分子束外延系统特点

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延为一种物理沉积单晶薄膜方法。高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法在超高真空腔内为源材料所采用，使得分子束流产生。入射分子束与衬底对能量进行交换以后，通过表面吸附、迁移、成核、生长成膜。多种监控设备为生长系统所配备，能够瞬时测量分析生长过程中衬底温度，生长速度，膜厚等。能够精确地监控对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节。因为MBE有着洁净的生长环境，有着较低的温度，精确的原位实时监测系统为其所具有，晶体有着较好的完整性，有着均匀准确的组分与厚度，作为光电薄膜，半导体薄膜生长工具非常良好。

分子束外延系统特点

1、不是在热平衡条件下进行MBE生长，为一个动力学过程，多以通常热平衡生长难以得到的晶体能够生长。

2、生长过程中，真空中有表面，通过附设的设备能够对生长过程、组分、表面状态等进行原位（即时）观测，分析、研究。