RTP快速退火在GaN器件中的应用：解决哪些关键问题？

一、合金化退火：形成低电阻、高稳定性的欧姆接触

解决的问题：

• 促进金属层（如Ti/Al/Ni/Au、Sc/Al/Mo/Au）的热扩散，降低接触电阻；

• 形成高重复性、高稳定性的欧姆接触；

• 提高器件稳定性、重复性和灵敏度；

• 控制热扩散程度，避免空洞等缺陷；

• 改善不同退火温度下的欧姆/肖特基特性调节；

对应案例：案例一至案例六。

二、改善界面质量与降低界面态密度

解决的问题：

• 降低Al?O?/GaN界面缺陷密度；

• 改善界面平整度，减少漏电流；

• 提高MIS-HEMT器件的阈值电压（Vth）稳定性；

• 通过后金属化退火（PMA）提升界面质量；

对应案例：案例四、案例五。

三、致密化退火：提升氧化物和界面质量

解决的问题：

• 修复氧化层缺陷，提高氧化物质量；

• 改善外延层结晶取向，提升界面质量；

• 提高薄膜致密度，降低表面粗糙度；

• 增强光学反射率，提升器件性能（如DUV LED）；

对应案例：案例七、案例八。

四、离子注入后退火：修复晶格损伤、激活掺杂原子

解决的问题：

• 修复离子注入造成的晶格损伤；

• 激活掺杂原子（如Si、Mg、N）；

• 提高发光效率和波长调控能力；

• 减少高温段停留时间，降低衬底挥发和缺陷；

对应案例：案例九、案例十。

五、等离子体处理后退火：修复损伤、提高击穿电压

解决的问题：

• 修复氢气等离子体处理造成的损伤；

• 形成钝化层，提高击穿电压；

• 减少缺陷，提高器件可靠性；

对应案例：案例十一。