目标:在反射性基底上对厚膜的厚度及其均匀性进行精确测量。
手段与方法: 引入白光反射光谱法(WLRS)用于测量厚的透明薄膜的厚度及其均匀性。所有测量均使用FR-Basic设备完成,其工作光谱范围为400-1000纳米。样品为通过旋涂工艺在硅片上涂覆热氧化二氧化硅(thermal SiO?)和SU-8薄膜的材料。参考测量中使用了标准硅片作为对照。
结果: 薄膜厚度的均匀性在很大程度上取决于薄膜的制备方法。使用低速旋涂高粘度溶液容易导致薄膜厚度不均匀,而热氧化或化学气相沉积(CVD)等工艺则能够获得均匀的薄膜。
在图1和图2中展示了对3.0微米厚的SiO?薄膜的厚度测量结果。由于采用了热氧化工艺,其厚度不均匀性为零(见图2)。
在图3至图6中展示了通过旋涂法制备的厚SU-8薄膜的厚度测量结果。对于10微米厚的SU-8薄膜,在约350微米直径的测量区域内,厚度不均匀性为12纳米(见图4),而50微米厚的SU-8薄膜的不均匀性则为131纳米(见图6)。这是因为在制备10微米薄膜时采用了粘度更低的溶液并在更高的转速下进行旋涂,因此不均匀性显著降低。
图1说明: 来自约3微米厚SiO?薄膜的实验与拟合反射光谱,未提及均匀性。黑色线条表示实验测得的反射光谱,红色线条表示拟合得到的反射光谱。
图2说明: 来自约3微米厚SiO?薄膜的实验与拟合反射光谱。计算结果显示其厚度不均匀性为零。
图3说明: 来自约10微米厚SU-8薄膜的实验与拟合反射光谱,未考虑厚度不均匀性。
图4说明: 来自约10微米厚SU-8薄膜的实验与拟合反射光谱,考虑了厚度不均匀性。
图5说明: 假设厚度均匀(即不均匀性为零)的情况下,对约50微米厚的SU-8薄膜进行白光反射光谱测量与拟合的结果。
图6说明: 对约50微米厚的SU-8薄膜进行白光反射光谱测量与拟合的结果,厚度不均匀性被精确计算。
结论: 薄膜厚度及其厚度均匀性的精确测量得到了验证。
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