实测案例——硅片厚度测量

引言：硅是半导体晶圆制造中不可或缺的元素，也是其基础材料层。准确掌握硅片的几何厚度对于制造过程中的质量控制和工艺管理至关重要。在本应用说明中，我们使用FR-Tools对硅片的厚度进行测量。

方法与手段：用于表征的样品为一片标准的4英寸双面抛光硅片。反射率测量使用ThetaMetrisis FR-Basic NIR设备完成，该设备调谐至1500–1580 nm光谱范围工作，如下图所示。

结果：图1展示了在FR-Monitor软件中记录的硅片典型实验反射光谱（黑线）和拟合后的反射光谱（红线）。拟合分析在1500–1560 nm光谱范围内进行，测得硅片的厚度为497.4 μm。

图1：由FR-Monitor记录的4英寸硅片的镜面反射光谱。测得厚度为497.4 μm。

结论：已通过使用FR-Tools实现了对硅片基板的厚度测量。