Syskey CVD Cluster 化学气相沉积
德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
昊量/auniontech 石墨烯CVD制备设备CVD
德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备 TETRA240
设备主要特点
•工艺组合灵活性强:能够根据客户的产线工艺规划、生产需求等,灵活配置多工艺组合的机台,适配不同的薄膜沉积场景,满足多样化的生产需求;
运行可靠性与稳定性佳:在长期连续运行过程中,设备能够保持工艺参数的一致性,减少因设备波动导致的工艺偏差,降低故障停机对产线的影响,保障生产的连续性;
•安全性能合规:设备整体及所使用的各类元件,均符合国家相关标准与国际通用标准,从设计、选型到生产组装,均遵循严格的安全规范,降低生产过程中的安全风险;
•具备 MES 系统解决方案能力:可为客户提供成熟的 MES(制造执行系统)解决方案,该方案能够整合设备运行数据、工艺数据、生产进度数据等,助力产线实现智能化管理、高效调度与数据追溯;
•工艺技术支持完善:在设备投入使用后,能够为客户提供专业的工艺技术支持,包括工艺参数优化建议、操作流程指导、常见工艺问题解决等,帮助客户更好地发挥设备效能,提升生产质量。
产品具体应用范围
•晶圆尺寸适配:可处理 4 英寸、6 英寸、8 英寸三种常见规格的晶圆,能够满足不同规模半导体产线的晶圆处理需求,无论是中小型产线还是实验性生产线,均能适配;
•适用材料覆盖:兼容硅、碳化硅、硅基氮化镓等多种半导体材料,这些材料是制造不同类型半导体器件(如功率器件、射频器件等)的核心基材,设备的材料兼容性拓展了其应用场景;
•适用工艺类型:支持氮化硅、氧化硅、多晶硅、掺杂多晶硅、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等多种薄膜淀积工艺,这些工艺分别对应半导体器件不同结构层(如绝缘层、导电层、钝化层等)的制备,可满足器件制造的多环节需求;
•应用领域广泛:不仅适用于化合物半导体领域、衬底材料领域的工业化生产,还能满足科研领域的实验研究需求,为科研机构开展半导体材料与器件相关的工艺探索提供设备支持。
报价:面议
已咨询26次化学气相沉积设备CVD
报价:面议
已咨询26次化学气相沉积设备CVD
报价:面议
已咨询5213次镀膜机
报价:面议
已咨询1068次半导体芯片类测试仪器
报价:€65000
已咨询7095次样品制备
报价:面议
已咨询1158次薄膜半导体材料制备系统
报价:面议
已咨询2751次样品制备
报价:面议
已咨询3138次声悬浮系统
报价:面议
已咨询1230次CVD系统
报价:面议
已咨询519次美国 Nano-master
Esther E320R 8英寸单片减压硅外延系统主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺的运行。该设备主要由传输系统模块、工艺腔室模块、压力控制模块等组成。精准的压力、气流场与温场控制,保证了外延片良好的工艺性能,保证成膜质量。传输模块可兼容多种晶圆尺寸,同时满足多种类的工艺需求。
HORIC L200卧式低压化学气相沉积系统,主要用于半导体产线8英寸及以下晶圆淀积SiN、POLY、SiO₂等薄膜,设备工艺性能好、产能大、可靠性高,可满足半导体领域的多种产线需求。设备包含净化工作台、炉体机箱、气源柜、真空系统及电气控制系统五大部分,相关模块齐全,可根据不同客户需求进行配置。
EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺,平台式多反应腔架构,兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料,广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。3
GAMA Series 6/8英寸全自动槽式清洗机满足全部湿法工艺需求,覆盖RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等应用,可用于典型0.35um、0.18um工艺节点,可支持90nm工艺节点,可兼容6寸和8寸晶圆。
Pinnacle300 12英寸槽式清洗设备适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置,可同时传送50片,工艺模块用于清洗和蚀刻,药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。
SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液,主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成,标配8个腔室2套药液系统,能够进行全自动dry in dry out清洗工艺。
NVT-HG单晶生长炉主于光伏产业8-12英寸单晶硅制备工艺,该机台具有大投料量,高拉速,低能耗,自动化、智能化的优点。能够进行全自动并进行工艺处理。系统主要由籽晶升降/旋转系统,坩埚升降/旋转系统,热屏升降系统,旋阀、真空腔室、辅助功能单元及电控系统组成。
APS Series感应式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长,创新的结构设计,可提供高纯材料生长能力,拥有高精度的控温、控压能力,工艺性能优良,设备一致性好,具有丰富的量产经验。