普赛斯硅基|SiC特性曲线测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以晶准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
IGBT测试系统图
普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
“双高”系统优势
高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)
具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)
高精度测量
nA级漏电流, μΩ级导通电阻
0.1%精度测量
模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元
测试效率高
内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的一键测试
扩展性好
支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯硅基|SiC特性曲线测试设备特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
可定制夹具；
nA级电流和uΩ级电阻测量；
报价：￥1000
已咨询199次功率器件测试系统
报价：￥1000
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已咨询320次数字源表
报价：￥1000
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报价：面议
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报价：面议
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报价：￥1000
已咨询85次仪器仪表
报价：面议
已咨询44次脉冲恒流源
具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有着越的测量效率与可靠性
普赛斯插卡式主机采用自定义框架，背板总线带宽高达3Gbps，支持16路触发总线，满足多卡设备高速率通信需求。普赛斯研发了丰富的可供用户选配的子卡，方便用户根据功能性能需求灵活配置不同的子卡。主机对外通信支持串口、以太网及GPIB
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试
具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有卓越的测量效率与可靠性
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且最大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。
不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求
武汉普赛斯P系列数字源表汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
PMST系列igbt静态测试机igbt检测仪采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线
营业执照已审核
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