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原子层沉积系统为一种在化学、材料科学领域进行应用的工艺试验仪器。原子层沉积为一种能够在基底表面通过单原子膜形式一层一层的镀物质的方法。原子层沉积类似于普通的化学沉积。然而新一层原子膜的化学反应在原子层沉积过程中是直接关联之前一层的,该种方式使每次反应仅仅沉积一层原子。
原子层沉积系统研究
1、对工艺条件改变来进行多组仿真实验,结果证明前驱体温度、反应室真空度、基片温度等多种因素会对薄膜的粗糙度产生影响。在这当中初始沉积时间和生长速率受到基片温度zui为显著的影响。在温度窗口内,越低的基片温度,薄膜就会越缓慢地生长,就会有越长的初始沉积时间,增加了表面粗糙度。初始沉积过程随着基片温度的升越短暂,薄膜封闭的越快,温度越高,生长速率就和1ML/cycle(单分子层/循环)越接近,就会有越小的表面粗糙度,比较文献中报道的结果和仿真结果,两者有着较好的吻合,与此同时,存在ALD薄膜生长过程中两个阶段得到了进一步的证实。zui后,一个理论基础通过分析该模型存在偏差的原因被提供用于ALD的应用研究。
2、ALD过程一般有初始沉积和后续生长两个不同的沉积阶段存在被提了出来。岛状生长和层状生长分别为薄膜的生长的两种表现形式。在这当中,初始沉积阶段对薄膜形态的影响不可忽略。
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