半导体设备

NMC 508RIE介质刻蚀机为电容耦合等离子体干法刻蚀机，适用6/8英寸介质层刻蚀工艺，具有高刻蚀速率和均匀性，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺、易维护、...

NMC 508M为高密度等离子体刻蚀机，适用6/8英寸金属干法刻蚀工艺。具备良好的铝线形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，含金属腔和去胶腔组合，可全...

NMC 508C/G为高密度等离子体刻蚀机，适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺，...

Polaris Series硅通孔物理气相沉积系统主要由大气平台，真空传输平台，去气腔室，预清洁腔室和工艺腔室组成，设备采用Cluster Tool结构，可配置多个工艺腔室、预清洗腔室和去气腔室，适合...

eVictor系列设备主要用于8英寸晶圆金属薄膜沉积工艺。该机台为多腔室前后双平台结构，可支持10个工艺模块，能够进行全自动工艺处理。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。其中工艺模块...

eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统，适用于12英寸集成电路领域，是一款PVD设备。该系统集成高温去气、等离子体预清洗、高温Al、TaN、TTN等多种工艺模块，能在系统内部实现工艺整...

Esther E320R 8英寸单片减压硅外延系统主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺的运行。该设备主要由传输系统模块、工艺腔室模块、压力控制模块等组成。精准的压力、气流场与温场控制，...

HORIC L200卧式低压化学气相沉积系统，主要用于半导体产线8英寸及以下晶圆淀积SiN、POLY、SiO₂等薄膜，设备工艺性能好、产能大、可靠性高，可满足半导体领域的多种产线需求。设备包含净化工作...

EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺，平台式多反应腔架构，兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料，广泛应用于集...

GAMA Series 6/8英寸全自动槽式清洗机满足全部湿法工艺需求，覆盖RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等应用，可用于典型0.35um、0.18um工艺节点，可支持90n...

Pinnacle300 12英寸槽式清洗设备适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置，可...

SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液，主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成，标配8个腔室2套药液系统，能够进行全自动dry i...

NVT-HG单晶生长炉主于光伏产业8-12英寸单晶硅制备工艺，该机台具有大投料量，高拉速，低能耗，自动化、智能化的优点。能够进行全自动并进行工艺处理。系统主要由籽晶升降/旋转系统，坩埚升降/旋转系统，...

APS Series感应式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，创新的结构设计，可提供高纯材料生长能力，拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优良，设备一致性好，具有丰富的量产经...

AGF Series电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，...

Booster SWA单片退火系统主要用于12英寸后段金属互联退火工艺。该机台为多腔集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。系统主要由传输模块和3个工艺模块组成，其中工艺模块主要用于Post Etch和...