、1 kHz
  • 平均输出功率:1.0–3.0 W,适用中等产出要求
  • 光束质量:M2 小于1.3,TEM00 主导模式
  • 功率稳定性:±0.4% 级别,适合对工艺波动敏感的应用
  • 光束整形:内置波前整形模块与多通道可编程光阑
  • 冷却方式:水冷主导,具备低流量保护与自诊断
  • 电源与接口:标准化高压驱动与数字控制接口,支持远程监控
  • 尺寸与重量:约650–780 mm 深度,便于整线集成
  • 选件与可扩展性:外部腔控模块、光学防护与净化选项

ixion 193 SLM-C


  • 波长与光源:193.0 nm,ArF 准分子激光源,低漂移设计
  • 脉冲宽度:12–20 ns
  • 重复频率:500 Hz、1 kHz、2 kHz
  • 平均输出功率:2.0–6.0 W,针对高吞吐工艺
  • 光束质量:M2 小于1.25,极高的光束一致性
  • 功率稳定性:±0.3% 级别,长时间运行下保持极低漂移
  • 光束整形:全光学自整形与外加波前控制,便于高分辨率曝光
  • 冷却方式:闭环水冷,具备过流与温控保护
  • 电源与接口:模块化电源与以太网/光纤控制接口
  • 尺寸与重量:较紧凑但具高能级设计,约700–820 mm 深度
  • 选件与可扩展性:外部腔温控、波前传感与自适应光学选项

H2 典型特点与技术亮点


  • 稳定性与重复性:多档位重复频率覆盖与高稳定性输出,确保工艺参数可重复再现,降低批次间偏差。
  • 光束质量与均匀性:单模 TEM00 模式、M2 指标小,适合微结构的均匀曝光和高分辨率刻蚀需求。
  • 脉冲控制:可选定制脉冲宽度、脉冲重复频率及脉冲整形,支持差分曝光、暴露时间分布优化。
  • 光路与集成度:紧凑化光路设计、内置光束整形与波前控制模块,减少外设数量,提升安装灵活性。
  • 温控与稳定性:闭环冷却与环境自诊断功能,减少温度漂移对光谱、功率的影响。
  • 安全与维护:集成光学防护、过载保护、易更换的灯腔与光学组件设计,便于维护与更换。
  • 兼容性与扩展性:多种接口协议(数字控制、以太网、光纤信号)、可选的波前监测与外控时基,便于与现有工艺线对接。

H2 场景化FAQ 问:ixion 193 SLM 系列适合哪些工艺工况? 答:在需要193 nm 波长、高分辨率曝光的微纳加工、薄膜刻蚀前处理、以及掩模直接或间接制备场景中表现突出,尤其适合对稳定性和重复性要求较高的生产与研发环境。


问:如何选择不同型号以匹配产线需求? 答:若需要高吞吐与更高功率,优选 B 或 C 系列,关注重复频率与平均输出功率的匹配;若工艺对稳定性与波前控制要求极高,C 级别并结合外部波前监测更为合适;同时考量冷却方式与机架尺寸以确保现有厂房与设备对接。


问:光束稳定性对工艺有何影响? 答:功率与波长的漂移会直接影响掩模曝光量与线宽控制,稳定性在±0.3%–±0.5%范围内有显著改善,长期运行可降低工艺偏差。


问:是否支持外部时基、同步控制? 答:是的,多个型号提供数字接口、以太网和光纤输入/输出,便于与工艺时序、探针测控系统对接,实现同步曝光与数据采集。


问:日常维护有哪些? 答:在冷却系统的清洁与水路无泄漏检查、光路清洁、脉冲源的寿命监控、以及波前传感与防护盖的完好状态,厂家通常提供远程诊断与模块化更换方案。


问:是否有现成的工艺参数优化服务? 答:通常有厂家提供的工艺参数调优服务与应用支持,结合客户材料特性、光学薄膜、掩模几何等条件,给出初步曝光窗口和鲁棒性分析。


问:在高风险环境下如何确保安全与合规? 答:遵循激光安全等级与厂商提供的安全手册,确保光路封闭、屏蔽夹具完好、实验区布线符合规范,并定期进行安全培训与设备自检。


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