MOCVD外延薄膜的生长速率与温度的关系，以及如何实时检测衬底温度

在MOCVD工艺中，外延薄膜的生长速率与温度存在高度非线性关系，且温度波动会直接影响薄膜的均匀性和结晶质量。

根据温度的变化可以将外延薄膜生长行为大致分成三个区：动力学控制区、质量传输控制区、热力学控制区：

动力学控制区：生长速率随温度升高呈指数增长；随温度的升高，生长速率会因源分解加剧而变快。温度波动对反应速率影响很大，进而影响生长薄膜的均匀性。

质量传输控制区：当温度上升到能使源完全分解时，生长速率基本不随温度变化或缓慢下降，此后质量输运将主导生长速率，从而获得稳定、可控的外延层。

热力学控制区：伴随温度的持续上升，源反应进一步加剧，外延层发生分解，生长速率下降。

作为MOCVD工艺的温度"听诊器"，TC-wafer温度校准仪通过实时精准监测衬底温度，为工艺调控提供关键数据支撑。为化合物半导体、功率器件等高端外延生长提供了工艺稳定性保障。

TC-wafer温度校准仪的特点：

实时响应：显示实时点位图及温度分布图，可在使用过程中实时观察各点温度变化；

精确测量：直接放置在MOCVD反应室内，模拟真实晶圆的温度响应；

多点位温度测绘：支持20路实时测量(可定制)多个位置的温度，提供完整的温度分布图；

宽温度范围覆盖：精确测量范围从室温到1200℃，覆盖MOCVD工艺需求；

测温准确：温度分辨率0.1℃、采集周期为200ms，能准确测量晶圆温场均匀性；

功能强大：10000条历史数据存储量，能调阅历史温度和均匀性数据。可做同一台设备不同时间段、以及不同设备同一配方的数据对比；

使用便捷：仪器集成度高，即插即用，配备磁吸支架可贴靠于设备表面。测试记录完整数据，并能自动生成测试报告；