华师大登上 Nature 子刊：0.9 nm 的奇迹！飞纳场发射电镜见证二维芯片跨越亚纳米极限

当芯片的“微缩竞赛”逼近物理极限，硅基晶体管已难再前进半步。然而，科研团队并未停下脚步——他们把目光投向了二维材料。就在近日，华南师范大学团队在 Nature Communications 发表突破性研究--《Controllable growth of MoO? dielectrics with sub-1 nm equivalent oxide thickness for 2D electronics》：他们通过可控生长技术，成功制备出等效氧化层厚度（EOT）仅 0.9 nm 的 MoO? 高κ介电层，实现了在二维半导体晶体管中超薄、低漏电、低功耗的理想结构。

原文链接：

https://doi.org/10.1038/s41467-025-61972-y

使用飞纳电镜型号：

一分钟充满？飞纳场发射电镜助力 Nature 子刊研究，“无序”结构竟让锂电更快！