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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 产地:美洲 美国
- 供应商报价:面议
- 伯东企业(上海)有限公司 更新时间:2024-07-17 15:03:36
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销售范围售全国
入驻年限第9年
营业执照已审核
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KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
型号
RFICP 140
Discharge 阳极
RF 射频
离子束流
>600 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
14 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
5-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
24.6 cm
直径
24.6 cm
中和器
LFN 2000
KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专/利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中/国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
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