PHI X-tool 飞行时间二次离子质谱仪

产品介绍：

一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片
只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面，被质量分析器探测出来
对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%

Excitation Process激发过程

离子产生和表面灵敏度

一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片 

只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面，被质量分析器探测出来

对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%

对于有机材料，原子和分子离子碎片百分含量可以从 .001% 到 1%

只从表面2个分子层激发出的粒子可以以离子态离开表面

TOF-SIMS 主要功能

采集离子质谱图用于表面元素（原子离子），同位素，分子化学结构（通过分子离子碎片）的表征

点或面扫描（2D成像）得到成分分布像，观察不同成分在同一条线或面的分布情况

深度剖析和3D成像可以分析不同的膜层结构和成分深度分布信息：多层膜层结构表征，成分掺杂深度，扩散，吸附等表征

应用实例：

• 所有元素探测– H, He, Li, etc. （H~U)

• 同位素的探测 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.

• 详细的分子信息 – 有机和无机

• 分子成像 

• 平行探测–图像中每一像素点都有对应的全质谱

• 表面灵敏 – 样品表面 1-3 个原子 /分子层

• 痕量分析灵敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子浓度

• 快速数据采集 – 通常 1 – 15 分钟 (表面 IMS)

• 高空间分辨率

• < 70 nm （成像模式下）

• < 0.5 µm  （保持较好质量分辨率下）

•  表面物理形貌信息 

•  离子击发出的 SEI （二次电子像） < 60 nm

•  大的立体接收角 ~ 180o

• 可分析所有材料 – 导体，半导体和绝缘材料

技术参数：