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仪器网>产品中心>智能工业自动化>其它>光刻胶 更新时间:2026-01-24 01:45:28

光刻胶

(共33件相关产品信息)
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推荐厂商:
产品分类:
更多 回流炉 固化炉 键合对准机 光刻胶 配套工具 无人机 其它自动化仪器设备
产品产地:
不限 中国大陆 大洋洲 欧洲 亚洲 美洲
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不限 自营 代理 经销
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综合
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    无掩模光刻机,激光直写系统

    韩国MIDAS 亚洲 韩国
    科睿设备有限公司
    光刻工艺是半导体工艺Z关键的步骤之一,用于图形定义,直接决定半导体整线 工艺的水平。
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    德国 ALLRESIST 紫外光刻胶

    德国Allresist AR-P 1200,AR-U 4000,AR-N2200 欧洲 德国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    德国 ALLRESIST 紫外光刻胶,各种工艺:喷涂专用胶,化学放大胶,lift-off胶,图形反转胶,高分辨率胶,LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。
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    富士负性PI LTC9000系列光刻胶

    富士 亚洲 日本
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
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    ZEP520A 电子束光刻胶

    深圳一正 ZEP520A 广东 深圳
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    ZEP520A是一种高性能正电子束电阻,具有高分辨率、高分辨率敏感性和耐干腐蚀性。适用于各种电子束工艺。
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    AZ 1500 系列i线光刻胶

    美国AZ technology AZ1500(1505,1518,1529,1514H,15 美洲 美国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    AZ 光刻胶 AZ1500 系列,其中型号AZ1500(1505,1518,1529,1514H,1512HS,1518HS)
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    英国EM SML Resist 电子束光刻胶

    英国EMS ,SML50,SML100,SML300,SM600,SML 欧洲 英国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    英国EM Resist 电子束光刻胶 SML Resist ,SML50,SML100,SML300,SM600,SML1000,SML2000
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    德国Allresist AR-P617 电子束光刻胶

    德国Allresist AR-P617 欧洲 德国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列 用于纳米光刻的 AR - P617电子束电阻 共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模
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    AR-P 6200正电子束光刻胶

    德国Allresist AR-P 6200 (CSA-62) 欧洲 德国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 6200 (CSA-62),高分辨率,用于生产集成电路和掩模的高对比度电子束电阻。
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    SU-8 2000 永 久性环氧负性光刻胶

    美国MicroChem SU-8 美洲 美国
    深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    SU-8 2000是一种高对比度的环氧树脂基光刻胶,适用于微加工和其他微电子应用领域,需要厚、化学和热稳定的图像。SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来被MEMS生产厂家广泛使用。采用更快的干燥速度,更极性的溶剂体系,可改善涂层质量,提高工艺吞吐量。SU-8 2000有12种标准粘度可供选择。
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    Xpect Inx 光刻胶

    nanoscribe Xpect Inx 欧洲 德国
    纳糯三维科技(上海)有限公司
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    Nanoscribe IP系列光刻胶

    nanoscribe IP 欧洲 德国
    纳糯三维科技(上海)有限公司
    由Nanoscribe研发的IP系列光刻胶是用于超高分辨率微纳加工的标准材料。所打印的亚微米级别分辨率器件具有超高形状精度,属于目前市场上易于操作的“负胶”。
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    光刻胶

    LOR 美洲 美国
    香港电子器材有限公司
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    光刻胶干膜

    美国DJ Devcorp SUEX 美洲 美国
    香港电子器材有限公司
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    光刻胶

    gL2000 美洲 美国
    香港电子器材有限公司
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    光刻胶

    PriElex® SU-8 美洲 美国
    香港电子器材有限公司
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    冠乾科技 纳米压印胶 正性光刻胶 负性光刻胶 显影液 去胶液

    冠乾科技 上海 浦东新区
    冠乾科技(上海)有限公司
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    Allresist 光刻胶 AR系列

    德国Allresist AllresistAR 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    刻胶(resist) 概 述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC),封装(Packaging),微机电系统(MEMS),光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板显示器(LED,LCD,OLED),太阳能
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    Allresist 紫外光刻胶 AR-N 4600 (Atlas 46)

    德国Allresist AllresistAR-N4600(Atlas46) 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    特点:• 紫外负胶(厚胶),适用于 LIGA 及 MEMS应用• 涂胶厚度 10μm@1000rpm, 可提供更高厚度(200μm)• SX AR-N 4600-10 : 结构稳定性好、重复性好,厚度可达几百 微米,适用于保留胶体结构的应用• SX AR-N 4650-10 : 容易去胶,适合于电铸工艺
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    电子束光刻胶 AR-PC 5090.02, 5091.02(导电胶)

    德国Allresist AR-PC5090.02,5091.02() 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    特点:• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶,操作简单• 涂胶厚度:40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶于水,非常容易去除,且不损伤衬底材料• 对紫外光、电子束不敏感,无需黄光室 5090.02,适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等。
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    Allresist 紫外光刻胶 AR-N 4400

    德国Allresist AllresistAR-N4400 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    特点:• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段:Broadband UV、i-line(365nm) g-line(436nm)、 e-beam、X-ray、synchrotron• 涂胶厚度从几微米到上百微米不等• 覆盖能力强,分辨率高,图形边缘结构陡直• 化学放大胶,具有非常高的灵敏度• 可得到undercut结构,用于lift-off工艺• 可替代SU8胶 。
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    Allresist 电子束光刻胶 AR-N7700

    德国Allresist AllresistAR-N7700 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    特点:• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段:e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段: 负胶:248nm~265nm & 290nm~330nm• 化学放大胶,高灵敏度• 良好的耐干法刻蚀能力。
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    Allresist 特殊功能光刻胶 SX AR-PC 5000/41

    德国Allresist AllresistSXAR-PC5000/41 欧洲 德国
    深圳市科时达电子科技有限公司
    点:• 耐酸碱保护胶• 不含光敏物质,无需黄光室• 在40% KOH或50% HF酸中可长时间稳定• 通过双层工艺可实现正性(AR-P 3250) 或负性(AR-N 4400-05/10)光刻工艺 旋涂曲线。
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    ¥480000

    光刻胶激光颗粒计数器

    普洛帝 PMT-2 陕西 西安
    西安卡尔德工控技术有限公司
    PMT-2光刻胶激光颗粒计数器,采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器,双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统,可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析,目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。
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    硅片清洗机 SWC-3000兆声辅助光刻胶剥离系统 那诺-马斯特

    美国那诺-马斯特 SWC-3000 美洲 美国
    那诺—马斯特中国有限公司
    SWC-3000兆声辅助光刻胶剥离系统:Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗,以及兆声辅助的光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。
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    半导体晶圆清洗设备 SWC-4000兆声辅助光刻胶剥离系统 那诺-马斯特

    美国那诺-马斯特 SWC-4000 美洲 美国
    那诺—马斯特中国有限公司
    SWC-4000兆声辅助光刻胶剥离系统:Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗,以及兆声辅助下光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。
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    ¥222222

    光刻胶微纳米粒子检测仪

    普洛帝 PMT-2 陕西 西安
    陕西普洛帝测控技术有限公司
    在线优势:清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析,都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所,并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示,能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。 离线优势:移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式,解决连续跟踪监测的生产过程难题,无论您是即时测量还是清洁跟踪监测,都会为您提供完善的测试方案,让您的测试更加快捷。

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光刻胶激光颗粒计数器

PMT-2光刻胶激光颗粒计数器,采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器,双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统,可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析,目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。

光刻胶液体颗粒计数器 微纳米粒子计数仪

PMT-2液体颗粒计数仪采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器,双JZ流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统,可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析,目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。

SU-8 2005 光刻胶

SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至> 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

光刻胶SU-8 2000

SU-8 2000是一种高对比度,基于环氧的光致抗蚀剂,设计用于微加工和其他微电子应用,需要厚,化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥,极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。

柯达光刻胶PKP II

光刻胶微纳米粒子检测仪

在线优势:清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析,都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所,并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示,能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。 离线优势:移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式,解决连续跟踪监测的生产过程难题,无论您是即时测量还是清洁跟踪监测,都会为您提供完善的测试方案,让您的测试更加快捷。

电子束曝光(EBL)阻剂/光刻胶

光刻胶

应用方案

光刻胶无损测厚仪 半导体光刻胶国产化进程 负型光刻胶光刻流程 液体处理 | 助力光刻胶金属杂质分析 实测案例——光刻胶薄膜显影过程的原位表征 【阿拉丁】光刻胶试剂:半导体精细制造的“像素基石” 破解光刻胶聚合物“杂质密码” | APC高效分离新应用 GPC/APC技术揭晓光刻胶树脂的分子级奥秘 半导体应用专题 | 光刻胶用色浆均一性的 一体化解决方案 半导体行业应用专题 | 光刻胶用色浆均一性的一体化解决方案

行业资料

光刻胶 AR Flyer 光刻胶产品样册 光刻胶产品彩页 光刻胶用色浆均一性解决方案 光刻胶薄膜的溶涨性能研究 卡尔费休容量法测定光刻胶去除液中的水分 第十二期 光刻胶——光刻图形转移工艺的重要媒介 NexION 300S ICP-MS 对光刻胶中的Si的分析 晶圆上的光刻胶残留和有机污染物的可视化 英国EM R公司出品的PMMA系列光刻胶技术资料(1%-17%电子束曝光阻剂)

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