System 100 等离子刻蚀与沉积设备
离子刻蚀机清洗机Co系列桌面式等离子刻蚀机清洗机
Oxford System 100 等离子刻蚀与沉积设备
System 100 等离子刻蚀与沉积设备
等离子刻蚀ICP
设备特点
•等离子体源与离子能量控制能力:设备采用可调节的等离子体源设计,能够根据不同的工艺需求与加工材料特性,灵活调整等离子体源的参数,适配多样化的生产场景,避免因等离子体源固定而限制工艺适用范围;同时,设备具备精确的离子能量控制功能,可对刻蚀等工艺过程中的离子能量进行精准调控,有效保障加工过程中的尺寸精度与表面质量,减少因离子能量波动导致的工艺偏差。
•金属刻蚀适配性与工艺覆盖度:在金属刻蚀方面,设备具备良好的处理能力,对多种金属材料的刻蚀效果稳定,能满足不同金属加工的精度与表面质量要求,无需频繁更换核心部件即可应对不同金属材质的加工需求;此外,设备的工艺应用范围较广,可适配多种与金属刻蚀相关的生产流程,无论是简单的金属层刻蚀,还是复杂的金属结构加工,都能提供稳定的工艺支持,适配不同行业的生产工艺标准。
•量产稳定性与可靠性:设备在量产场景中表现出稳定的运行状态,能够持续应对大规模、长时间的连续生产任务,减少因设备性能波动导致的生产中断;同时,设备的平均故障间隔时间(MTBC)较高,意味着设备出现故障的频率较低,有效降低了量产过程中的停机维护次数,保障了生产流程的连续性,为企业稳定提升产能提供了可靠保障。
•成本控制优势:从成本角度来看,设备具备低拥有成本与低运营成本的特点。低拥有成本体现在设备采购后,无需额外投入大量资金用于配套设施的改造或升级,初期投入性价比良好;低运营成本则体现在设备日常运行中的能耗较低,且维护过程中所需的零部件更换频率低、维护操作难度小,有效减少了企业在设备运行与维护过程中的资金投入,帮助企业控制长期生产成本。
产品应用
•晶圆尺寸兼容性:设备在晶圆尺寸适配方面具备良好的兼容性,可同时支持 6 英寸与 8 英寸晶圆的加工处理。在实际生产中,无需为不同尺寸的晶圆单独配置专用设备,仅需通过简单的参数调整即可完成不同尺寸晶圆的生产切换,大幅降低了设备更换与调试的时间成本,提升了设备在多尺寸晶圆生产需求下的灵活性与使用效率,满足企业多样化的晶圆加工需求。
•适用材料范围:设备可适配多种材料的加工需求,包括铝、氮化钛、钼、钨、氧化铟锡等常见金属及金属化合物材料。针对不同材料的物理特性与化学特性,设备能够调整对应的工艺参数,确保在加工过程中材料的性能不受破坏,同时保障加工精度与表面质量,满足以这些材料为基础的半导体器件、显示面板等产品的制造需求。
•适配工艺类型:在工艺应用上,设备可广泛支持顶层金属刻蚀、中间层金属刻蚀等关键工艺环节。这些工艺在半导体芯片、显示器件等产品的制造中起着重要作用,设备能够根据不同工艺环节的技术要求,精准控制刻蚀深度、刻蚀速率等关键指标,确保工艺环节的顺利推进,为最终产品的性能与质量提供保障,适配多种精密电子元件的生产流程。
•覆盖应用领域:设备的应用领域较为广泛,可深度适配集成电路行业的芯片制造环节,为芯片内部金属结构的刻蚀提供稳定支持;同时,也可应用于化合物半导体、功率半导体的生产加工,满足这类半导体产品对金属层加工的高精度要求;在硅基微型显示领域,设备能够支持显示面板中金属电极等结构的精密刻蚀,助力高品质显示产品的制造;此外,在科研领域,设备也可作为半导体材料加工、工艺技术研发的实验设备,为相关科研项目的开展提供必要的技术支持。
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已咨询12次等离子刻蚀设备Etch
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已咨询12次等离子刻蚀设备Etch
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已咨询2853次Nanomaster
报价:¥554
已咨询1130次半导体芯片类测试仪器
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已咨询20次辅助设备Ancillary Equipment
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已咨询96次Syskey 台湾
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已咨询5217次镀膜设备
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已咨询1429次英国Oxford 离子刻蚀/沉积/去胶机
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已咨询26次气体测量控制Gas Measuring Control
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已咨询2227次德国 Sentech
NMC 508RIE介质刻蚀机为电容耦合等离子体干法刻蚀机,适用6/8英寸介质层刻蚀工艺,具有高刻蚀速率和均匀性,工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
NMC 508M为高密度等离子体刻蚀机,适用6/8英寸金属干法刻蚀工艺。具备良好的铝线形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备,含金属腔和去胶腔组合,可全自动并行工艺,PM维护周期长,性能稳定,产能高,客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、硅基微型显示、科研等领域中的金属铝、钨等刻蚀工艺。
NMC 508C/G为高密度等离子体刻蚀机,适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺,易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研等领域的前道关键工艺。
Polaris Series硅通孔物理气相沉积系统主要由大气平台,真空传输平台,去气腔室,预清洁腔室和工艺腔室组成,设备采用Cluster Tool结构,可配置多个工艺腔室、预清洗腔室和去气腔室,适合封装领域TSV粘附层、扩散阻挡层以及种子层薄膜制备大规模生产。Polaris系列PVD为全自动大产能设备,具有反应腔自动开闭盖、晶圆自动传输、工艺去气、晶圆表面预清洁、薄膜沉积自动化等特点。
eVictor系列设备主要用于8英寸晶圆金属薄膜沉积工艺。该机台为多腔室前后双平台结构,可支持10个工艺模块,能够进行全自动工艺处理。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。其中工艺模块主要用于晶圆表面预处理和薄膜沉积,传输模块用于把晶圆安全而准确地送达到指定工位。
eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统,适用于12英寸集成电路领域,是一款PVD设备。该系统集成高温去气、等离子体预清洗、高温Al、TaN、TTN等多种工艺模块,能在系统内部实现工艺整合,还涉及大平台传输、高温静电卡盘、磁控溅射源设计、厚铝Whisker Defect控制及软件控制等多项关键技术。
Esther E320R 8英寸单片减压硅外延系统主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺的运行。该设备主要由传输系统模块、工艺腔室模块、压力控制模块等组成。精准的压力、气流场与温场控制,保证了外延片良好的工艺性能,保证成膜质量。传输模块可兼容多种晶圆尺寸,同时满足多种类的工艺需求。
HORIC L200卧式低压化学气相沉积系统,主要用于半导体产线8英寸及以下晶圆淀积SiN、POLY、SiO₂等薄膜,设备工艺性能好、产能大、可靠性高,可满足半导体领域的多种产线需求。设备包含净化工作台、炉体机箱、气源柜、真空系统及电气控制系统五大部分,相关模块齐全,可根据不同客户需求进行配置。