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椭偏仪/椭圆偏振仪

赛默飞世尔
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椭偏仪/椭圆偏振仪

椭偏仪/椭圆偏振仪概述

椭偏仪/椭圆偏振仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高,适用于超薄膜,与样品非接触,对样品没有破坏且不需要真空,使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。椭偏仪/椭圆偏振仪现在已被广泛应用于材料、物理、化学、生物、医药等领域的研究、开发和制造过程中。椭偏仪/椭圆偏振仪应用领域:半导体、微电子、MEMS、通讯、数据存储、光学镀膜、平板显示器、科学研究、物理、化学、生物、医药 。可测材料:半导体、介电材料、有机高分子聚合物、金属氧化物、金属钝化膜、自组装单分子层、多层膜物质和石墨烯等等。
HORIBA 椭圆偏振光谱仪

HORIBA 椭圆偏振光谱仪

品牌:HORIBA JY/HORIBA Jobin Yvon
型号:HORIBA
上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

品牌:上海致东
型号:SR-PV-1400x1200
上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

品牌:上海致东
型号:SE
一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

品牌:HORIBA JY
型号:Auto SE
HORIBA JY一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

HORIBA JY一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

品牌:HORIBA JY/HORIBA Jobin Yvon
型号:Auto SE
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不限 生产商授权代理商一般经销商
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椭偏仪/椭圆偏振仪产品文章

椭偏仪/椭圆偏振仪产品列表
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上海致东全光谱椭偏仪

上海致东全光谱椭偏仪

上海致东全光谱椭偏仪

上海致东全光谱椭偏仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

  • 品牌: 上海致东
  • 型号: SE
  • 产地:上海
  • 第一台国人自行开发 波长范围:360nm-950nm 快速量测:<6Sec 全自动量测(Recipe Driver) 精密量测膜厚及折射率(反射率:option) 各种功能的光学常数量测和光谱特性分析 椭偏参数精度:≤±0.01 for Tan(φ);≤±0.01 for Cos (Δ) 可直接量测镀膜在透明基板,而无需在基板背面打毛及染黑(ITO on Glass、SiN on Glass)

上海致东HIT异质结光学评价专用机

上海致东HIT异质结光学评价专用机

  • 品牌: 上海致东
  • 型号: OLED、TFT-LCD、Touch Panel
  • 产地:上海
  • 针对HIT(异质结)太阳能电池片加以客制化定制量测ITO,n+aSi,aSi,膜厚以及(n,k),反射率(R%)以及穿透率(T%),4PP... SR , R% (Spectroscopic Reflectometer) SE (Spectroscopic Ellipsmeter) 4PP ,Ω/cm2(Four Point Probe) ST,T%(Spectroscopic Transmittance)

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

  • 品牌: 上海致东
  • 型号: SR-PV-1400x1200
  • 产地:上海
  • 由椭圆仪校正 量测色度坐标 量测时间1-3s ,精确度高 国内自行研发,价格合理 量测膜厚(N.K)值 .量测穿透率(T%).反射率(R%) FFT for very thick layer (up to 50 um)

微型桔皮仪4824

微型桔皮仪4824

  • 品牌: 德国BYK
  • 型号: 4824
  • 产地:德国
  • 微型桔皮仪4824专门针对高光泽表面,针对平面和曲面(曲率半径大于50cm),传统的LW、SW和客户自定义标尺,结构谱线分析外观变化,实现优化。

美国AST椭偏仪

美国AST椭偏仪

  • 品牌: 美国Angstrom Sun
  • 型号: SE200BM/SE300BM/SE450BM/SE500BM
  • 产地:美国
  • 美国赛伦科技为AST在中国地区的授权总销售服务商,赛伦科技在上海,北京分别设有办事处。美国AST (Angstrom Sun Technologies Inc)是世界主要针对科研单位提供:spectroscopic ellipsometer (SE), spectroscopic reflectometer (SR) and Microspectrophotometer (MSP)的知名供应商。客户遍布全球主要科研大学及主要半导体厂商:NISTISMINASAJPLMarshall Space CenterAir ForceMITColumbia UniversityUC BerkeleyGeorgia TechUniversity of VirginiaUSTC,China...Bell LaboratoriesHPGELockheed MartinCorningApplied MaterialsFirst SolarDow ChemicalSamsungTexas InstrumentsNational Semiconductor...美国赛伦科技上海办事处吴惟雨/Caven Wu Cell:13817915874QQ:185795008 caven.wu@saratogatek.com上海市黄浦区陆家浜路1378号万事利大厦1102室200011产品总述: Functions SpectroscopicReflectometer (SR)Microspectrophotometer (MSP) SpectroscopicEllipsometer (SE) Wavelength Range 190 to 1700 (or 2300) nm 190 to 1700 (or 2300) nm 190 nm to 30 m Measurable Parameters Film Thickness 20 to 250m 20 to 50m 10 to 10m Optical Constants N & K N & K N & K R/T/A Yes Yes Geometry Yes Digital Imaging Yes Main Features Low Cost, Fast Measurement, Wide Dynamic Range Down to 5 um Spot Size on any Patterned Structure Complicated Layer Stack Options Wavelength Extension, Mapping Stage, Heating/Cooling Stage Unique Options Large Spot Set up for In-Line Metrology Applications Raman & Fluorescence Add-on Set-ups and optional smaller spot size 简介: Spectroscopic ellipsometry (SE) is a powerful technique to precisely measure thin film thickness, determine optical constants, investigate surface and interface phenomenon and many other physical, chemical and optical properties of materials. Angstrom Sun Technologies Inc designs and manufactures high quality spectroscopic ellipsometer systems with various options for different applications. Besides ellipsometer system itself, the advanced analysis software is essential to extract the desired information as above-mentioned, such as thickness, roughness, alloy concentration and dielectric constants. TFProbe 3.0from us offers powerful analysis functions for ellipsometry sensitivity study, photometry / ellipsometry simulation and data regression. Unique but configurable mode allows different users to access different level and suitable for both R&D and production quality control purpose. Models are specified based on wavelength ranges for different applications. The following graph shows available models for standard configurations. In addition, Model 500 simply covers a range of both Model 100 and 400. Customized products are available with wavelength range extension further down to DUV or Infrared (IR) ranges. Normally: Model 100 covers a wavelength range from DUV to NIR range up to 1100nm. Model 200 covers DUV and Visible range. Model 300 covers Visible range, starting from 370nm to 850nm Model 400 covers NIR range starting from 900nm typically Model 450 covers Vis to NIR range, starting from 370nm up to 1700nm typically Model 500 covers DUV to NIR range, up to 2500nm Model 600 covers NIR to IR range (1.7um to 17um or 1.7um to 30um) Wavelength range coverage depends on several factors such as light source, detectors, optics used in system, light delivery method (using fibers or not). Because of these factors, all tools can be customized based on specific application. For example, NIR range can be covered up to 1700nm or 2200nm or 2500nm etc. DUV range can be down to 190 nm.一。SE椭偏仪主要型号 ==================================Model SE300BM, 400-1100nm, no mapping, Model SE200BM, 250-1100nm, no mappingModel SE450BM, 400-1700nm, no mappingModel SE500BM, 190-1700nm, no mapping6" stage mapping, adds $20K. 8" stage mapping, adds $22K. ==================================== 设备型号说明: Example Model: SE200BA-M300 SE: Spectroscopic Ellipsometer 200: Indicates B: Detecting Type A: Scanning monochromator with single element detector B: Array Type detector with spectrograph or interferometer A: Variable Incident Angle Type A: Automatic variable angle with precision Goniometer and computer controlled M: Manually adjustable incident angle at 5 degree interval M: Mapping Stage 300: Maximum mapping sample sizeOptions: Wavelength Extension to VUV or IR Range Stage Size Probing beam Spot size Photometry Heating/Cooling Stage Mapping stage in X-Y or Rho-ThetaApplications: Semiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline Si Solar Cell Industry Medical device fabricationBackground on Ellipsometry: There are many techniques for characterizing materials, each having its own advantages and disadvantages and each being uniquely able to reveal material properties that other techniques can't access. Spectroscopic ellipsometry (SE) is an optical technique that is particularly flexible in that it can be used to determine the optical and physical properties of a wide variety of thin-film materials. Its ability to do this without contact or damage to the material of interest has seen it become routinely used in R&D laboratories and within manufacturing facilities for monitoring thin film growth and deposition processes. SE relies on the determination of the polarization state of a beam of polarized light reflected from the sample under characterization. When performing SE measurements, the polarization state is determined at many discrete wavelengths over a broad wavelength range. The change in the polarization state can be traced to the physical properties of the thin film by means of a model. Characteristics such as layer thickness, surface roughness, refractive index (n) and extinction coefficient (k) of the materials can be determined with excellent precision through regression analysis. The instrument determines two ellipsometry angles Ψ and Δ, which describe the change in the polarization state of the beam upon reflection from the sample. The ratio of the amplitude of the polarization within the plane of incidence (P) to the amplitude of the polarization perpendicular to the plane of incidence (S) is represented by Ψ. The phase retardation between the two polarization vectors P and S is represented by Δ. Changes in Δ and Ψ essentially depend upon the optical constants, n and k, of the layer materials and substrate, physical thickness of the individual layers and surface roughness. A regression analysis allows the determination of these parameters. SE data for Δ and Ψ are obtained at a number of incident angles in a plane normal to the sample surface and typically at 100-200 different wavelengths for each angle. SE instruments use a white light source and individual wavelengths are selected for detection by either a motor driven monochromator, or a multi-channel detector that can detect many wavelengths simultaneously. Increasing the number of angles and wavelengths at which data are acquired improves analysis precision, especially for complicated epitaxial structures. Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice2. * Film property, surface quality and layer stack dependent3. Customized system available for special applications4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 二.Microspectrophotometer(微光斑薄膜测试仪)MSP100 Microspectrophotometer and Film Thickness Measurement SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesFeatures:Easy to operate with Window based software Advanced DUV optics and rugged design for highest uptime and the best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Affordable, portable and small footprint table top design Measure film thickness and Refractive Index up to 5 layers over micron size region Allow to acquire reflection, transmission and absorption spectra in milliseconds Capable to be used for real time spectra, thickness, refractive index monitoring System comes with comprehensive optical constants database and library Advanced Software allows user to use either NK table, dispersion or composite model (EMA) for each individual film Integrated Vision, spectrum, simulation, film thickness measurement system Apply to many different type of substrates with different thickness up to 200mm size Deep ultraviolet light allows to measure film thickness down to 20 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface Advanced Imaging software for dimension measurement such as angle, distance, area, particle counting and more Various options available to meet special applicationsSystem Configuration:Model: MSP100RTM Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: High power DUV-Visible Automatic Stage: Black Anodized Aluminum Alloy with 5”x3” net travel distance and 1m resolution, program controlled Motorized Z focus drive and X-Y-Z joystick Long Working Distance Objectives: 4x, 10x, 15x(DUV), 50x Communication: USB Measurement Type: Reflection/Transmission spectra, Film thickness/refractive index and feature dimensions Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 16’x16’x18’ (Table top setup) Weight: 120 lbs total Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 250 to 1000 nm Wavelength Resolution: 1nm Spot Size: 100m (4x), 40m (10x), 30m (15x), 8m (50x) Substrate Size: up to 20mm thick Measurable thickness range*: 20 to 25 m Measurement Time: 2 ms minimum Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: TopWavelength extension to to Further DUV or NIR range Higher power DUV optics for smaller spot size Customized configuration for special applications Heating and Cooling Stage for dynamic study Optional stage size holding samples up to 300mm Higher wavelength range resolution down to 0.1nm Various filters for special applications Add-on accessories for fluorescence measurement Add-on accessories for Raman applications Add-on accessories for polarizing applicationsApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Forensics, Biological films and materials Inks, Mineralogy, Pigments, Toners Pharmaceuticals, Medial Devices Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. Measured Transmission Spectra from Three Filters 2. Measured Film Thickness 3. Measured Reflection Spectrum over a MEMS Mirror 4. Mapped Thickness Uniformity over 4" wafer Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 三. SR薄膜反射仪SRM300 Film Thickness Mapping SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesMore InformationFeatures: Film Thickness Measurement - SRM300 Film Thickness Gauge When you need an accurate thin film thickness measurement our SRM300 allows you to map film thickness and refractive index up to 5 layers thick. No need to worry about complicated equipment since the SRM300 is easy to setup and operate. It uses Windows based software, so most people are already familiar with the look and feel of the operating system. This film thickness gauge can handle various types of geometry substrate up to 300mm in diameter and various types of mapping patterns such as linear, polar, square or even arbitrary coordinates. The array based detector system ensures the fastest film thickness measurement. With its advanced optics and rugged design you can always be sure to get the best system performance. Easy to set up and operate with Window based software Various types of geometry substrate up to 300mm in diameter Various types of mapping pattern such as linear, polar, square or arbitrary coordinates Advanced optics and rugged design for best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Map film thickness and Refractive Index up to 5 layers System comes with comprehensive optical constants database and library Include commonly used recipes Advanced TFProbe Software allows user to use either NK table, dispersion or effective media approximation (EMA) for each individual film. Upgradeable to MSP (Microspectrophotometer) mapping system with pattern recognition, or Large Spot for mapping over patterned or featured structure (with Zonerage Model) Apply to many different type of substrates with different thickness 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface with statistical resultsSystem Configuration:Model: SRM300-300 Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: DC regulated Tungsten-Halogen Light Delivery: Optics Stage1: Black Anodized Aluminum Alloy Vacuum chuck holds 200 mm wafer Communication: USB & RS232 Software: TFProbe 2.2M Measurement Type: Film thickness, reflection spectrum, refractive index Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 14”(W) x 20”(D) x 14”(H) Weight: 100 lbs Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 400 to 1050 nm Spot Size: 500 m to 5mm Sample Size: 300 mm in diameter Substrate Size: up to 50mm thick Number of Layers*: Up to 5 films Measurable thickness range*: 50 nm to 50 m Measurement Time: 2ms - 1s /site typical Positional Repeatability: ~1 m Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings at center for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: Top Additional Models with Wavelength Extension to DUV or NIR Range: SRM100: 250nm - 1000nm SRM400: 900nm - 1700nm SRM500: 400nm - 1700nm Other Sample Size: 200mm wafer (SRM300-200) Customized size: Available Large Spot Accessories for featured structure measurement Small spot accessories for highly non uniform samplesApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. 2D thicknesses plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) 2. 2D contour plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 美国赛伦科技上海办事处 吴惟雨/Caven Wu Cell:13817915874 QQ:185795008 caven.wu@saratogatek.com 上海市黄浦区陆家浜路1378号万事利大厦1102室 200011

全光谱椭圆偏振测厚仪SE950

全光谱椭圆偏振测厚仪SE950

上海致东全光谱椭偏仪

上海致东全光谱椭偏仪

椭圆偏振测厚仪

椭圆偏振测厚仪

  • 品牌: 天津拓普
  • 型号: TPY-1 型
  • 产地:
  • 仪器简介:在近代科学技术的许多领域中对各种薄膜的研究和应用日益广泛。因此,更加精确和迅速的测定给定薄膜的光学参数已变得更加迫切和重要。在实际工作中可以利用各种传统的方法测定光学参数,如:布儒斯特角法测介质膜的折射率,干涉法测膜厚,其它测膜厚的方法还有称重法、X射线法、电容法、椭偏法等。由于椭圆偏振法具有灵敏度高、精度高、非破坏性测量等优点,因而,椭圆偏振法测量已在光学、半导体、生物、医学等诸多领域得到广泛应用。技术参数:规格与主要技术指标: 测量范围:薄膜厚度范围:1nm-300nm; 折射率范围:1-10 测量最小示值:≤1nm 入射光波长:632.8nm 光学中心高:80mm 允许样品尺寸:φ10-φ140mm,厚度≤16mm 偏振器方位角范围:0°- 180°读取分辨率为0.05° 测量膜厚和折射率重复性精度分别为:±1nm和±0.01 主机重量:25kg 入射角连续调节范围:20°- 90°精度为0.05°主要特点:仪器采用消光法自动测量薄膜厚度和折射率,具有精度高、灵敏度高以及方便测量等特点; 光源采用氦氖激光器,功率稳定、波长精度高; 仪器配有生成表、查表以及精确计算等软件,方便用户使用。

自动椭圆偏振测厚仪

自动椭圆偏振测厚仪

  • 品牌: 天津拓普
  • 型号: TPY-2型
  • 产地:
  • 仪器简介:产品特点: 仪器采用消光法自动测量薄膜厚度和折射率,具有精度高、灵敏度高以及自动控制等特点。光源采用氦氖激光器,功率稳定波长精度高。 仪器采用USB接口与电脑连接,配套软件功能齐全,具有多样数据采集及处理方式,适用于不同用户的需要。技术参数:规格与主要技术指标: 测量范围:1nm-4000nm 折射率范围:1-10 测量最小值:≤1nm 入射角:20°- 90°精度≤0.05° 度盘刻度:每格1度 允许样品尺寸:φ10-φ140mm,厚度≤16mm 偏振器方位角范围:0°- 180° 外形尺寸:680*390*310mm 测量膜厚和折射率重复性精度分别为:0.5nm和0.005 主机重量:26kg 仪器测量精度:±0.5nm(薄膜厚度在10-100nm时) 光学中心高度:80mm 成套性:主机、电控系统、USB接口、配套软件 成套性:主机、电控系统、USB接口、配套软件(需配计算机)主要特点:产品特点: 仪器采用消光法自动测量薄膜厚度和折射率,具有精度高、灵敏度高以及自动控制等特点。光源采用氦氖激光器,功率稳定波长精度高。 仪器采用USB接口与电脑连接,配套软件功能齐全,具有多样数据采集及处理方式,适用于不同用户的需要。

EM12-PV 精致型多入射角激光椭偏仪(光伏专用)

EM12-PV 精致型多入射角激光椭偏仪(光伏专用)

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: EM12-PV
  • 产地:
  • EM12是采用先进的测量技术,针对中端精度需求的光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。 EM12-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。 EM12-PV融合多项量拓科技专利技术,采用一体化样品台技术,兼容测量单晶和多晶太阳电池样品。一键式多线程操作软件,使得仪器操作简单安全。 特点: 粗糙绒面纳米薄膜的测量 先进的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法,实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面纳米镀层的检测。 次纳米量级的高灵敏度和准确度 国际先进的采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了高准确度和稳定性,测量绒面减反膜的厚度精度优于0.2nm。 1.6秒的快速测量 国际水准的仪器设计,在保证极高精度和准确度的同时,可在1.6秒内快速完成一次测量,可满足快速多点检测和批量检测需求。 简单方便安全的仪器操作 一键式操作设计,用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用: EM12-PV适合于光伏领域中端精度要求的工艺研发和生产现场的质量控制。 EM12-PV可用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面上单层减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n,典型纳米膜层包括SiNx,ITO,TiO2,SiO2,A12O3,HfO2等,应用领域包括晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。 EM12-PV也可用于测量光滑平面基底上的单层或双层纳米薄膜,包括膜层的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系数k。也可用于测量块状材料(包括,液体、金属、半导体、介质等)在632.8nm下的折射率n和消光系数k。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EM12-PV 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚测量重复性(1) 0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 0.2nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) 折射率精度(1) 2x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 2x10-3(对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) 单次测量时间 与测量设置相关,典型1.6s 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 激光光束直径 1-2mm 入射角度 40°-90°可手动调节,步进5° 样品方位调整 一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品 可测量156*156mm电池样品上每个点 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直显微和望远对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品 最大的膜层厚度范围 粗糙表面样品:与绒面物理结构及材料性质相关 光滑平面样品:透明薄膜可达4um,吸收薄膜与材料性质相关 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量(净重) 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件: 中英文界面可选 太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合 方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证: 稳定的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术,保证了稳定性和准确度 一体化样品台技术,兼容单晶和多晶硅太阳电池样品,轻松变换可实现准确测量 高精度的光学自准直显微和望远系统,保证了快速、高精度的样品方位对准 新型样品调节技术,有效提高样品定位精度,并节省操作时间 新型光电增强技术和独特的噪声处理方法,显著降低生产现场噪声的影响 一体化集成式仪器整体设计,保证了系统稳定性,并节省空间 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用

ES03 快速摄谱式 多入射角光谱椭偏仪

ES03 快速摄谱式 多入射角光谱椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: ES03
  • 产地:
  • ES03是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度多入射角光谱椭偏仪,仪器波长范围从紫外到近红外。 ES03多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚度)和物理参数(如,折射率n、消光系数k),也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。 ES03系列适合于对样品进行实时和非实时的检测。 特点: 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。 秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件,在保证高精度和准确度的同时,10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。 膜厚测量范围大 膜厚范围从次纳米量级到10微米左右。 一键式仪器操作 对于常规操作,只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用: ES03适合于科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。 ES03系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如: ES03V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。 ES03U适合于很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体的临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。 ES03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。 典型应用如: 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等; 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等; 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等 ES03也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括: 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 ES03V:370-1000nm ES03U:245-1000nm 光谱分辨率 1.5nm 单次测量时间 典型10s,取决于测量模式 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式测空气时) 膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率测量重复性(1) 1x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 入射角度 40°-90°手动调节,步距5°,重复性0.02° 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 样品台尺寸 可放置样品尺寸:直径170 mm 样品方位调整 高度调节范围:0-10mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式(管理员、操作员) 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

ESS01 波长扫描式 自动变角度光谱椭偏仪

ESS01 波长扫描式 自动变角度光谱椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: ESS01
  • 产地:
  • ESS01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的波长扫描式、高精度自动变入射角度光谱椭偏仪,此系列仪器波长范围覆盖紫外、可见、近红外到远红外。 ESS01采用宽光谱光源结合单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。 ESS01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚层厚度、表面为粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数ε等),也可用于测量块状材料的光学参数。 ESS01适合多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 技术特点: 极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描的系统光学设计,保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度,非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。 灵活的测量设置 仪器的多个关键参数可根据要求而设定(包括:波长范围、扫描步距、入射角度等),极大地提高了测量的灵活性,可以胜任要求苛刻的样品。 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。 非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量,仪器整体成本得到有效降低。 应用领域: ESS01系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 ESS01适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。 ESS01可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。 薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等,典型应用包括: 半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等); 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等; 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等; 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。 节能环保领域:LOW-E玻璃等。 ESS01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括: 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 ESS01VI:370-1700nm ESS01UI:245-1700nm 光谱分辨率(nm) 可设置 入射角度 40°-90°自动调节 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式测空气时) 膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率n测量重复性(1) 0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式) 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 可测量样品最大尺寸 直径Φ200 mm 样品方位调整 高度调节范围:10mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式(管理员、操作员) 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

EMPro-PV 极致型多入射角激光椭偏仪(光伏专用)

EMPro-PV 极致型多入射角激光椭偏仪(光伏专用)

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: EMPro-PV
  • 产地:
  • EMPro-PV是针对光伏太阳能电池高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。 EMPro-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜镀层的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。 EMPro-PV融合多项量拓科技专利技术,采用一体化样品台技术,兼容测量单晶和多晶太阳电池样品,并实现二者的轻松转换。一键式多线程操作软件,使得仪器操作简单安全。 特点: 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量 先进的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法,实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。 原子层量级的极高灵敏度和准确度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了极高的准确度和稳定性,测量绒面减反膜膜厚精度优于0.03nm,折射率精度优于0.0003。 百毫秒量级的快速测量 国际水准的仪器设计,在保证极高精度和准确度的同时,可在几百毫秒内快速完成一次测量,可满足快速多点检测和批量检测需求。 简单方便安全的仪器操作 一键式操作设计,用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用: EMPro-PV适合于光伏领域中高精度要求的工艺研发和生产现场的质量控制。可用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面上单层减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。典型纳米膜层包括SiNx,ITO,TiO2,SiO2,A12O3,HfO2等。应用领域包括晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。 EMPro-PV也可用于测量光滑平面基底上镀的纳米单层膜或双层膜,包括膜层的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系数k。也可用于测量块状材料(包括,液体、金属、半导体、介质等)在632.8nm下的折射率n和消光系数k。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EMPro-PV 版本号 31 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚测量重复性(1) 0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 0.03nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) 折射率精度(1) 1x10-4(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 3x10-4(对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) 单次测量时间 与测量设置相关,典型0.6s 结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 激光光束直径 1mm 入射角度 40°-90°可手动调节,步进5° 样品方位调整 一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品; 可测量156*156mm电池样品上每个点 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直显微和望远对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品 最大的膜层测量范围 粗糙表面样品:与绒面物理结构及材料性质相关 光滑平面样品:透明薄膜可达4000nm,吸收薄膜与材料性质相关 最大外形尺寸(长x宽x高) 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量(净重) 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件: l中英文界面可选 l太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用 l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合 l方便的数据显示、编辑和输出 l丰富的模型和材料数据库支持 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证: 高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术,保证了高稳定性和高准确度 一体化样品台技术,兼容单晶和多晶硅太阳电池样品,轻松变换可实现准确测量 高精度的光学自准直显微和望远系统,保证了快速、高精度的样品方位对准 新型样品调节技术,有效提高样品定位精度,并节省操作时间 新型光电增强技术和独特的噪声处理方法,显著降低生产现场噪声的影响 一体化集成式仪器整体设计,保证了系统稳定性,并节省空间 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用

ES01-PV 快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪(光伏专用)

ES01-PV 快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪(光伏专用)

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: ES01-PV
  • 产地:
  • ES01-PV是针对光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的高性能光谱椭偏仪。 ES01-PV用于测量和分析光伏领域中多层纳米薄膜的层构参数(如,厚度)和物理参数(如,折射率n、消光系数k),典型样品包括:绒面单晶和多晶太阳电池上的单层减反膜(如SiNx,SiO2,TiO2,Al2O3等)和多层减反膜(如,SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等),以及薄膜太阳电池中的多层纳米薄膜。 特点: 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量 先进的光能量增强技术、高信噪比的探测技术以及高信噪比的微弱信号处理方法,实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。 晶体硅多层减反膜检测 专门针对多层薄膜检测而设计,可满足晶体硅太阳能电池领域中的双层膜,如(SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等)的检测。 秒级的快速测量 国际先进的快速椭偏采样方法、一流的关键部件、自动化的测量软件,在保证高精度和准确度的同时,可在10秒内快速完成一次测量。 一键式仪器操作 对于常规操作,只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用: ES01-PV可用于测量绒面单晶或多晶硅太阳电池表面上纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k,包括:单层减反膜(如, SiNx, TiO2,SiO2,A12O3等)、双层纳米薄膜(如,SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等),以及多层纳米薄膜。 ES01-PV的应用也覆盖了传统光谱椭偏仪所测量的光面基底上的单层和多层纳米薄膜,典型应用包括:半导体(如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等)、平板显示(TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等)、功能性涂料:(增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等)、生物和化学工程(有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等)等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 240nm-930nm(绒面测量时为350-850nm) 单次测量时间 10s,取决于测量模式 膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率精度(1) 1x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 入射角度 40°-90°自动调节 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 样品台尺寸 一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品 兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品 样品方位调整 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式(管理员、操作员) 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

EM13 LD系列多入射角激光椭偏仪

EM13 LD系列多入射角激光椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: EM13
  • 产地:
  • EM13LD 系列是采用先进的测量技术,针对普通精度需求的研发和质量控制领域推出的多入射角激光椭偏仪。 EM13LD系列采用半导体激光器作为光源,可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM13LD系列采用了量拓科技多项专利技术。 特点: 次纳米的高灵敏度 国际先进的采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜,膜厚精度可达到0.5nm。 3秒的快速测量 国际水准的仪器设计,在保证精度和准确度的同时,可在3秒内快速完成一次测量,可对纳米膜层生长过程进行测量。 简单方便的仪器操作 用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。 应用: EM13LD系列适合于普通精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。 EM13LD系列可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。 EM13LD可应用的纳米薄膜领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EM13 LD/635 (或其它选定波长) 激光波长 635 nm (或其它选定波长,高稳定半导体激光器) 膜厚测量重复性(1) 0.5nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率测量重复性(1) 5x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关,典型3s 最大的膜层范围 透明薄膜可达1000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 激光光束直径 2mm 入射角度 40°-90°可手动调节,步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量(净重) 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台,真空吸附泵 软件(ETEM) * 中英文界面可选 * 多个预设项目供快捷操作使用 * 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合 * 方便的数据显示、编辑和输出 * 丰富的模型和材料数据库支持 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 性能保证: 稳定性的半导体激光光源、先进的采样方法,保证了稳定性和准确度 高精度的光学自准直系统,保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合先进的采样技术,保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用 可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

EM12 精致型多入射角激光椭偏仪

EM12 精致型多入射角激光椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: EM12
  • 产地:
  • EM12是采用先进的测量技术,针对中端精度需求的研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。 EM12可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM12采用了量拓科技多项专利技术。 特点: 次纳米量级的高灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜,膜厚精度可达到0.2nm。 1.6秒的快速测量 国际水准的仪器设计,在保证精度和准确度的同时,可在1.6秒内快速完成一次测量,可对纳米膜层生长过程进行测量。 简单方便的仪器操作 用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。 应用: EM12适合于中端精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。 EM12可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。 EM12可应用的纳米薄膜领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EM12 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚测量重复性(1) 0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率测量重复性(1) 2x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关,典型1.6s 最大的膜层范围 透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 激光光束直径 1-2mm 入射角度 40°-90°可手动调节,步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量(净重) 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件: 中英文界面可选; 多个预设项目供快捷操作使用; 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合; 方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证: 稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法,保证了高稳定性和高准确度 高精度的光学自准直系统,保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合先进的采样技术,保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用 可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

ESS03 波长扫描时式 多入射角光谱椭偏仪

ESS03 波长扫描时式 多入射角光谱椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: ESS03
  • 产地:
  • ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量领域推出的波长扫描式高精度多入射角光谱椭偏仪,此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。 ESS03采用宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。 ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,膜层厚度、表面微粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数ε等),也可用于测量块状材料的光学参数。 ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 技术特点: 极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描德系统光学设计,保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度,非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。 灵活的测量设置 仪器的多个关键参数可根据要求而设定(包括:波长范围、扫描步距、入射角度等),极大地提高了测量的灵活性,可以胜任要求苛刻的样品。 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。 非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量,仪器整体成本得到有效降低。 应用领域: ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 ESS03适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。 ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。 薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等,典型应用如: 半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等); 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等; 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等; 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。 节能环保领域:LOW-E玻璃等。 ESS03系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括: 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 ESS03VI:370-1700nm ESS03UI:245-1700nm 光谱分辨率(nm) 可设置 入射角度 40°-90°手动调节,步距5,重复性0.02 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式测空气时) 膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率n测量重复性(1) 0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式) 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 可测量样品最大尺寸 直径200 mm 样品方位调整 高度调节范围:10mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式(管理员、操作员) 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

ES01 快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪

ES01 快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: ES01
  • 产地:
  • ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度全自动光谱椭偏仪,系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。 ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚度)和物理参数(如,折射率n、消光系数k),也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。 ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。 特点: 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。 秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件,在保证高精度和准确度的同时,10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。 一键式仪器操作 对于常规操作,只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用: ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。 ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如: ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。 ES01U适合于很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体的临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。 ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如: 半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等); 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等; 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等; 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。 ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括: 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 ES01V:370-1000nm ES01U:245-1000nm 光谱分辨率 1.5nm 单次测量时间 典型10s,取决于测量模式 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式测空气时) 膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率精度(1) 1x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 入射角度 40°-90°自动调节,重复性0.02° 光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 样品台尺寸 可放置样品尺寸:直径170 mm 样品方位调整 高度调节范围:0-10mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式(管理员、操作员) 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

EMPro 多入射角激光椭偏仪

EMPro 多入射角激光椭偏仪

  • 品牌: 北京赛凡
  • 型号: EMPro
  • 产地:
  • EMPro是针对高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。 EMPro可在单入射角度或多入射角度下进行高精度、高准确性测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;亦可用于实时测量快速变化的纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EMPro采用了量拓科技多项专利技术。 特点: 原子层量级的极高灵敏度 百毫秒量级的快速测量 简单方便的仪器操作 应用: EMPro适合于高精度要求的科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。EMPro可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k;可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EMPro可应用的纳米薄膜领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EMPro31 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) (1)膜层厚度精度 0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) (1)折射率精度 1x10-4(对于Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关,典型0.6s 结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) 激光光束直径 1mm 入射角度 40°-90°可手动调节,步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节:±6.5mm 二维俯仰调节:±4° 样品对准:光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大的膜层范围 透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量(净重) 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件: 中英文界面可选; l多个预设项目供快捷操作使用; l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合; 方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注:(1)精度:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证: 高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术,保证了高稳定性和高准确度 高精度的光学自准直系统,保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合先进的采样技术,保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用

薄膜厚度测量系统

薄膜厚度测量系统

  • 品牌:
  • 型号: FR-Prob
  • 产地:德国
  • 这款薄膜厚度测量系统平台是一种模块化设计的薄膜厚度测量仪,可灵活扩展成精密的薄膜测量仪器,可在此基础上衍生出多种基于白光反射光谱技术的薄膜厚度测试仪,比如标准吸收/透过率,反射率的测量,薄膜的测量,薄膜温度和厚度的测量。这个薄膜厚度测量系统由如下5个模块组成:核心模块----光谱仪;外壳模块----各种精密精美的仪器外壳;工作面积模块----测量工作区域;光纤模块----根据不同测量任务配备各种光纤附件;测量室-/环境罩---给测量带去超净工作区域。薄膜厚度测量仪核心模块---光谱仪我们提供多种光谱仪类型,不同光谱范围和光源,薄膜厚度测量仪满足各种测量应用

研究级经典型椭偏仪 UVISEL

研究级经典型椭偏仪 UVISEL

  • 品牌: 法国HORIBA JY
  • 型号: UVISEL
  • 产地:法国
  • UVISEL2是一款完全革新的全自动光谱型椭偏仪。继承并发展了经典机型UVISEL的高准确性、高灵敏度和高稳定性等技术特点的同时,配备革新的可视系统,多达8个尺寸微光斑选项,最小达35×85μm2,适用于所有薄膜材料研究领域。是目前市场上独一无二的机型。产品特点:完全自动化设计,自动对焦、校正全新光路、电路设计,测量精度更高,速度更快50KHz高频PEM相调制技术,测量光路中无运动部件双光栅光谱仪系统,杂散光抑制水平高8个尺寸微光斑,专利可视技术自动平台样品扫描成像技术参数:光谱范围:190-2100 nm8种光斑尺寸: 最小35 X 85 um探测器:3个独立探测器,分别优化紫外,可见和近红外自动样品台尺寸:200mm X 200mm;XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm样品水平度自动调整自动量角器:变角范围35°- 90°,全自动调整,最小步长0.01°SWNT单壁碳管厚度为3.1?的Graphene/c-Si与单晶硅基底自然氧化层测试图谱对比

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

  • 品牌: 法国HORIBA JY
  • 型号: Auto SE
  • 产地:法国
  • 新型的全自动薄膜测量分析工具,工业化设计,操作简单,可在几秒钟内完成全自动测量和分析,并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。产品特点:完全自动化设计,一键式操作,直接报告输出液晶调制技术,测量光路中无运动部件CCD探测系统,快速全谱输出多个微光斑尺寸选择,专利可视技术封闭式样品仓技术参数:光谱范围:450-1000 nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术,可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸:200mmX200mmXYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm70度角入射

HORIBA JY研究级全自动椭偏仪UVISEL 2

HORIBA JY研究级全自动椭偏仪UVISEL 2

  • 品牌:
  • 型号: UVISEL 2
  • 产地:法国
  • UVISEL2是一款完全革新的全自动光谱型椭偏仪。继承并发展了经典机型UVISEL的高准确性、高灵敏度和高稳定性等技术特点的同时,配备革新的可视系统,多达8个尺寸微光斑选项,最小达35×85μm2,适用于所有薄膜材料研究领域。是目前市场上独一无二的机型。技术参数:光谱范围:190-2100 nm8种光斑尺寸: 最小35 X 85 um探测器:3个独立探测器,分别优化紫外,可见和近红外自动样品台尺寸:200mm X 200mm;XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm样品水平度自动调整自动量角器:变角范围35°- 90°,全自动调整,最小步长0.01°主要特点:完全自动化设计,自动对焦、校正全新光路、电路设计,测量精度更高,速度更快50KHz高频PEM相调制技术,测量光路中无运动部件双光栅光谱仪系统,杂散光抑制水平高8个尺寸微光斑,专利可视技术自动平台样品扫描成像

HORIBA JY在线椭偏仪 In-situ series

HORIBA JY在线椭偏仪 In-situ series

  • 品牌:
  • 型号: In-situ series
  • 产地:法国
  • 仪器介绍:在镀膜或刻蚀的过程中,实时监测样品膜的膜厚以及光学常数(n,k)变化。技术参数:可实现快速、实时在线监测样品膜层变化主要特点:将激发和探测头引入生产设备,可实现: 动态模式:实时监测膜厚变化 光谱模式:监测薄膜的界面和组分

HORIBA JY一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

HORIBA JY一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

  • 品牌:
  • 型号: Auto SE
  • 产地:法国
  • 新型的全自动薄膜测量分析工具,工业化设计,操作简单,可在几秒钟内完成全自动测量和分析,并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。技术参数:光谱范围:450-1000 nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术,可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm70度角入射主要特点:完全自动化设计,一键式操作,直接报告输出液晶调制技术,测量光路中无运动部件CCD探测系统,快速全谱输出多个微光斑尺寸选择,专利可视技术封闭式样品仓

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

  • 品牌: 法国HORIBA JY
  • 型号: Auto SE
  • 产地:法国
  • 创新点◎独一无二的光斑可视系统(专利技术):AutoSE集成了独一无二的MyAutoView光斑可视系统(专利技术),该系统配备在标准椭圆偏振光谱仪中,允许操作者全程观测样品光斑,以确保各种类型的样品都能在完全正确的位置,以合适的光斑尺寸进行测量。解决了现有测量技术中的“盲测”难题。◎一键式操作,大大提高工作效率。◎共焦微光斑技术:提供8种不同光斑尺寸的自动选择。◎全自动智能诊断及故障处理:大大减轻了设备的维护负担。 仪器简介:新型的全自动薄膜测量分析工具,工业化设计,操作简单,可在几秒钟内完成全自动测量和分析,并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。技术参数:光谱范围:450-1000nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术,可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自动调节;Z轴高度>35mm70度角入射主要特点:完全自动化设计,一键式操作,直接报告输出液晶调制技术,测量光路中无运动部件CCD探测系统,快速全谱输出多个微光斑尺寸选择,专利可视技术封闭式样品仓

研究级经典型椭偏仪-UVISEL

研究级经典型椭偏仪-UVISEL

  • 品牌: 法国HORIBA JY
  • 型号: UVISEL
  • 产地:法国
  • 仪器简介: 20多年技术积累和发展的结晶,是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行最精确的测量。采用PEM相位调制技术,与机械旋转部件技术相比,能提供更好的稳定性和信噪比。技术参数:可选光谱范围: * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多种实用微光斑尺寸选项 *探测器:分别针对紫外,可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器 *自动样品台尺寸:多种样品台可选 *自动量角器:变角范围35° - 90°,全自动调整,最小步长0.01°主要特点: *50KHz 高频PEM 相调制技术,测量光路中无运动部件 *具备超薄膜所需的测量精度,超厚膜所需的高光谱分辨率 *具有毫秒级超快动态采集模式,可用于在线实时监测 *自动平台样品扫描成像、变温台、电化学反应池、液体池、密封池等多种附件 *配置灵活

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE

  • 品牌: 日本堀场
  • 型号: Auto SE
  • 产地:法国
  • 全自动化&高集成度&可视化光斑一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE新型的全自动薄膜测量分析工具。采用工业化设计,操作简单,可在几秒钟内完成全自动测量和分析,并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。1主要特点1. 液晶调制技术,无机械转动部件,重复性,信噪比高2. 专利技术成像系技术,所有样品均可成像,对于透明样品,自动去除样品的背反射信号,使得数据分析更简单.3. 反射式微光斑,覆盖全谱段,利于非均匀样品图案化样品测试4. 全自动集成度高,安装维护简便5. 一键式操作软件,快速简单6. 自动MAPPING扫描,分析样品镀膜均匀性2技术参数1. 光谱范围:450-1000 nm2. 多种微光斑自动选择3. 专利光斑可视技术,可观测任何样品表面4. 自动样品台尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm5. 70度角入射6. CCD探测器>>>>相关推荐椭圆偏振光谱入门手册测量膜厚、光学常数的强大工具您可了解:1. 椭圆偏振光谱的概念及应用领域2. 适用的样品及可获取的信息3. 常见的椭偏仪类型及优势分析4. 测量、数据分析时的常见问题复制链接至新浏览器打开下载入门手册:http://www.horiba.com/cn/scientific/download-cn/1/

研究级经典型椭偏仪 UVISEL

研究级经典型椭偏仪 UVISEL

  • 品牌: 日本堀场
  • 型号: UVISEL
  • 产地:法国
  • 仪器简介: 20多年技术积累和发展的结晶,是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行最精确的测量。采用PEM相位调制技术,与机械旋转部件技术相比,能提供更好的稳定性和信噪比。技术参数:可选光谱范围: * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多种实用微光斑尺寸选项 *探测器:分别针对紫外,可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器 *自动样品台尺寸:多种样品台可选 *自动量角器:变角范围35° - 90°,全自动调整,最小步长0.01°主要特点: *50KHz 高频PEM 相调制技术,测量光路中无运动部件 *具备超薄膜所需的测量精度,超厚膜所需的高光谱分辨率 *具有毫秒级超快动态采集模式,可用于在线实时监测 *自动平台样品扫描成像、变温台、电化学反应池、液体池、密封池等多种附件 *配置灵活

美国Gaertner椭偏仪/膜厚测量仪/Ellipsometer

美国Gaertner椭偏仪/膜厚测量仪/Ellipsometer

  • 品牌:
  • 型号: Model LSE-2A2W, LSE
  • 产地:美国
  • Gaertner LSE-2A2W 进口椭偏仪LSE-2A2W Ellipsometer specificationsAlignment:Tilt and table height using computer alignment screen.Incidence Angles:fixed at 60° for 544nm laser and 70°for 633nm laserMethod of Measurement:Advanced StokesMeter determines the complete measuring beam polarization using no moving parts and no modulators, only 4 stationary silicon detectors so measurements are stable and exact.Measurement Time:Partically instantaniousMeasuring Laser:544 & 633 nm HeNe Gas Lasers with 1 mm measuring beam diameterAlignment Laser:670nm Laser DiodeSample (Wafer) Size:300 mm wide X unlimited lengthStage:Hand positioning with tilt and table height adjustment.Software:Windows LGEMP4 layer absorbing included.Required Computer:(not included) Windows PC or laptop with USB portFilm Thickness Range:0 - 60,000 Angstroms on substrate or on 1, 2, 3, or 4 known sublayers.Precision, Repeatability:Sub-Angstrom over most of the measurement range.Refractive Index:± .001 over most of the measurement range.Power:Supplied by computer USB bus and laser power supplies.Dimensions:Height: 16.5 Width: 27.5 Depth: 16 inches Net Weight: 45 lbs. Shipping Weight: 65 lbs.CDRH Compliance:All laser ellipsometers supplied by Gaertner comply with CDRH requirements 21CFR 1040 for a Class II laser product emitting less than 1 mW or Class IIIb less than 5 mW of low power radiation. As with any bright source such as the sun or arc lamp, the operator should not stare directly into the laser beam or into its reflection from highly reflecting surfaces.CE Compliance:Comply with European safety directives and carry the CE mark. Model LSE EllipsometerManufactured by Gaertner Scientific, USAStokes Ellipsometer LSE DescriptionThe Stokes Ellipsometer LSE is a continuation of an entirely new line of ellipsometers based on the advanced StokesMeter technology - winner of Photonics Spectra and R&D 100 best new products awards.The LSE model ellipsometer includes data acquisition and analysis software. An optionalWindows based computer with PCI interface is available.Thisellipsometer uses patented StokesMeter technology with no moving parts and no modulators to quickly and accurately determine the complete polarization state of the 6328 laser measuring beam at a 70° incidence angle. The space-saving design features a small footprint yet it can accommodate large samples up to 300mm wide. The sample stage can be easily moved by hand to measure any point on the sample surface. The sample table includes a manual tilt and table height adjustment which is set using an alignment screen on the computer.The data acquisition and analysis software, LGEMP, can measure the top layer film thickness and film refractive index on a substrate or on 1, 2, or 3 known bottom layers. The films can be transparent or absorbing. This durable integration of hardware and software is fast and easy to use.Extremely precise, stable and low cost the model LSE Stokes Ellipsometer represents an excellent value in a basic ellipsometer.Description of Stokesmeter TechnologyThis patented device uses no moving parts and no modulators to quickly and accurately determine the complete polarization state of the measuring beam.The diagram above shows the StokesMeter photopolarimeter for the simultaneous measurement of all four Stokes parameters of light. The light beam, the state of polarization of which is to be determined, strikes, at oblique angles of incidence, three photodetector surfaces in succession, each of which is partially spectrally reflecting and each of which generates an electrical signal proportional to the fraction of the radiation it absorbs. A fourth photodetector is substantially totally light absorptive and detects the remainder of the light. The four outputs thus developed form a 4x1 signal vector I which is linearly related, I=AS, to the input Stokes vector S. Consequently, S is obtained by S=A(-1)I. The 4x4 instrument matrix A must be nonsingular, which requires that the planes of incidence for the first three detector surfaces are all different. For a given arrangement of four detectors, A can either be computed or determined by calibration.Technological AdvantageThe clean, compact StokesMeter replaces a typical rotating analyzer assembly consisting of a drum, prism, encoders, switches, motor and detector and their associated electronics. In addition, the waveplate mechanism on the polarizer arm, is eliminated. This results in a fast, precise, stable no moving parts ellipsometer.An outstanding feature is the Stokes Ellipsometer's compensation for small changes in angular beam deviation caused by sample out-of-flatness. This permits fast, uninterrupted measurement over the entire wafer surface without the need to pause to correct for focus and tilt. When scanning similar samples, tilt-free, focus-free operation is the obvious benefit.LSE Ellipsometer specificationsAlignment: Tilt and table height on computer alignment screen.Incidence Angle: 70°Method of Measurement: Patented StokesMeter determines the complete beam polarization using no moving parts and no modulators, only 4 stationary silicon detectors so measurements are exact and stable.Measurement Time: Practically instantaneous.Light Source: 6328 HeNe LaserBeam Diameter: 1 mmSample (Wafer) Size: 300 mm wide X unlimited lengthStages: Hand positioning with tilt and table height adjustment.Software: Windows 2000/XP LGEMP4 layer absorbing.Computer: Windows 2000/XP PC with available PCI slot (option)Film Thickness Range: 0 - 60,000 Angstroms on substrate or on 1, 2, 3, or 4 known sub-layers.Precision & Repeatability: Sub-Angstrom over most of the measurement range.Refractive Index: ± .001 over most of the measurement range.Power: Supplied by computer interface cardand laser power supply.Dimensions: Height: 16.5 Width: 27.5 Depth: 16 inches Net Weight: 40 lbs. Shipping Weight: 65 lbs.CDRH Compliance: All laser ellipsometers supplied by Gaertner comply with CDRH requirements 21CFR 1040 for a Class II laser product emitting less than 1 milliwatt of low power radiation. As with any bright source such as the sun or arc lamp, the operator should not stare directly into the laser beam or into its reflection from highly reflecting surfaces.CE Compliance: S series Ellipsometers comply with European safety directives and carry the CE mark.中国销售服务商美国赛伦科技上海办事处吴惟雨138 1791 5874caven.wu@saratogatek.comwww.saratogatek.com.cn

椭偏仪SE500

椭偏仪SE500

  • 品牌: 美国Angstrom Sun
  • 型号: SE500
  • 产地:美国
  • 椭偏仪是一种利用偏振态的变化 后光束探测样品反应技术。不像反射仪,椭偏仪参数(PSI和Del)是在非正常的入射角得到。改变入射角。可以得到更多的数据集,这将有助于精炼模型,减少不确定性和提高用户的数据信心。因此,可变角度椭偏仪比固定角度的椭偏仪系统具有更强大的功能 。目前有两种方法改变入射角,手动或自动模式。

椭偏仪SE300

椭偏仪SE300

  • 品牌: 美国Angstrom Sun
  • 型号: SE300
  • 产地:美国
  • 椭偏仪是一种利用偏振态的变化 后光束探测样品反应技术。不像反射仪,椭偏仪参数(PSI和Del)是在非正常的入射角得到。改变入射角。可以得到更多的数据集,这将有助于精炼模型,减少不确定性和提高用户的数据信心。因此,可变角度椭偏仪比固定角度的椭偏仪系统具有更强大的功能 。目前有两种方法改变入射角,手动或自动模式。

超声波在线壁厚、偏心测量仪

超声波在线壁厚、偏心测量仪

  • 品牌: 英国NDC
  • 型号: Ultrascan 1012
  • 产地:美国
  • UltraScan壁厚和同心度测量系统Beta LaserMike开发的UltraScan系统可以实现产品壁厚和同心度的在线精确测量,同时该系统也可以用于测量产品的直径和椭圆度。采用超声波技术,UltraScan系统能够在生产过程中实现高速、非接触式的测量。根据不同的应用场合,UltraScan测量系统采用固定式和可调节的传感器距离模式测量各种不同产品的直径和壁厚尺寸。上述各种模式都支持多个传感器测量,并且能够测量多层的直径和壁厚尺寸。应用领域:电线、电缆、医疗管、及其他管材、线绳等检测项目:壁厚、偏心、内径、外径以下技术信息说明了各种类型UltraScan系统的相关性能数据。为满足您特殊的应用需求,如需特定产品的详细信息,请参考我们提供的数据表。 软管应用外径范围: 0.25 - 63毫米(即0.01 - 2.5英寸)测量精度: 壁厚:±0.001毫米(即±0.000040英寸),同心度:±0.01%。扫描速率: 2000次/秒传感器数量: 最多支持8个管材应用外径范围: 7.5 - 660毫米(即0.0.30 - 26.0)测量精度:壁厚:±0.001毫米(即±0.000040英寸),同心度:±0.01%。扫描速率: 2000次/秒传感器数量: 最多支持8个

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