电子束曝光机（Electron Beam Lithography, EBL）
电子束曝光系统 ELS-F125/F100/HS50
原子层沉积系统-SE6
台式无掩模光刻机-SHNTI
聚合物笔印刷Park XE-PPL
电子束曝光一种高分辨率的微细加工技术，广泛应用于纳米科技和半导体制造领域。其基本原理是利用聚焦的电子束在光刻胶上进行直接写入，通过改变光刻胶的化学性质来形成微纳米结构图案。上海纳腾仪器有限公司自主研发的电子束曝光机（Pharos系列产品）， 具有高分辨率、 精准控制和高度自动化的优势， 被广泛应用于制备半导体芯片、 光子学元件和其他微纳米结构等领域， 是进行亚微米至纳米级曝光技术研发的理想工具。
Pharos X100电子束曝光机作为新一代纳米加工平台，集成了100kV高亮度热场发射电子源、高速静电束闸、支持高通量与高精度双模式运行，配备20位图形发生器及多级静电偏转系统，二维真空位移台与激光干涉全闭环测距系统完美契合，同时具备动态检焦功能，确保超精度的图形完美加工。
、
电子束曝光机通用框图
产品参数：
| 电子枪 | 肖特基场发射 |
| 较高加速电压 | 100kV |
| 较小加工线宽（特征尺寸） | ≤ 10nm |
| 图形套刻精度 | ≤ 25nm |
| 写场拼接精度 | ≤ 25nm |
| 较大写场范围 | 3000µm |
| 电子束束斑尺寸 | ≤5nm |
| 样品尺寸 | 2-12英寸晶圆，同时兼容小尺寸晶片 |
| 较高图形发生器频率 | 100 MHz |
| 电子束束流范围 | 5pA-100nA |
| 定位方式 | 激光干涉 |
| 功能配置 | 自动聚焦像散与高度测量 |
电子束曝光机设备布局参考图：
1、主机：1.6m×1.4m×2.2m（长宽高），合计约 4.5 吨
2、机柜：0.8m ×0.6m ×1.8m，约 0.5 吨×3 个
3、设备进出门：1.6m×2.4m(宽高）
4、建议房间高度：3.0m
5、电源 ：单相 220V，12kW，63A 空开
报价：面议
已咨询5017次
报价：面议
已咨询1302次日本Elionix
报价：面议
已咨询6018次半导体参数分析仪
报价：面议
已咨询506次聚焦离子束电子束双束显微镜 DB550
报价：面议
已咨询164次德国 Raith
报价：面议
已咨询2087次光刻/涂布
报价：面议
已咨询4650次半导体参数分析仪
报价：面议
已咨询1172次光刻机
电子束曝光一种高分辨率的微细加工技术，广泛应用于纳米科技和半导体制造领域。其基本原理是利用聚焦的电子束在光刻胶上进行直接写入，通过改变光刻胶的化学性质来形成微纳米结构图案。上海纳腾仪器有限公司自主研发的电子束曝光机（Pharos系列产品）， 具有高分辨率、 精准控制和高度自动化的优势， 被广泛应用于制备半导体芯片、 光子学元件和其他微纳米结构等领域， 是进行亚微米至纳米级曝光技术研发的理想工具。
1. SE series可执行Thermal-ALD，PEALD，与ALA等先进制程。 2. SE series具有高度的改造弹性，但其性能与稳定性并不因此而牺牲。 3. 原子层沉积系统设计具有便捷、稳定、再现性高的产品定位。
WinSPM EDU 系统荣获“全国教学仪器设备评比较好奖”,该奖项由国家教育装备委员会颁发，表彰其在纳米教育实验系统方面的创新设计、稳定性能和在全国高校广泛应用中的突出表现。
日本东宇 是业界知名的氮气发生器厂家,拥有30年丰富的销售经验及专业的售后支持团队。 日本京都的研发生产中心, 与合作实验室持续开发新机型。 在日本、 中国等多国取得多项技术专利。工厂通过ISO9001认证。
较为低的曲率半径：每根针经过质检； 较小探针差异：较为特加工工艺实现精准控制
AIUniBeam”是一种基于Al的光束均匀性补偿技术采用光束轮廓仪进行补偿。光束轮廓仪测量每个像素的强度，然后通过像素控制对局部强度进行补偿和优化，以满足98%以上的均匀性。
电子束曝光指利用聚焦电子束在光刻胶上制造图形的工艺 ， 是光刻工艺的延伸应用 。 电子束曝光系统是实现电子束曝光 技术的硬件平台，系统的性能决定了曝光工艺关键尺寸、拼接和套刻精度等参数。
营业执照已审核
分享
收藏
沪公网安备 31011502008050号