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AFM-in-SEM 失效分析
该技术直接集成于 FIB / SEM(聚焦离子束 / 扫描电镜)环境,能够在纳米尺度下对半导体元件进行原位、特定位置的电学与形貌表征。它提供精确的电导率映射和掺杂分布分析,同时保持样品完整性。
核心优势
特定位置的失效分析: 利用 SEM 精确定位,结合高分辨率电导率与掺杂分布映射。.
无缝真空工作流: 与现有失效分析工具完全兼容,避免表面氧化和污染。.
探针保护与优化接触: 探针坞(Docking Station)在 FIB 铣削时保护 AFM 探针; 样品旋转功能优化接触角度,适应复杂几何结构。
省时与成本效益: 集成化方案减少单样品测量时间,加速研发进程。
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会议详情
2026 年 3 月 19 日(周四)16:00
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这是一次深入了解半导体失效分析前沿技术的绝佳机会,期待您的参加。
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