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微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD
品牌:德国iplas
型号:iplas CYRANNUS
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YES-EcoCoat硅烷单层气相沉积系统
品牌:美国YES
型号:YES-EcoCoat
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
品牌:美国Nano-Master
型号:NPE-3500PECVD
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NLD-3500 (A) ,全自动原子层沉积系统
品牌:美国Nano-Master
型号:NLD-3500(A),
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Denton 等离子体增强型化学气相沉积 PE-CVD
品牌:美国Denton Vacuum
型号:DentonPE-CVD
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激光分子束外延分析系统 180 Laser MBE/PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: 180 Laser MBE/PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统 有机和聚合物薄膜的沉积 在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射和直流离子源 Load-lockable衬底阶段 与XPS分析系统集成,直接将晶片从PLD系统转移到分析系统
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德国IPLAS 微波等离子化学气相沉积系统CYRANNUS
- 品牌:德国iplas
- 型号: iplas 微波等离子化学气相沉积系统
- 产地:德国
德国IPLAS MPCVD CYRANNUS® 专 利技术微波等离子化学气相沉积系统,广泛应用于第四代半导体,射频器件,散热器件,光学窗口等高科技令域。晶圆生长金刚石膜,是第四代半导体材料。
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德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统
- 品牌:德国iplas
- 型号: iplas Mpcvd 915MHz
- 产地:德国
德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统,德国 iplas公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术(CYRANNUS®),可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率,使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团,从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善,这正是获取优质金刚石的技术基础。
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德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统
- 品牌:德国iplas
- 型号: Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统
- 产地:德国
德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统,德国 iplas公司的独 家 专 利多天线耦合微波等离子技术(CYRANNUS®),可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率,使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团,从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
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德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-16" 915MHz 系统
- 品牌:德国iplas
- 型号: Cyrannus 1-16" 915MHz 系统
- 产地:德国
德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-16" 915MHz 系统,德国 iplas公司的独 家专 利多天线耦合微波等离子技术(CYRANNUS®),可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率,使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团,从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善,这正是获取优质金刚石的技术基础。
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Plasma Stripper (Asher) 等离子去胶机(灰化)
- 品牌:牛津仪器
- 型号: Plasma Stripper (Asher)
- 产地:英国
。开放式设计,可快速加载和卸载晶圆。 。基片放置在石英上,以避免溅射/再沉积电极材料 。通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室 。电感耦合等离子体(ICP)和电极的独立射频发生器提供对离子能量和离子密度的独立控制 。高电导泵浦端口提供高的气体吞吐量,以zui快的腐蚀速率 。使用等离子体源,生成单原子反应种。氧是zui常见的反应物质。
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德 Iplas 微波等离子化学气相沉积
- 品牌:德国iplas
- 型号: Iplas
- 产地:德国
德 Iplas 微波等离子化学气相沉积技术,通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。
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英国Oxford 等离子增强化学气相沉积 Plasmalab System100
- 品牌:牛津仪器
- 型号: Plasmalab System100
- 产地:英国
·可蒸发不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域; ·沉积薄膜种类:SiO2,SiNx,SiONx。
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微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD
- 品牌:德国iplas
- 型号: iplas CYRANNUS
- 产地:德国
1. CYRANNUS®技术无需在样品腔内安装内部电极,在沉积腔内,没有工作气体以外的任何物质,洁净,无污染源。等离子发生器可以保持长寿命,并可以确保腔内的等离子体的均匀分布,进一步生成晶体的纯净度和生长周期。 2. CYRANNUS®技术的腔外多电极设置,确保等离子团稳定生成于腔内ZX位置,对腔壁、窗口等无侵蚀作用,减少杂质来源,提高晶体纯度。由CYRANNUS®系统合成的金刚石,纯度均在VVS级别以上。
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微波等离子化学气相沉积系统
- 品牌:德国iplas
- 型号: CYRANNUS
- 产地:德国
微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD 宝石级大尺寸单晶金刚石制备系统 微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司ZL的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限,可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团,大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体
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YES-自动硅烷单层沉积系统
- 品牌:美国YES
- 型号: YES VertaCoat
- 产地:美国
将拥有成本降低30%以上,同时ZDCD地减少自动化大批量生产中的化学用量。将VertaCoat配置为适用于各种需要精确表面修饰,高产量和可靠性的应用。
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YES-EcoCoat硅烷单层气相沉积系统
- 品牌:美国YES
- 型号: YES-EcoCoat
- 产地:美国
具有原位等离子体的硅烷单层气相沉积系统
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德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备 TETRA240
- 品牌:德国Diener
- 型号: DienerPECVDTETRA240
- 产地:德国
德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。
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Denton 等离子体增强型化学气相沉积 PE-CVD
- 品牌:美国Denton Vacuum
- 型号: DentonPE-CVD
- 产地:美国
PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比,等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案,同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积,而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体),其中能量转移到气体混合物中。
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PECVD+RIE等离子体增强化学气相沉积和反应
- 品牌:深圳科时达
- 型号: PECVD+RIE
- 产地:深圳
系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF),可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。
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原子层沉积系统 R系列
- 品牌:芬兰Picosun
- 型号: R
- 产地:芬兰
PICOSUN拥有30多年在芬兰ALD反应器制造而得到的专业技术。Tuomo Suntola博士,于1974年发明了ALD技术,是PICOSUN董事会的成员。我们的首席技术官SVEN LINDFORS从1975年开始连续的设计ALD系统。综合起来讲,PICOSUN拥有了200多年的ALD经验并贡献了100多项ALDZL。我们悠久的历史和广泛的背景使PICOSUN成为ALD技术优质的合作伙伴。技术参
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SAL3000原子层沉积系统
- 品牌:日本AGUS
- 型号: SAL3000
- 产地:日本
SAL-3000 ALD原子层沉积系统SAL3000是一款适用于研究型的ALD原子层沉积设备,该设备最多可搭载6路前驱体,适用于4英寸(φ100mm)以下基底材料的镀膜。
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NLD-3500 (A) ,全自动原子层沉积系统
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NLD-3500(A),
- 产地:美国
NLD-3500(A)全自动原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供ZY的薄膜性能。
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PEALD 原子层沉积系统
- 品牌:深圳科时达
- 型号: PEALD
- 产地:深圳
1.ALD (传统的热原子层沉积);2.PEALD (等离子增强原子层沉积);3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积);仪器简介:原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),也称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer 180 MAPLE PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer180MAPLEPLD
- 产地:美国
基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)是PLD的一种变体。这是由NRL集团新引入的技术,以促进某些功能有机材料的薄膜沉积。基于UV (5-6 eV)的传统PLD技术中,光化学反应可能会恶化有机分子、聚合物等的功能。而在MAPLE中,通过将待沉积的有机物(或聚合物)与吸收激光波长的溶剂(基质)混合来制备特殊的靶。除了光学吸收外,在沉积条件下的高蒸气压是基质的先决条件。
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美国FALD原子层沉积系统 AT-600
- 品牌:深圳科时达
- 型号: FALDAT-600
- 产地:深圳
原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子。
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NPE-3500PECVD
- 产地:美国
NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到ZD可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。
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金属有机化合物化学气相沉积
- 品牌:美国Rocky Mountain
- 型号: MOCVD
- 产地:美国
其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。
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电子束蒸发源
- 品牌:德国tectra
- 型号: DZSZFY
- 产地:德国
对于使用常用热蒸发技术非常难蒸发的材料,电子束蒸发是一种有效的蒸发手段.通过高能电子束射向靶材来升高靶材温度.相比于通常辐射或间接电阻加热方式,使用这种方式来达到温度没有本质的限制。
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热舟蒸发源 / K Cell
- 品牌:德国tectra
- 型号: K Cell
- 产地:德国
我司提供的这款热舟蒸发源是由高质量,完全与高真空兼容材料构成,并且可以烘烤至250℃。
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金属有机化合物化学气相沉积
- 品牌:美国Rocky Mountain
- 型号: MOCVD
- 产地:美国
※ 应用方向:氧化物、氮化物、碳化物、二维硫族化合物 等。 ※ MOCVD系统使用固体、液体金属有机源,在不同衬底上沉 积氧化物 氮化物 III-V族和II-VI族膜层。 ※ 1~4英寸MOCVD系统。 ※ 专为满足科研单位需求而设计。 ※ MOCVD配有前驱体直接处理单元,用于外延材料的研发 和制备。 ※ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺。 ※ 高性价比,满足多种应用需求。
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超高真空多腔室物理气相沉积系统
- 品牌:美国PVD
- 型号: 4000
- 产地:美国
该系统由全球专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.
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等离子体增强化学气相沉积系统
- 品牌:美国PVD
- 型号: G 4000
- 产地:美国
PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
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快速热化学气相沉积系统(RTCVD)
- 品牌:韩国ECOPIA
- 型号: RTCVD
- 产地:韩国
快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商:韩国EcopiaRTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。性能和特点:- 温度范围:室温 ~ 1500°C;- 升温速度:200°C/s;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空度:~10-6Torr;
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低压化学气相沉积系统(LPCVD)
- 品牌:韩国ECOPIA
- 型号: LC-100, LC-102
- 产地:韩国
低压化学气相沉积设备(LPCVD)产地:韩国Ecopia;有单管和双管两个不同的型号,用于科研或者小规模生产。性能和特点: - 温度范围:500 ~ 1000摄氏度;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空范围:~ 10-6 Torr;典型应用:- 无应力氮化硅;- LPCVD;- 退火;- 氧化;- 其他...
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高级型脉冲激光沉积系统 Pioneer 120 Advanced PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 120 Advanced PLD
- 产地:美国
独立的交钥匙PLD系统。 外延薄膜、多层异质结构和超晶格的沉积。 利用原位RHEED诊断技术沉积纳米级薄膜。 氧化膜沉积的氧相容性。 升级:负载锁定,激光加热器,RF/DC溅射,组合PLD 与超高真空溅踱系统集成。 与XPS /ARPES超高真空集群工具集成。
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组合型脉冲激光沉积系统 Combinatorial PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Combinatorial PLD System
- 产地:美国
连续组成扩展功能(CCS)可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料,大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间, 实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料,没有必要使用掩模。可以在每一次循环中,以小于 一个单分子层的速率,快速连续沉积每一种组份,其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或 结晶,对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司 PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能(CCS-PLD)和标准型 PLD 功能。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer 120 PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 120 PLD System
- 产地:美国
Pioneer 120 PLD System是基础型独立PLD系统,用于制备高质量的外延薄膜、多层异质结、超晶格等。该PLD系统与Pioneer 120 Advanced系统和Pioneer 180 PLD系统的主要区别是衬底加热阶段。Pioneer 120 Advanced系统使用导电加热阶段用于衬底加热, 其他模型使用辐射加热阶段。为了达到950°c的额定高温,基板必须与加热板紧密接触,用银浆提供加热板和基板之间的紧密接触(当需要这些高温时)。在不需要银浆的情况下,还提供衬底夹来固定衬底。在这些情况下,ZG衬底温度可能低于额定950°c。加热器是氧兼容的,能达到1大气(760托)的氧, 这个特性有助于制备外延氧化薄膜:可能需要在氧气环境后沉积和氧气压力接近1 atmosphere后退火冷却。Pioneer 120 PLD系统包括一个自动多目标转,具有目标旋转、目标光栅和软件控制的多层和超晶格沉积所需的目标选择。闭环压力控制提供了使用质量流量控制器的精确过程压力控制。干式泵是由机械隔膜泵或涡旋泵支持的涡轮分子泵组合而成。该系统软件(Windows 7, LabView 2013)控制基材加热器,目标转,过程压力,系统泵和激光触发。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer120 Advanced PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer120 Advanced PLD System
- 产地:美国
Neocera Pioneer 系列 PLD 系统— 基于zhuo越经验的创新设计 Neocera 利用PLD 开展了深入广泛的研究,建立了获得**薄膜质量的临界参数,特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。 这些思考已经应用于Pioneer 系统的设计之中。
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plasma设备 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-3000
- 产地:美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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PECVD镀膜设备 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-3500
- 产地:美国
NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求,无论是等离子强度、均匀度,还是要分别激活某些活性组份,这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
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