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Nano-master 离子束刻蚀溅射镀膜一体机 NOC-4000
品牌:美国Nano-Master
型号:NOC-4000
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PECVD Depolab 200 等离子体沉积机
品牌:德国Sentech
型号:Depolab 200
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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
品牌:芬兰Picosun
型号:PICOSU NALD R-200
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原子层沉积系统ALD
品牌:德国爱谱斯
型号:
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PICOSUN 高级原子沉积机 P-300B Advanced ALD
品牌:芬兰Picosun
型号:P-300B
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ald原子层沉积 NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-4000(ICPA)
- 产地:美国
NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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原子层沉积系统ALD
- 品牌:德国爱谱斯
- 型号:
- 产地:德国
ALD可实现从传统的 0D、1D 和 2D 材料到仿生结构和混合材料、多孔模板和具有均匀控制成分和物理化学性质的三维复杂纳米结构。
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ald原子层沉积 NLD-3000原子层沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-3000
- 产地:美国
NLD-3000原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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ald原子层沉积设备 NLD-4000(M)原子层沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-4000(M)
- 产地:美国
NLD-4000(M)原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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ald原子层沉积 NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-4000(ICPA)
- 产地:美国
NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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原子层沉积设备 NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-4000(A)
- 产地:美国
NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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薄膜沉积系统 NLD-3500(A)全自动原子层沉积设备 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-3500(A)
- 产地:美国
ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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原子层沉积 NLD-4000(ICPM)PEALD系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NLD-4000(ICPM)
- 产地:美国
ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
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江苏磐石ALD原子层沉积镀膜设备可镀钙钛矿氧化铝
- 品牌:江苏磐石
- 型号: PS-ALD01
- 产地:徐州
不均匀性低于1%; 阳极氧化铝腔体; 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量; ZD可支持4英寸基片; 最多支持4路50cc/100cc前驱体源; 高深宽比结构的保形生长。
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等离子增强型原子层沉积设备
- 品牌:北京华测
- 型号: Beneq
- 产地:海淀区
等离子增强型原子层沉积设备:等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)是对ALD技术的扩展,通过等离子体的引入,产生大量活性自由基,增强了前驱体物质的反应活性,从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求,缩短了反应周期的时间,等离子增强型原子层沉积设备同时也降低了对样品沉积温度的要求,可以实现低温甚至常温沉积,特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。
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原子层沉积系统
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: ALD-V301
- 产地:怀柔区
主要特点 真空反应腔工作温度高达400℃ PID自动控温,带模糊算法自整定 复杂管气路可zui多具备八种前驱体、两路氧化还原气路和三路载气 满足特殊样品(粉末)要求 适合低蒸气压固态源的高温鼓泡器设计,有利于提高反应效率和重复性 反应过程可自行编程,实现不同类型ALD样品生长 全金属密封,适用于腐蚀性反应 实时测控气体流量和监测真空度 在线原位分析气体成分 自带臭氧发生器,反应残留物热分解装置 互联版可与超高真空系统互联,并兼容MBE标准旗型样品托 系统可定制和扩展
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烘烤控制器
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: BC206
- 产地:怀柔区
主要特点 7” LCD触摸显示 6路输出通道和温度测量 带自整定的PID自控算法 温度测量:K型热偶 温度模式和电压模式可切换 远程控制及诊断 多种接口类型:USB,Ethernet U盘一键固件升级
- 原子层沉积系统
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