WinSPM EDU扫描探针显微镜教学实验系统
氮气发生器-TOUDENKI
电子束曝光系统-纳腾Pharos 310电子束曝光系统
干式mK系统 ADR低温恒温干式mK系统
缺陷检测Candela CS920表面缺陷检测仪
ME-L穆勒矩阵椭偏仪
• 全自动变角、对焦技术，一键快速测量
• 向导交互式人机果面，便捷的软件操作体验
• 丰富的材料数据库和算法模型库，强大数据分析能力
技术规格
型号 | ME-L |
应用 | 科研级／企业级 |
基本功能 | Psi/Delta 、 R/T 、穆勒矩阵等光谱 380-1000nm（支持扩展至193-2500nm) |
分析光谱 | |
单次测量时间 | ≤15s |
重复性测量精度 | 0.005nm |
绝对精度 （直通测量空气） | 椭偏参数：4=45±0.05°△=0±0.1° 穆勒矩阵：对角元素 m=1±0.005 非对角元素 m=0±0.005 |
折射率重复性精度 | 0.0005 |
光斑大小 | 大光斑：2-4mm 微光斑：200μm/100um 超微光斑： ≤50um（取决于波长） |
重复性精度指标针对100nmSi02/Si标准样件30次重复性测量；
仪器具体技术参数需与实际功能模块、配件有关，表中数据仅供参考。
可选配置： 波段选择
V:380-1000nm | VN：380-1650nm |
UV：245-1000nm | UN：210-1650nm |
UV+ ：210-1000nm | DN：193-1650nm |
DUV：193-1000nm | UN+ ：210-2500nm |
DN+：193-2500nm |
角度选择：
自动：45 ° -90°
手动：45 ° -90°（5°步进）
固定：65 °
其他选择
Mapping选择：100*100mm/200*200mm
温控台：190-550℃/RT-1000℃
报价：面议
已咨询239次表面分析
报价：面议
已咨询293次表面分析
报价：面议
已咨询382次椭偏仪
报价：面议
已咨询133次光谱式椭偏仪
报价：面议
已咨询371次椭偏仪
报价：面议
已咨询363次椭偏仪
报价：面议
已咨询532次椭偏仪
报价：面议
已咨询550次椭偏仪
将传统玻片数字化，进行存储与管理，可建立数字切片库，便于培训、分析、管理等，脱离时间、空间限制。
将传统玻片数字化，进行存储与管理，可建立数字切片库，便于培训、分析、管理等，脱离时间、空间限制。
将传统玻片数字化，进行存储与管理，可建立数字切片库，便于培训、分析、管理等，脱离时间、空间限制。
电子束曝光一种高分辨率的微细加工技术，广泛应用于纳米科技和半导体制造领域。其基本原理是利用聚焦的电子束在光刻胶上进行直接写入，通过改变光刻胶的化学性质来形成微纳米结构图案。上海纳腾仪器有限公司自主研发的电子束曝光机（Pharos系列产品）， 具有高分辨率、 精准控制和高度自动化的优势， 被广泛应用于制备半导体芯片、 光子学元件和其他微纳米结构等领域， 是进行亚微米至纳米级曝光技术研发的理想工具。
1. SE series可执行Thermal-ALD，PEALD，与ALA等先进制程。 2. SE series具有高度的改造弹性，但其性能与稳定性并不因此而牺牲。 3. 原子层沉积系统设计具有便捷、稳定、再现性高的产品定位。
WinSPM EDU 系统荣获“全国教学仪器设备评比较好奖”,该奖项由国家教育装备委员会颁发，表彰其在纳米教育实验系统方面的创新设计、稳定性能和在全国高校广泛应用中的突出表现。
日本东宇 是业界知名的氮气发生器厂家,拥有30年丰富的销售经验及专业的售后支持团队。 日本京都的研发生产中心, 与合作实验室持续开发新机型。 在日本、 中国等多国取得多项技术专利。工厂通过ISO9001认证。
较为低的曲率半径：每根针经过质检； 较小探针差异：较为特加工工艺实现精准控制
营业执照已审核
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沪公网安备 31011502008050号