北方华创 Polaris Series硅通孔物理气相沉积系统

设备特点

•专业磁控溅射源与腔室结构设计：该设备搭载经过精密研发的专业磁控溅射源，同时配合定制化的腔室结构。通过对溅射源磁场分布的精准调控，以及腔室内气流场、压力场的优化设计，能够减少靶材在溅射过程中的无效损耗 —— 避免靶材因磁场不均导致局部过度消耗，或因腔室环境紊乱造成靶材粒子的无效沉积，从而显著提高靶材的实际利用率，降低企业在靶材耗材上的成本投入，同时减少因靶材频繁更换带来的生产停机时间，提升整体生产效率。

•高离化率磁控溅射源的优势：设备的磁控溅射源采用高离化率设计，这一设计能大幅提升溅射粒子的离化比例。在膜层沉积过程中，高离化的粒子具有更强的方向性与附着力，即便基片表面存在台阶、沟槽等复杂形貌，也能均匀、完整地覆盖在基片表面，有效解决传统溅射工艺中台阶覆盖率不足的问题。良好的台阶覆盖率可确保膜层在复杂结构处的连续性与稳定性，为后续封装工艺的可靠性奠定关键基础，尤其适用于高精度封装场景的需求。

•封装领域专属稳定传输系统：针对封装领域的生产特性，设备配备了经过专项优化的传输系统。该系统具备高度的稳定性，能够精准控制基片的传输速度、位置与姿态，避免基片在传输过程中出现划伤、偏移或污染等问题。同时，传输系统兼容性强，可适配多种类型的基片，包括硅基基片、陶瓷基片、玻璃基片等不同材质、不同规格的基片，满足封装领域多样化的生产需求，为批量生产提供稳定、灵活的保障。

•专业偏压基座：设备采用专业设计的偏压基座，除了具备出色的冷却性能外，还通过特殊的冷却通道布局实现了冷却效果的均匀分布。在膜层沉积过程中，基座温度的稳定与否直接影响膜层质量，该偏压基座能有效控制温度波动，避免因基片局部过热或温度不均导致的膜层开裂、性能衰减等问题。此外，良好的冷却性能还能延长基座的使用寿命，降低设备的维护成本，保障长期生产的稳定性。

•优化工艺流程的双重效益：设备的工艺流程经过深度优化，在保证膜层精度与质量的前提下，通过简化不必要的操作步骤、提升各环节的协同效率，大幅缩短了单批次基片的加工周期，实现了大产能表现，能够满足企业规模化生产的需求。同时，优化后的工艺流程减少了能源消耗与辅助耗材的使用量，降低了设备的日常运营成本，帮助企业在提升产能的同时，进一步提高生产效益与市场竞争力。

产品应用

•适配主流晶圆尺寸：设备主要适配 8 英寸与 12 英寸两种晶圆尺寸，这两种尺寸是当前集成电路封装领域的主流规格。其中，8 英寸晶圆适用于中小批量、高精度的封装生产，满足消费电子、汽车电子等领域中中低端芯片的封装需求；12 英寸晶圆则更适合大规模量产，可支撑服务器芯片、人工智能芯片等芯片的封装生产，覆盖全场景晶圆封装需求。

•覆盖关键封装材料：设备可针对封装领域的多种关键材料进行膜层沉积，具体包括铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽。不同材料在封装中承担不同功能：铜因具备优异的导电性，常用于封装结构中的导电互联层，确保芯片间信号与电流的高效传输；钛、氮化钛、钽、氮化钽则具有出色的阻挡性能，可作为阻挡层使用，有效防止导电层金属原子向周围介质扩散，避免芯片性能受到影响，保障封装结构的长期稳定性。

•支持 TSV 沉积工艺：设备专门针对 2.5D/3D TSV（硅通孔）沉积工艺进行适配优化。TSV 技术是实现 2.5D/3D 封装的核心技术，通过在硅片上制作通孔并进行金属化沉积，可打破传统封装的平面互联限制，实现芯片间的垂直互联，大幅提升封装密度与芯片运行速度。该设备能稳定完成 TSV 孔内的膜层沉积，确保孔内膜层的均匀性与附着力，满足封装对工艺精度的严苛要求。

•聚焦封装核心领域：设备的核心应用领域为集成电路封装，尤其适用于高密度、高可靠性的封装场景。例如，在智能手机芯片的封装中，可通过该设备实现小型化、高集成度的膜层结构；在服务器 CPU、GPU 以及人工智能芯片的封装中，能满足高功率、高频率下的膜层稳定性需求，为这些芯片的性能发挥提供关键工艺支持，助力封装技术向更高精度、更高集成度的方向发展。