KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备

上海伯东代理美国 KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter, 通过使用 KRI 射频离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 膜基附着力更好, 膜层不易脱落.

多层膜的结构广泛用于各个领域, 而对于精密系统则需要更严格的规格, 包括光, 声音和电子组件. 在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中, 高质量多层膜的作用变得越来越重要. 因此, 新材料的开发和薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的重要方向. 特殊设计的多层膜磁控溅镀系统拥有基板公自转机构, 可实现准的多层膜结构并可以一次批量生产.

多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter                                               载台可公自转或定在靶材位置自转

上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:

上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项zhuan利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!