I线步进式光刻机 / I-line stepper
型号:Nikon NSR-I12
技术指标及功能
广泛应用于生产线,是6英寸,8英寸等主力I线生产机台,适用于I线光刻胶的曝光,操作简单,曝光精度准,解析力最 高可达0.35UM (350NM)
报价:面议
已咨询1007次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询6079次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询917次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询3984次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询1338次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询582次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询3015次日本Nikon 步进光刻机
报价:面议
已咨询848次光学显微镜
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。