详细介绍
主要功能：
利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。
技术指标：
肖特基热场发射电子源
加速电压：100V～30kV
放大倍率：12X～1000,000X
SEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）
电子束曝光：10nm（20kV）
场拼接精度：<100nm
扫描频率：6MHz
图形格式：GDSII
产品优势
利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（zui小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。
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- 光刻机/3D打印机/电子束直写仪
- 镀膜沉积系统
- 离子刻蚀与沉积系统
- 匀胶涂覆系统
- 半导体辅助工艺/光刻胶
- 半导体微纳检测仪
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