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ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机
品牌:德国Sentech
型号:SI 500
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System 100 等离子刻蚀与沉积设备
品牌:牛津仪器
型号:PlasmalabSystem 100
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PlasmaPro 100 ALE牛津原子层刻蚀机
品牌:牛津仪器
型号:PlasmaPro 100 ALE
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离子束刻蚀机
品牌:美国Nano-Master
型号:NIE-4000,NIR-4000 IBE/RIE
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日本SAMCO RIE等离子蚀刻设备
品牌:SAMCO
型号:RIE-10NR
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NMC ICP反应离子刻蚀机
- 品牌:北京华测
- 型号: NMC ICP
- 产地:美国
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源自动控制器 Power Supply and Control
- 品牌:美国KRI
- 型号: Power Supply and Control
- 产地:美国
KRI Ion Source 应用领域: 无栅极等离子源技术 ----End-Hall 离子/等离子源 有栅极离子源技术 ----RFICP 离子源 ----DC 离子源 电子源技术 ----灯丝 ----中空阴极 (Hollow cathode) ----等离子中和器 单机应用 ----直流电源 (DC power) ----射频电源 (RF power)
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反应离子刻蚀机PlasmaStar 200
- 品牌:美国AXIC
- 型号: PlasmaStar 200/200RIE
- 产地:美国
PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。型号: 反应离子刻蚀机PlasmaStar 200/200RIE产地: 美国品牌: Axic环球供应,本地服务!MYCRO专业为您提供实验室RIE反应离子刻蚀机设备,全方位的技术服务及售后,MYCRO值得您的的信赖!技术规格:型号PlasmaS
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 40
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 40
- 产地:美国
KRI 射频离子源 RFICP 40 上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 100
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 100
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
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上海伯东 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH Linear
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现最佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布. KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋转溅射系统. 霍尔离子源 eH 400 尺寸 尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3” 放电电压 / 电流: 50-300eV / 5A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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上海伯东 考夫曼离子源中空阴极 Hollow Cathodes
- 品牌:美国KRI
- 型号: Hollow Cathodes
- 产地:美国
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供中空阴极 e-Mission Hollow Cathodes 结构紧凑, 重量轻, 可以安装在离子源或真空系统的侧面, 相对于灯丝的模式有更长的使用寿命, 这在运行忌讳突然中断的复杂工艺时, 是非常有意义的. 而且离子源中空阴极 Hollow cathode 辐射的热量更低, 可以使衬底获得更低的温度,对于对温度敏感的衬底材料而言, 使用中空阴极更有优势.
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感应耦合等离子刻蚀机 STS Multiplex ICP
- 品牌:STS
- 型号: Multiplex ICP
- 产地:英国
一、设 备 信 息 MACHINE INFORMATION1、产品信息 Product Information: 6英寸 硅片 (MEMS Process)2、设备重量 Unit Weight: 1200Kg3、运行数量 Run Number: Single wafer4、腔体配置 Chamber Configuraton∶ 1X Chamber5、设备尺寸 Machine Size: 详见附件 《设备机械 图纸》See Attachment二、硬件配置 HARDWARE CONFIGURAT
- 离子束刻蚀系统
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