ICP等离子体去胶机

ICP等离子体去胶机

良好均匀性和重复性，适合中小规模生产； 干法工艺，避免湿法刻蚀的清洗，废液处理问题； 高深宽比处理，流场设计可将SU-8的去胶均匀性控制在±5%以内，结合边缘光刻胶去除（EBR）； 超精密控制技术，通过双路气体流量控制和射频功率调节，实现鳍式结构的多层堆叠去胶； 高密度等离子体技术，实现工艺腔室电离工艺气体（Ar/O₂）,将高能离子通过气体扩散输送至晶圆表面，去胶均匀性偏差＜±5%

等离子化学气相沉积设备

高密度等离子体双射频协同控制，采用双13.56MHz射频电源控制等离子体密度的组合，可产生离子密度＞10¹¹cm³的等离子体，用于高深宽比结构的保形沉积。良好的均匀性和重复性，适合中小规模生产； 低温工艺纳米精度控制，沉积温度可低至50-350°，避免高温对敏感材料的损伤； 采用动态温控静电吸盘和气体预热技术，实现晶圆片内均匀性＜±8%，片间偏差小于±5%

ICP电感耦合等离子刻蚀机

通过不同气体组合，可以刻蚀多种材料（半导体、金属、介质等）； 高精度+各向异性，能刻蚀出侧壁陡直、尺寸精确的图形； 优秀的均匀性和重复性，适合科研材料刻蚀开发及中小规模生产； 多物理场协同调控，ICP通过独立控制离子能量、等离子体密度和化学活性反应，实现材料去除的精确建模； 干法工艺，避免湿法刻蚀带来的清洗、废液处理等问题

RIE反应离子刻蚀机

高精度和各向异性：能刻蚀出侧壁陡直、尺寸精确的图形； 良好的均匀性和重复性：适合大规模生产； 材料适用性广：通过不同气体组合，可以 刻蚀多种材料； 高选择比：可针对性的刻蚀特定材料而不损伤其他材料； 清洁：干法工艺，避免湿法刻蚀带来的清洗、废液处理问题

真空滚筒等离子处理机

PLC+触摸屏操作快捷简单； 结构对称，功率损耗低，有效工作能量高； 空间利用率高，高密度、高能量等离子体活性粒子； 节能环保，良好的安全性、低耗能

真空等离子清洗机

适合科研实验室及小规模生产

真空等离子清洗机

真空等离子清洗机

设备采用PLC+触摸屏控制，操作简单易维护，适用于小规模生产，科学实验； 腔体采用进口铝合金材质，耐腐蚀，腔体可根据客户需求定制； 进口针阀精密流量计，两路气体反应通道； 独特电极结构，确保等离子均匀性； 良好安全性，多功能安全保护；