德国Leica 全新精研一体机 EM TXP
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德国Sentech激光椭偏仪SE 400adv
德国ThetaMetrisis FR-ES精简薄膜厚度测量特性分析系统
FR-Scanner自动化超高速精准薄膜厚度测量仪
德国Leica EM TXP全新精研一体机
全新的精研一体机LEICA EM TXP
是一款独特的可对目标区域进行精确定位的表面处理工具，特别适合于SEM，TEM及LM观察之前对样品进行切割、抛光等系列处理。它尤其适合于制备高难度样品，如需要对目标精细定位或需对肉眼难以观察的微小目标进行定点处理。有了 Leica EM TXP，这些工作就可轻松完成。在 Leica EM TXP 之前，针对目标区域进行定点切割，研磨或抛光等通常是一项耗时耗力，很困难的工作，因为目标区域极易丢失或者由于目标尺寸太小而难以处理。使用 Leica
EM TXP ，此类样品都可被轻易处理完成。另外，借助其多功能的特点，Leica EM TXP 也是一款可为离子束研磨技术和超薄切片技术服务的极高 效的前制样工具。
与观察体系合为一体
在显微镜下观察整个样品处理过程和目标区域将样品固定在样品悬臂上，在样品处理过程中，通过立体显微镜可对样品进行实时观察，观察角度0°至60°可调，或者调至 -30°，则可通过目镜标尺进行距离测量。Leica EMTXP 还带有明亮的环形LED光源照明，以便获得最 佳视觉观察效果。
> 对微小目标区域进行精确定位和样品制备
>通过立体显微镜实现原位观察
>多功能化机械处理
>自动化样品处理过程控制
>可获得平如镜面的抛光效果
>LED 环形光源亮度可调，4分割区段可选
< < < 看清细节
为微尺度制样而生
对毫米和微米尺度的微小目标进行定位、切割、研磨、抛光是一项具有挑战性的工作，主要困难来自：
> 目标太小，不容易观察
> 精确目标定位，或对目标进行角度校准很困难
> 研磨、抛光到指定目标位置常需花费大量人力和时间
> 微小目标极易丢失
> 样品尺寸小，难以操作，往往不得不镶嵌包埋
一体化显微观察及成像系统
Leica M80 立体显微镜
> 平行光路设计：通过中 央主物镜形成平行光路，焦平面一致
> 高倍分辨率：所有变倍比下都有绝 佳的图像质量和稳定的光强
> 人体工学设计：使用舒适度最 佳，无肌肉紧张感和疲劳感
Leica IC80 HD 高清摄像头*
> 无缝设计：安装在光学头和双目筒之间，无需添加显像管或光电管
> 高品质图像：与显微镜共轴光路确保图像质量及获得无反光图像
> 提供动态高清图像，连接或断开计算机均可使用
4 分割区段亮度可调 LED 环形光源
> 不同角度照明显露样品微小细节
Leica Application Suite (LAS 图像测量与分析软件)*
> 实现数字化成像
> 可对图像进行处理和分析
多种方式制备处理样品，样品无需转移，只需切换工具
不需要来回转移样品，只需要简单地更换处理样品的工就可完成样品处理过程，并且样品处理全过程都可通过显微镜进行实时观察。出于安全考虑，工具和样品所在的工作室带有一个透明的安全罩，可避免在样品处理过程中操作者不小心触碰到运转部件，又可防止碎屑飞溅。
LEICA EM TXP可对样品进行如下处理：
>铣削
>切割
>研磨
>抛光
>冲钻
灵活的工具和载台，应对各类样品
各类刀锯及抛光工具：
A. 研磨抛光片
B. 尼龙布，用于精细抛光
C. 金刚石锯片
D. CBN锯片，用于切割钢铁材料
E. Φ3mm空心钻，用于制备 TEM Φ3mm圆薄片
F. 铣刀，用于铣削样品
自动化样品处理过程控制
让徕卡EM TXP来工作
EM TXP的自动化样品处理过程控制机制，可以帮助您从常规繁重的样品制备工作中解脱出来：
精确的目标定位
> 在显微镜辅助观察下，通过精密移动工具来帮助你实现精确的目标定位
> 如移动锯片到接近目标位置进行切割；然后不用取下样品，直接将锯片更换成研磨片对目标位置进行快速研磨；当快接近目标位置，可以采用Count down倒 计数功能，自动研磨指定厚度（∑ um），或最 后采用Count down倒 计时功能，自动抛光
> 得益于精密机械控制部件，样品加工工具步进精度最小可达0.5um
精确的角度校准
> 在显微镜辅助观察下，通过角度校准适配器帮助你实现对样品角度的微调
> 角度校准适配器固定在样品夹具和样品悬臂之间，可以实现水平方向和垂直方向分别±5°角度微调
LEICA EM TXP & EM TIC 3X
LEICA EM TIC 3X
是一款独特的三离子束切割仪，可对软硬复合型或应力敏感型材料样品进行离子束轰击，获得样品截面，便于SEM观察样品内部结构信息及分析。
EM TXP可为其做样品前制备：
> 样品切割、粗研磨
> 样品修块
> 对TIC 3X挡板进行研磨抛光，使挡板得以重复利用
LEICA EM TXP & EM UC7
LEICA EM UC7
是徕卡超薄切片机，利用钻石刀对样品进行超薄切片，可获得nm级厚度超薄切片（用于TEM观察），或15um以下厚度半薄切片（用于LM观察），或切割获得样品截面（用于LM或SEM观察）。
所有样品在超薄切片前都需进行样品修块。样品截面的大小和形状对后续切片影响很大。硬度较低的样品可以使用徕卡EM TRIM2修块机，或EM RAPID高级修块机，或者用EM TXP精研一体机进行修块。而坚硬或脆性材料必须使用EM TXP，利用切割/研磨/抛光步骤进行样品修块处理。修块后完 美的样品块要具有平整的表面和锐利的边缘，这对于坚硬或脆性样品获得高质量超薄切片非常重要。
Ernst Leitz 于 1907 年发表了“与用户合作，使用户受益”的声明，描述了徕卡显微系统与最 终用户的通力协作以及不断创新的驱动力。我们已经开发了五个品牌价值来实现这一传统：Pioneering、High-end Quality、Team Spirit、Dedication to Science 和 Continuous Improvement。对我们来说，实现这些价值就意味着：Living up to Life。
报价：面议
已咨询1497次德国Sentech激光椭偏仪
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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