法国Annealsys 高温退火炉AS-ONE
Annealsys 高温退火炉AS-ONE
日本Advance Riko 超高温高速退火炉HT-RTA59HD,CAS-59AQ
日本Advance Riko 超高温高速退火炉HT-RTA59HD,CAS-59AQ
日本Advance Riko 超高温高速退火炉
法国Annealsys 高温退火炉AS-ONE
Versatile Rapid Thermal Processing system for silicon, compound semiconductors, solar cells & MEMS 多用途快速热处理设备,适用于硅,化合物半导体,太阳能电池& MEMS
Up to 1450°C (100HT version), up to 200°C/s, high vacuum capability, fast cooling option 最高温度到1450℃(100HT版本), 升温速率最大200℃/s, 高真空性能,快速冷却选项
Applications 应用
. Implant annealing 注入退火
. Ohmic contact annealing (III-V and SiC) 欧姆接触退火(III-V 和SiC)
. Rapid Thermal Oxidation (RTO) 快速热氧化(RTO)
. Rapid Thermal Nitridation (RTN) 快速热氮化 (RTN)
. Selenization (CIGS solar cells) 硒化(CIGS太阳能电池)
. CVD of graphene 石墨烯CVD
. Silicon carbonization 碳化硅
. Sol-gel densification and crystallization 溶胶凝胶致密性和结晶化
. Diffusion from spin-on dopants 从旋涂掺杂物扩散
.Etc. 等等
Substrate types 基片类型
• Silicon wafers硅片
• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片
• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片
• Silicon carbide wafers碳化硅基片
• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片
• Glass substrates玻璃基片
• Metals金属
• Polymers聚合物
• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基片托
• Etc等等
Key Features 主要特性
• Infrared halogen tubular lamp furnace with silent fan cooling •配有无声风扇冷却的红外卤素管灯退火炉
• Stainless steel cold wall chamber technology •不锈钢冷壁腔室技术
• Fast digital PID temperature controller •快速数字PID温度控制器
• Thermocouple and pyrometer control •热电偶和高温计控制
• Atmospheric and vacuum process capability •常压和真空下工艺性能
• Purge gas line with needle valve •配有针阀的吹扫气路
• Up to 5 process gas lines with digital MFC •最多5路工艺气路配有数字MFC控制器
• PC control with Ethernet communication for fast data logging •配有以太网通讯的PC控制,用于快速数据记录
• Optional turbo pump and pressure control •可选分子泵和压力控制
Floor standing system for reduced footprint 减少占地空间的立式设备

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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。