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磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器,于2015年05月25日启用。
磁控溅射为物理气相沉积的一种。金属、半导体、绝缘体等多材料的制备通常会采用一般的溅射法,其的特点为有着较为简单的设备,控制起来不困难,有着较大的镀膜面积以及有着较强的附着力等。在上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是使高速、低温、低损伤得以实现。由于高速溅射是在低气压下进行,必须要使气体的离化率得到有效地提高。磁控溅射利用将磁场往靶阴极表面引入,通过磁场约束带电粒子来使得等离子体密度提高进而使得溅射率增加。
磁控溅射介绍
70年代,一种高速低温溅射技术迅速发展起来,即为磁控溅射。磁控溅射为一个正交电磁场在阴极靶的表面上方形成。当在阴极位降区内加速溅射产生的二次电子使其成为高能电子以后,并不直接往阳极飞,而是在正交电磁场作用下作和摆线相类似的来回振荡的运动。高能电子持续碰撞气体分子并且转移能量给后者,,使之电离而本身变为低能电子。这些低能电子zui终会沿着磁力线往阴极附近的辅助阳极漂移而被吸收,从而使高能电子对极板的强烈轰击得以避免,从而使二极溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤得以消除,磁控溅射中极板“低温”的特点得以体现。因为存在外加磁场,电子的复杂运动使电离率增加了,使高速溅射得以实现。与电场方向垂直的磁场产生在阴极靶面附近为磁控溅射的技术特点,通常采用yong久磁铁即可实现。
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