实验室氢气发生器 HXCN-H-MF-S600,HXCN-H-MF-S1200
华欣创能实验室氢气发生器 HXCN-H-S600,HXCN-H-S1200
超高纯氢气发生器 (免维护版柜式机)HXCN-H-M0.6,HXCN-H-M1.2,HXCN-H-M5,HXCN-H-M10
高纯度氢气发生器 (免维护版撬装机)HXCN-H-MF-L1, HXCN-H-MF-L2, HXCN-H-MF-L3 ,HXCN-H-MF-L4,HXCN-H-MF-L5
华欣创能 空气发生器 HXCN-A-M5
空气发生器(免维护版)HXCN-A-M5

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已咨询1991次Diamonsil(钻石)
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已咨询2736次Diamonsil(钻石)
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。