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微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD
品牌:德国iplas
型号:iplas CYRANNUS
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英国Oxford 等离子增强化学气相沉积 Plasmalab System100
品牌:牛津仪器
型号:Plasmalab System100
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热舟蒸发源 / K Cell
品牌:德国tectra
型号:K Cell
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金属有机化合物化学气相沉积
品牌:美国Rocky Mountain
型号:MOCVD
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德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统
品牌:德国iplas
型号: iplas Mpcvd 915MHz
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PECVD设备 NPE-4000(ICPA)自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-4000(ICPA)
- 产地:美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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CVD设备 微波等离子化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: PECVD
- 产地:美国
NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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激光分子束外延分析系统 180 Laser MBE/PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: 180 Laser MBE/PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统 有机和聚合物薄膜的沉积 在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射和直流离子源 Load-lockable衬底阶段 与XPS分析系统集成,直接将晶片从PLD系统转移到分析系统
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PLD激光分子束外延系统 Pioneer 180 MAPLE PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 180 MAPLE PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统。 有机和聚合物薄膜的沉积。 在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。 负载锁定基底阶段。 与XPS分析系统集成,晶片就地从PLD系统转移到分析系统
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上海微行PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
- 品牌:上海微行
- 型号: PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
- 产地:苏州
价格有优势,而且服务效率,质量上面好而且有保证。
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那诺-马斯特 NMC-4000 MOVPE设备
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NMC-4000
- 产地:美国
针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制,完全的安全
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MOCVD设备 NMC-4000(A)全自动PAMOCVD系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NMC-4000(A)
- 产地:美国
针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制。
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卧式低压化学气相沉积炉管
- 品牌:北京华测
- 型号: SVCS
- 产地:海淀区
卧式低压化学气相沉积炉管用于沉积高品质的n型掺杂或非掺杂的多晶硅或非晶硅;用于沉积高品质的低应力氮化硅或氮氧化硅。
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成都纽曼和瑞微波等离子体CVD设备hmps-2060sp
- 品牌:成都纽曼和瑞
- 型号: hmps-2060sp
- 产地:成都
性能先进,安全、可靠性强、重现性好,操作简便。 多参数实时监测、采集与记录,PLC屏幕控制,多重联锁保护
- 气相沉积系统
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