德国Allresist 电子束光刻胶 (e-beam resist)
类型 | 型号 | 特性 |
正胶 | SX AR-P 6200 NEW! | 超高分辨率电子束正胶,通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比(20:1)、超高对比度(>15)。良好的耐干法刻蚀性能,是传统PMMA胶的2倍。 完全可以取代ZEP胶,经济实惠,并且采购简单,包装规格多样化。 |
AR-P617 PMMA/MA共聚物 | 适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高,是普通PMMA胶的3~ 4倍,对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。 | |
PMMA | PMMA(polymethyl methacrylate)是电子束曝光工艺中最常用的正性光刻胶,是由单体甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)经聚合反应而成。 PMMA胶最主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。 PMMA胶种类齐全,不同的系列中包含了各种分子量(50K, 200K, 600K, 950K),各种溶剂(氯苯,乳酸乙酯,苯甲醚)以及各种固含量的PMMA胶,以满足各类电子束光刻的工艺要求。 PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。 (注:工厂可根据用户的需求,定制所需分子量、固含量的PMMA胶。)
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AR-P 6510 | AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外,厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全,厚度从10~250μm不等,图形剖面陡直。 | |
负胶 | AR-N 7520 AR-N 7500 | 电子束负胶,高分辨率(30nm),对比度高(> 5),良好的耐等离子刻蚀性能,可以用于混合曝光。灵敏度中等,介于AR-N 7700和PMMA之间。 |
AR-N 7700 | 电子束负胶,化学放大胶,高灵敏度,高对比度,良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能,可以用于混合曝光。 | |
AR-N 7720 | 电子束负胶,用于三维曝光工艺。 化学放大胶,高灵敏度,对比度非常小(<1),非常适合制作三维结构;也可以用于衍射光学及全息器件的加工。 | |
X AR-N 7700/30 SX AR-N 7700/37 | 化学放大负胶,高分辨率,良好的耐等离子刻蚀能力,适合混合曝光。高灵敏度,灵敏度比AR-N 7700更高。 |
配套试剂
(Process chemicals)
类型 | 型号 | 特性 |
显影液 | AR 300-26, -35 | 紫外光刻胶用 显影液 |
AR 300-44,-46,-47, -475 | 紫外/电子束光刻胶用 显影液 | |
AR 600-50,-51,-55,-56 | PMMA胶用 显影液 | |
定影液 | AR 600-60,-61 | 电子束光刻胶用 定影液 |
除胶剂 | AR 300-70, -72, -73,600-70 | 紫外/电子束光刻胶用 除胶剂 |
稀释剂 | AR 600-01…09 | PMMA胶 稀释剂 |
AR 300-12 | 紫外/电子束光刻胶用 稀释剂 | |
增附剂 | AR 300-80, HMDS | 紫外/电子束光刻胶用 增附剂 |
- 产品分类
- 品牌分类
- 光刻机/3D打印机/电子束直写仪
- 镀膜沉积系统
- 离子刻蚀与沉积系统
- 匀胶涂覆系统
- 半导体辅助工艺/光刻胶
- 半导体微纳检测仪
- 实验检测仪器
- 太阳能检测仪
- 紫外线UV光清洗/等离子清洗
- 晶圆贴片/贴膜/UV解胶机/晶圆清洗机
- (荷兰)荷兰TSST
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- (美国)美国nanoArch
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- (美国)美国Anasazi
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