离子刻蚀与沉积系统

。开放式设计，可快速加载和卸载晶圆。 。基片放置在石英上，以避免溅射/再沉积电极材料 。通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室 。电感耦合等离子体(ICP)和电极的独立射频发生器提供对...

激光椭偏仪SE 500adv， 结合椭偏反射CER的SE 500adv 椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以...

ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机，低损伤刻蚀，高速刻蚀。

PECVD Depolab 200 等离子体沉积机，将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。

SENTECH SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统，感应耦合等离子刻蚀机台，低损伤纳米结构刻蚀，高速率刻蚀，内置ICP等离子源，动态温控。

德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机，使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺，a- si在室温到350℃之间。真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加...

德国 Sentech SI 500 D 等离子沉积机，具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)，EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备...

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作...

SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

英国Oxford 反应离子刻蚀机PlasmaPro 800 RIE，是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶...

国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光

硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现； 兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力； 自动匹配-拥有工艺...

PlasmaPro 80 ICP 英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机，是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快...

牛津OXFORD System 100 等离子刻蚀与沉积设备，具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术。

PlasmaPro 80 RIE 牛津等离子体刻蚀机，是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆...